如图所示，半径R=2m的四分之一粗糙圆弧轨道AB置于竖直平面内，轨道的B端切线水平，且距水平地面高度为h=1.25m，现将一质量m=0.2kg的小滑块从A点由静止释放，滑块沿圆弧轨道运动至B点以v=5m/s的速度水平飞出(g取10m/s2)．求：

(1)小滑块沿圆弧轨道运动过程中所受摩擦力做的功；

(2)小滑块经过B点时对圆轨道的压力大小；

(3)小滑块着地时的速度大小和方向

在电磁学发展史上，提出分子电流假说的科学家是

A. 富兰克林        B. 法拉第         C. 安培         D. 奥斯特

下列说法正确的是

A．半导体的导电性能介于导体与绝缘体之间，其电阻随温度升高而增大

B．热敏电阻的特点是温度升高时电阻迅速减小

C．导体中电流无穷大的现象叫超导现象

D．导体的电阻与通过其中的电压和电流有关

有一个金属丝圆环，圆面积为S，电阻为r，放在磁场中，让磁感线垂直地穿过圆环所在平面。在△t时间内，磁感应强度的变化为△B，通过金属丝横截面的电量q与下面哪个量的大小无关

A.时间△t        B. 圆面积S      C. 金属丝圆环电阻    D. 磁感应强度变化△B

赤道上，地磁场可以看成是沿南北方向的匀强磁场，磁感应强度大小是5.0×10^－5T。如果赤道上有一根沿东西方向的直导线，长为20m，载有从西向东的电流30A，则地磁场对这根导线的安培力

A．大小是3×10^－2N，方向竖直向上   

B．大小是3×10^－2N，方向竖直向下

C．大小是5×10^－2N，方向竖直向上   

D．大小是5×10^－2N，方向竖直向下

如图所示，一水平宽度为d、竖直范围足够大的匀强电场，场强为E，一带电量为+q的粒子以不同的初速度从一侧垂直电场方向进入电场，不计重力。则该粒子

A．能飞出电场，且初速度越大，飞出电场时的速度变化越小

B．能飞出电场，且初速度越小，飞出电场时的速度变化越小

C．当初速度小于某一个值，不能飞出电场

D．当初速度大于某一个值，不能飞出电场

如图所示的磁场中，有P、Q两点。下列说法正确的是

A．P点的磁感应强度小于Q点的磁感应强度

B．P、Q两点的磁感应强度大小与该点是否有通电导线无关

C．同一小段通电直导线在P、Q两点受到的安培力方向相同，都是P→Q

D．同一小段通电直导线在P点受到的安培力一定大于在Q点受到的安培力

三角形导线框abc固定在匀强磁场中，磁感线的方向与导线框所在平面垂直，规定磁场的正方向垂直纸面向里，磁感应强度B随时间t变化的规律如图所示。规定线框中感应电流i沿顺时针方向为正方向，下列 i— t图象中正确的是

电路中路端电压U随干路电流I变化的关系如图所示，则电

源的电动势E和内电阻r分别是

A. E＝1.0V，r＝5.0Ω         

B. E＝1.0V，r＝2.5Ω

C. E＝2.0V，r＝5.0Ω         

D. E＝2.0V，r＝2.5Ωw.w.^w.k

如图所示,有一匝接在电容器C两端的圆形导线回路，垂直于回路平面以内存在着向里的匀强磁场Ｂ,已知圆的半径r=5cm,电容C=20μF，当磁场B以4×10^-2T／s的变化率均匀增加时，则

A.电容器a板带正电，电荷量为2π×10^-9C

B.电容器a板带负电,  电荷量为2π×10^-9C

C.电容器b板带正电,  电荷量为4π×10^-9C

D.电容器b板带负电，电荷量为4π×10^-9C