科目： 来源：湖北省期中题 题型：不定项选择

如图所示，在真空中的A、B两点分别放置等量异种点电荷，在A、B两点间取一正五角星形路径abcdefghija，五角星的中心O与A、B的中点重合，其中af连线与AB连线垂直。现有一电子沿该路径逆时针移动一周，下列判断正确的是

[     ]

A．a点和f点的电势相等
B．b点和j点的电场强度相同
C．电子从e点移到f点的过程中，电势能减小；从f点移到g点的过程中，电势能增大
D．若A、B两点处的点电荷电荷量都变为原来的2倍，则A、B连线中点O点的场强也变为原来的2倍

科目： 来源：陕西省期中题 题型：不定项选择

如图所示，平行线代表电场线，但未标明方向，一个带正电、电量为10^－6 C的微粒在电场中仅受电场力作用，当它从A点运动到B点时动能增加了10^－5 J，已知A点的电势为－10 V，则以下判断正确的是

[     ]

A．微粒的运动轨迹如图中的虚线1所示
B．微粒的运动轨迹如图中的虚线2所示
C．B点电势为零                    
D．B点电势为－20 V

科目： 来源：不详 题型：多选题

半导体靠自由电子（带负电）和空穴（相当于带正电）导电，分为p型和n型两种．p型半导体中空穴为多数载流子；n型半导体中自由电子为多数载流子．现在一个学生研究小组用以下实验可以判定一块半导体材料是p型还是n型：将材料放在匀强磁场中，通以图示方向的电流I，用电压表比较上表面M和下表面N的电势高低，则（　　）

A．若M电势高，就是p型半导体

B．若M电势高，就是n型半导体

C．若N电势高，就是p型半导体

D．若N电势高，就是n型半导体

科目： 来源：不详 题型：单选题

如图所示，虚线a、b、c、d表示匀强电场中的4个等势面．两个带电粒子M、N（重力忽略不计）以平行于等势面的初速度射入电场，运动轨迹分别如图中MPN和NQM所示．己知M是带正电的带电粒子．则
（　　）

A．N一定也带正电

B．a等势面的电势高于b等势面的电势

C．带电粒子N的动能减小，电势能增大

D．带电粒子M的动能减小，电势能增大

科目： 来源：不详 题型：单选题

在一匀强电场区域中，有A、B、C、D四点恰好位于一平行四边形的四个顶点上，已知A、B、C三点电势分别为φ_A=1V，φ_B=4V，φ_C=0，则D点电势φ_D大小为（　　）

A．-3V

B．2V

C．0

D．1V

科目： 来源：不详 题型：单选题

科目： 来源：不详 题型：多选题

科目： 来源：不详 题型：多选题

如图所示，实直线是某电场中一条电场线，虚线是两条该电场的等势线，由图可以得出的正确结论是（　　）

A．UM＞UN

B．EM＞EN

C．由M向N移动电荷时，电势能的改变量与零电势选取无关

D．某电荷在M点或N点的电势能与零电势的选取无关

科目： 来源：不详 题型：单选题

如图所示，实线表示匀强电场的电场线．一个带正电荷的粒子以某一速度射入匀强电场，只在电场力作用下，运动的轨迹如图中的虚线所示，a、b为轨迹上的两点．则下列说法正确的是（　　）

A．场强方向一定向左

B．a点电势比b点电势高

C．从a到b电场力做负功

D．该电荷在a点的电势能小于在b点的电势能

科目： 来源：金山区模拟 题型：填空题