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科目: 来源:2012届度天津一中高三第一学期一月考物理卷 题型:计算题

根据量子理论,光子不但有动能还有动量,其计算式为p=,其中h是普朗克常量,λ是光子的波长.既然光子有动量,那么光照到物体表面,光子被物体吸收或反射时,光都会对物体产生压强,这就是“光压”.一台二氧化碳气体激光器发出的激光,功率为P0=1 000 W,射出的光束的横截面积为S=1.00 mm2,当它垂直照射到某一物体表面并全部被吸收时,对该物体产生的光压将是多大?

 

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科目: 来源:2012届度天津一中高三第一学期三月考物理卷 题型:选择题

一根粗细均匀的导线,两端加上电压U时,通过导线中的电流强度为I,导线中自由电子定向移动的平均速度为v,若导线均匀拉长,使其半径变为原来的,再给它两端加上电压U,则(     )

A.通过导线的电流为                               B.通过导线的电流为

C.自由电子定向移动的平均速率为          D.自由电子定向移动的平均速率为

 

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科目: 来源:2012届度天津一中高三第一学期三月考物理卷 题型:选择题

如图所示的电路,闭合开关S,当滑动变阻器滑片P向右移动时,下列说法正确的是(     )

A.电流表读数变小,电压表读数变大

B.小电泡L变暗

C.电容器C上电荷量减小

D.电源的总功率变小

 

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科目: 来源:2012届度天津一中高三第一学期三月考物理卷 题型:选择题

如图所示,在真空中一个光滑的绝缘的水平面上,有直径相同的两个金属球A、C.质量mA=0.01 kg,mC=0.005 kg.静止在磁感应强度B=0.5 T的匀强磁场中的C球带正电,电量qC=1×10-2 C.在磁场外的不带电的A球以速度v0=20 m/s进入磁场中与C球发生正碰后, C球对水平面压力恰好为零,设向右为正,则碰后A球的速度为(     )

A.10 m/s      

B.5 m/s   

C.15 m/s     

D.-20 m/s

 

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科目: 来源:2012届度天津一中高三第一学期三月考物理卷 题型:选择题

如图所示,一个理想边界为PQMN的匀强磁场区域,磁场宽度为d,方向垂直纸面向里。一电子从O点沿纸面垂直PQ以速度v0进入磁场。若电子在磁场中运动的轨道半径为2dO′在MN上,且OO′ 与MN垂直。下列判断正确的是(   )

A.电子将向右偏转                              

B.电子打在MN上的点与O′点的距离为d

C.电子打在MN上的点与O′点的距离为     

D.电子在磁场中运动的时间为

 

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科目: 来源:2012届度天津一中高三第一学期三月考物理卷 题型:选择题

在光滑的绝缘水平面上,有一个正三角形abc,顶点a、b、c处分别固定一个正点电荷,电荷量相等,如图所示,D点为正三角形外接圆的圆心,E、G、H点分别为abacbc的中点,F点为E关于c电荷的对称点,则下列说法中正确的是(      )

A.D点的电场强度一定不为零、电势可能为零

B.E、F两点的电场强度等大反向

C.E、G、H三点的电场强度相同

D.若释放c电荷,c电荷将一直做加速运动

 

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科目: 来源:2012届度天津一中高三第一学期三月考物理卷 题型:选择题

图示是质谱仪的工作原理示意图.带电粒子被加速电场加速后,进入速度选择器.速度选择器内相互正交的匀强磁场和匀强电场的强度分别为BE.平板S上有可让粒子通过的狭缝P和记录粒子位置的胶片A1A2.平板S下方有强度为B0的匀强磁场.下列表述正确的是 (  )

A.质谱仪是分析同位素的重要工具

B.速度选择器中的磁场方向垂直纸面向外

C.能通过狭缝P的带电粒子的速率等于

D.粒子打在胶片上的位置越靠近狭缝P,粒子的荷质比越小

 

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科目: 来源:2012届度天津一中高三第一学期三月考物理卷 题型:选择题

如图所示的直线是真空中某电场的一条电场线,A、B是这条直线上的两点,一质量为m、带电荷量为q、电性未知的粒子仅在电场力作用下以速度VA经过A点向B点运动,经过一段时间后,粒子以速度VB经过B点,且VB与VA方向相反,不计粒子重力,下面说法正确的是 (       )

 

A.可以确定AB两点场强的大小关系

B.可以确定AB两点电势的大小关系

C.可以确定该粒子在经过AB两点时速度的大小关系

D.可以确定在AB两点处该粒子电势能的大小关系

 

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科目: 来源:2012届度天津一中高三第一学期三月考物理卷 题型:选择题

在同一光滑斜面上放同一导体绑棒,右图所示是两种情况的剖面图。它们所外空间有磁感强度大小相等的匀强磁场,但方向不同,一次垂直斜面向上,另一次竖直向上,两次导体A分别通有电流I1和I2,都处于静止平衡。已知斜面的倾角为θ,则:(      )

A.I1:I2=cosθ:1             

B.I1:I2=1:1

C.导体A所受安培力大小之比F1:F2=sinθ:cosθ       

D.斜面对导体A的弹力大小之比N1:N2=cos2θ:1

 

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科目: 来源:2012届度天津一中高三第一学期三月考物理卷 题型:填空题

一个质点做简谐运动的图象如图所示,质点振动频率为__________Hz;在10s内质点经过的路程是________cm; t=4.5s时刻质点的位移是_______cm;在5s末,速度为_____(填零或最大),加速度________(填零或最大)

 

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同步练习册答案