A. 在真空中，a光的传播速度大于b光的传播速度

B. 在玻璃中，a光的传播速度大于b光的传播速度

C. 同时增大入射角(入射角始终小于90°)，则a光在下表面先发生全反射

D. 对同一双缝干涉装置，a光的干涉条纹比b光的干涉条纹宽

A. B.

C. D.

【题目】在竖直平面内建立如图所示的平面直角坐标系，将一金属杆的OA部分弯成抛物线形状、AB部分为直线并与抛物线的A端相切，将弯好的金属抛物线的O端固定在坐标原点且与水平x轴相切，平面直角坐标系与金属抛物线共面．已知金属杆抛物线部分的方程为y=x2，A点纵坐标为yA=0.8m．一处于原长的轻弹簧穿在AB杆上，弹簧下端固定在B点．现将一质量m=0.2kg的物块（中间有孔）套在金属杆上，由O点以初速度v0=5m/s水平抛出，到达A点时速度VA=6m/s并继续沿杆下滑压缩弹簧到最低点C （图中未画出），然后物块又被弹簧反弹恰能到达A点．已知物块与金属杆间的动摩擦因数μ=，g=10m/s2，sin37°=0.6，cos37°=0.8，空气阻力忽略不计．求：

（1）抛出的物块沿金属杆抛物线OA部分滑动时克服摩擦力做的功：

（2）上述过程中弹簧的最大弹性势能．

（1）实验中的重物应选用图2中的__________；（填“①”、“②”、“③”）

（2）电磁打点计时器的电源选用___________；（填“220V交流电源”或“学生交流电源4V﹣6V”）

（3）如图3，释放纸带前的瞬间，重锤和手的位罝合理的是____（“丙”或“丁”）：

（4）如图4，某同学用正确的方法获得了一条纸带，并以起点为记数点O，隔一段距离，取连续点为记数点A、B、C、D、E、F，如图所示．已知重锤的质量为0.5kg，则电磁打点计时器打下E点时，重锤减少的重力势能△Ep=_____J（取重力加速度g=9.8m/s2，计算结果保留两位有效数字），由于受阻力的影响，重锤增加的动能与△EK减少的重力势能△EP的大小关系为△EK_______△EP（选填“大于”、“小于”或“等于”）．

【题目】霍尔效应是电磁基本现象之一，近期我国科学家在该领域的实验研究上取得了突破性进展．如图12所示，在一矩形半导体薄片的P、Q间通入电流I，同时外加与薄片垂直的磁场B，在M、N间出现电压UH，这个现象称为霍尔效应，UH为霍尔电压，且满足UH＝k，式中d为薄片的厚度，k为霍尔系数．某同学通过实验来测定该半导体薄片的霍尔系数．

(1)若该半导体材料是空穴(可视为带正电粒子)导电，电流与磁场方向如图所示，该同学用电压表测量UH时，应将电压表的“＋”接线柱与______(选填“M”或“N”)端通过导线连接．

(2)已知薄片厚度d＝0.40 mm，该同学保持磁感应强度B＝0.10 T不变，改变电流I的大小，测量相应的UH值，记录数据如下表表示.

根据表中数据在图中的坐标纸上画出UH－I图线，利用图线求出该材料的霍尔系数为____________×10－3 V·m·A－1·T－1(保留2位有效数字)．

(3)该同学查阅资料发现，使半导体薄片中的电流反向再次测量，取两个方向测量的平均值，可以减小霍尔系数的测量误差，为此该同学设计了如图所示的测量电路．S1、S2均为单刀双掷开关，虚线框内为半导体薄片(未画出)．为使电流自Q端流入，P端流出，应将S1掷向______(选填“a”或“b”)，S2掷向______(选填“c”或“d”)．为了保证测量安全，该同学改进了测量电路，将一合适的定值电阻串接在电路中．在保持其他连接不变的情况下，该定值电阻应串接在相邻器件________和________(填器件代号)之间．

【题目】如图所示，在x轴的上方有沿y轴负方向的匀强电场，电场强度为E，在x轴的下方等腰三角形CDM区域内有垂直于xOy平面由内向外的匀强磁场，磁感应强度为B，其中C、D在x轴上，它们到原点O的距离均为a，。现将一质量为m、带电量为q的带正电粒子，从y轴上的P点由静止释放，设P点到O点的距离为h，不计重力作用与空气阻力的影响。，下列说法正确的是

A. 若，则粒子垂直CM射出磁场

B. 若，则粒子平行于x轴射出磁场

C. 若，则粒子垂直CM射出磁场

D. 若，则粒子平行于x轴射出磁场

A. 安培力对ab棒所做的功不相等

B. 电流所做的功相等

C. 产生的总内能相等

D. 通过ab棒的电量相等

A. A、D点振动始终加强,B点振动始终减弱

B. C点始终保持静止不动

C. t=0时刻,A、B两点的竖直高度差为10 cm

D. 在t=0至t="0.25" s的时间内,B点通过的路程为20 cm

A. 米(m)、秒(s)B. 牛(N，秒(s)C. 千克(kg)、米/秒(m/s)D. 米(m)、米秒(m/s)