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16．如图，直角三角形金属框abc放置在匀强磁场中，磁感应强度大小为B，方向平行于ab边向上．当金属框绕ab边以角速度ω逆时针转动时，a、b、c三点的电势分别为U_a、U_b、U_c．已知bc边的长度为l．下列判断正确的是（　　）

	A．	Ua＞Uc，金属框中无电流
	B．	Ub＜Uc，金属框中电流方向沿a-b-c-a
	C．	Ubc=-$\frac{1}{2}$Bl2ω，金属框中无电流
	D．	Ubc=$\frac{1}{2}$Bl2ω，金属框中电流方向沿a-b-c-a

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15．如图所示，有关分子力和分子势能曲线的说法中，正确的是（　　）

	A．	当r=r0时，分子为零，分子势能最小也为零
	B．	当r＞r0时，分子力和分子势能都随距离的增大而增大
	C．	在两分子由无穷远逐渐靠近直至距离最小的过程中分子力先做正功后做负功
	D．	在两分子由无穷远逐渐靠近直至距离最小的过程中分子势能先增大，后减小，最后又增大

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13．如图所示，mn为平行于斜面底边的直线，其下方有垂直于斜面的匀强磁场，一矩形导线框自粗糙斜面上端滑下，且下滑过程中线框ab边始终与mn平行，则（　　）

	A．	线框进入磁场过程中ab边所受安培力沿斜面向上
	B．	线框进入磁场过程中一定做减速运动
	C．	线框中产生的焦耳热一定等于线框减少的机械能
	D．	线框从不同高度释放至完全进入磁场过程中，通过导线横截面的电量相等

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12．如图，两平行金属导轨位于同一水平面上，相距l，左端与一电阻R相连；整个系统置于匀强磁场中，磁感应强度大小为B，方向竖直向下．一质量为m、电阻为R的导体棒置于导轨上，在水平外力作用下沿导轨以速度v匀速向右滑动，滑动过程中始终保持与导轨垂直并接触良好．已知导体棒与导轨间的动摩擦因数为μ，重力加速度大小为g，导轨和导体棒的电阻均可忽略．下列说法正确的是（　　）

	A．	电阻R消耗的功率P=$\frac{{B}^{2}{L}^{2}{v}^{2}}{2R}$		B．	电阻R消耗的功率P=μmgv
	C．	水平外力的大小F=$\frac{{B}^{2}{l}^{2}v}{R}$+μmg		D．	水平外力的大小F=$\frac{{B}^{2}{l}^{2}v}{R}$-μmg

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11．如图，一束光沿半径方向射向一块半圆形玻璃砖，在玻璃砖底面上的入射角为θ，经折射后射出a、b两束光线，则（　　）

	A．	在玻璃中，a光的传播速度小于b光的传播速度
	B．	在真空中，a光的波长小于b光的波长
	C．	若改变光束的入射方向使θ角逐渐变大，则折射光线b首先消失
	D．	分别用a、b光在同一个双缝干涉实验装置上做实验，a光的干涉条纹间距大于b光的干涉条纹间距

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10．在电磁波发射技术中，使电磁波随各种信号而改变的技术叫调制，调制分调幅和调频两种．如图①所示有A、B两幅图．在收音机电路中天线接收下来的电信号既有高频成分又有低频成分，经放大后送到下一级，需要把高频成分和低频成分分开，只让低频成分输入下一级，如果采用如练图②所示的电路，图中虚线框a和b内只用一个电容器或电感器．以下关于电磁波的发射和接收的说法中，正确的是（　　）

	A．	在电磁波的发射技术中，图①中A是调幅波
	B．	在电磁波的发射技术中，图①中B是调幅波
	C．	图②中a是电容器，用来通高频阻低频，b是电感器，用来阻高频通低频
	D．	图②中a是电感器，用来阻交流通直流，b是电容器，用来阻高频通低频

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9．如图所示电路中，变压器为理想变压器，a、b接在电压有效值不变的交流电源两端，R₀为定值电阻，R为滑动变阻器．现将变阻器的滑片从一个位置滑动到另一个位置，观察到电流表A₁的示数增大了0.2A，电流表A₂的示数增大了0.8A．则下列说法正确的是（　　）

	A．	电压表V1示数增大		B．	电压表V2不变，V3示数减小
	C．	该变压器起升压作用		D．	变阻器滑片是沿c→d的方向滑动

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