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    1．如图11所示.P.Q是两个电量相等正的电荷.它们连线的中点是O.a.b是中垂线上的两点..用...分别表示a.b两点的场强和电势.则 图11 A.一定大于.一定大于 B.不一定大于.一定大于 C.一定大于.不一定大于 D.不一定大于.不一定大于 【查看更多】

     

    题目列表(包括答案和解析)

    如图所示，光滑的平行导轨P、Q相距l=1m，处在同一水平面中，导轨左端接有如图所示的电路，其中水平放置的平行板电容器C两极板M、N间距离d=10mm，定值电阻R1=R3=8Ω，R2=2Ω，导轨电阻不计．磁感应强度B=0.4T的匀强磁场竖直向下穿过导轨平面，当金属棒ab沿导轨向右匀速运动（开关S断开）时，电容器两极板之间质量m=1×10-4kg，带电荷量q=-11×10-15C的微粒恰好静止不动；当S闭合时，粒子立即以加速度a=7m/s2向下做匀加速运动，取g=10m/s2，在整个运动过程中金属棒与导轨接触良好，且运动速度保持恒定．求：
    （1）当S断开时，电容器上M、N哪个极板电势高；当S断开时，ab两端的路端电压是多大？
    （2）金属棒的电阻多大？
    （3）金属棒ab运动的速度多大？
    （4）S闭合后，使金属棒ab做匀速运动的外力的功率多大？

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    如图所示，光滑的平行导轨P、Q相距l＝1 m，处在同一水平面中，导轨左端接有如图所示的电路，其中水平放置的平行板电容器C两极板M、N间距离d＝10 mm，定值电阻R1＝R3＝8 Ω，R2＝2 Ω，导轨电阻不计．磁感应强度B＝0.4 T的匀强磁场竖直向下穿过导轨平面，当金属棒ab沿导轨向右匀速运动(开关S断开)时，电容器两极板之间质量m＝1×10－4 kg，带电荷量q＝－11×10－15 C的微粒恰好静止不动；当S闭合时，粒子立即以加速度a＝7 m/s2向下做匀加速运动，取g＝10 m/s2，在整个运动过程中金属棒与导轨接触良好，且运动速度保持恒定．求：

    (1)当S断开时，电容器上M、N哪个极板电势高；当S断开时，ab两端的路端电压是多大？

    (2)金属棒的电阻多大？

    (3)金属棒ab运动的速度多大？

    (4)S闭合后，使金属棒ab做匀速运动的外力的功率多大？

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    如图所示，光滑的平行导轨P、Q相距l＝1m,处在同一水平面中，导轨左端接有如图所示的电路，其中水平放置的平行板电容器C两极板M、N间距离d＝10mm，定值电阻R1＝R3＝8Ω，R2＝2Ω，导轨电阻不计．磁感应强度B＝0.4T的匀强磁场竖直向下穿过导轨平面，当金属棒ab沿导轨向右匀速运动(开关S断开)时，电容器两极板之间质量m＝1×10－4kg，带电荷量q＝－11×10－15C的微粒恰好静止不动；当S闭合时，粒子立即以加速度a＝7m/s2向下做匀加速运动，取g＝10m/s2，在整个运动过程中金属棒与导轨接触良好，且运动速度保持恒定．求：

    (1)

    当S断开时，电容器上M、N哪个极板电势高；当S断开时，ab两端的路端电压是多大？

    (2)

    金属棒的电阻多大？

    (3)

    金属棒ab运动的速度多大？

    (4)

    S闭合后，使金属棒ab做匀速运动的外力的功率多大？

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    霍尔效应是电磁基本现象之一，近期我国科学家在该领域的实验研究上取得了突破性进展。如图丙所示，在一矩形半导体薄片的P、Q间通入电流I，同时外加与薄片垂直的磁场B，在M、N间出现电压UH，这个现象称为霍尔效应，UH称为霍尔电压，且满足，式中d为薄片的厚度，k为霍尔系数。某同学通过实验来测定该半导体薄片的霍尔系数。

    ①若该半导体材料是空穴（可视为带正电粒子）导电，电流与磁场方向如图丙所示，该同学用电压表测量UH时，应将电压表的“+”接线柱与_________(填“M”或“N”)端通过导线相连。

    ②已知薄片厚度d=0.40mm，该同学保持磁感应强度B=0.10T不变，改变电流I的大小，测量

    I(×10－3 A)

    3.0

    6.0

    9.0

    12.0

    15.0

    18.0

    UH(×10－3 V)

    1.1

    1.9

    3.4

    4.5

    6.2

    6.8

    相应的UH值，记录数据如下表所示。

    根据表中数据在给定区域内（见答题卡）画出UH—I图线，利用图线求出该材料的霍尔系数为_______________（保留2位有效数字）。

    ③该同学查阅资料发现，使半导体薄片中的电流反向再次测量，取两个方向测量的平均值，可以减小霍尔系数的测量误差，为此该同学设计了如图丁所示的测量电路，S1、S2均为单刀双掷开关，虚线框内为半导体薄片（未画出）。为使电流从Q端流入，P端流出，应将S1掷向_______（填“a”或“b”）, S2掷向_______（填“c”或“d”）。

    为了保证测量安全，该同学改进了测量电路，将一合适的定值电阻串联在电路中。在保持其它连接不变的情况下，该定值电阻应串联在相邻器件____________和__________(填器件代号)之间。

    　　　　　　　　　　　　 图丁

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    霍尔效应是电磁基本现象之一，近期我国科学家在该领域的实验研究上取得了突破性进展。如图丙所示，在一矩形半导体薄片的P、Q间通入电流I，同时外加与薄片垂直的磁场B，在M、N间出现电压UH，这个现象称为霍尔效应，UH称为霍尔电压，且满足，式中d为薄片的厚度，k为霍尔系数。某同学通过实验来测定该半导体薄片的霍尔系数。

    I（×10-3A）
    		3.0
    		6.0
    		9.0
    		12.0
    		15.0
    		18.0
    UH（×10-3V）
    		1.1
    		1.9
    		3.4
    		4.5
    		6.2
    		6.8
    ① 若该半导体材料是空穴（可视为带正电粒子）导电，电流与磁场方向如图丙所示，该同学用电压表测量UH时，应将电压表的“+”接线柱与_________（填“M”或“N”）端通过导线相连。
    ② 已知薄片厚度d=0.40mm，该同学保持磁感应强度B=0.10T不变，改变电流I的大小，测量相应的UH值，记录数据如下表所示。根据表中数据在给定区域内（见答题卡）画出UH—I图线，利用图线求出该材料的霍尔系数为____________×10-3 V（保留2位有效数字）。   
    ③ 该同学查阅资料发现，使半导体薄片中的电流反向再次测量，取两个方向测量的平均值，可以减小霍尔系数的测量误差，为此该同学设计了如图丁所示的测量电路，S1、S2均为单刀双掷开关，虚线框内为半导体薄片（未画出）。为使电流从Q端流入，P端流出，应将S1掷向_______（填“a”或“b”）, S2掷向_______（填“c”或“d”）。为了保证测量安全，该同学改进了测量电路，将一合适的定值电阻串联在电路中。在保持其它连接不变的情况下，该定值电阻应串联在相邻器件____________和__________（填器件代号）之间。

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