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    20．如图甲所示.bacd为导体做成的框架.其平面与水平面成θ角.质量为m的导体棒PQ与ab.cd接触良好.回路的电阻为R.整个装置放于垂直于框架平面的变化的磁场中.磁感应强度的变化如图乙.PQ始终静止.在0-ts内.PQ受到的摩擦力f的变化情况可能是: A．f一直增大 B．f一直减小 C．f先减小后增大 D．f先增大后减小 21．如图甲所示.电阻R的阻值为50Ω.在ab间加上图乙所示的正弦交流电.则下面说法中正确的是: A．电阻R的功率为20W B．电流表示数为2A C．该交流电电压的有效值为V D．该交流电的周期为0.02S 【查看更多】

     

    题目列表(包括答案和解析)

    如图甲所示，bacd为导体做成的框架，其平面与水平面成θ角，质量为m的导体棒PQ与ab、cd接触良好，回路的电阻为R，整个装置放于垂直框架平面的变化磁场中，磁感应强度B的变化情况如图乙所示，PQ能够始终保持静止．试画出0～t2时间内PQ受到的安培力F随时间变化的图象（取沿斜面向上为正方向）．
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    如图甲所示，bacd为导体做成的框架，其平面与水平面成θ角，质量为m的导体棒PQ与ab、cd接触良好，回路的电阻为R，整个装置放于垂直框架平面的变化磁场中，磁感应强度B的变化情况如图乙所示，PQ能够始终保持静止，则0～t2时间内，PQ受到的安培力F和摩擦力f随时间变化的图像可能正确的是(取平行斜面向上为正方向)

     

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    如图甲所示，bacd为导体做成的框架，其平面与水平面成θ角，质量为m的导体棒PQ与ab、cd接触良好，回路的电阻为R，整个装置放于垂直框架平面的变化磁场中，磁感应强度B的变化情况如图乙所示，PQ能够始终保持静止．试画出0～t2时间内PQ受到的安培力F随时间变化的图象（取沿斜面向上为正方向）．

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    如图甲所示，bacd为导体做成的框架，其平面与水平面成θ角，质量为m的导体棒PQ与ab、cd接触良好，回路的电阻为R，整个装置放于垂直框架平面的变化磁场中，磁感应强度B的变化情况如图乙所示，PQ能够始终保持静止，则0～t2时间内，PQ受到的安培力F和摩擦力f随时间变化的图像一定错误的是(取平行斜面向上为正方向)
    [     ]
    A、
    B、
    C、
    D、

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    如图甲所示，bacd为导体做成的框架，其平面与水平面成θ角，质量为m的导体棒PQ与ab、cd接触良好，回路的电阻为R，整个装置放于垂直框架平面的变化磁场中，磁感应强度B的变化情况如图乙所示，PQ能够始终保持静止，则0～t2时间内，PQ受到的安培力F和摩擦力f随时间变化的图像可能正确的是(取平行斜面向上为正方向)
    [     ]
    A.
    B.
    C.
    D.

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