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    6~1.0T,不考虑磁场对电路其它部分的影响).要求误差较小. 提供的器材如下闂傚倸鍊搁崐鎼佸磹閹间礁纾归柟闂寸绾惧綊鏌熼梻瀵割槮缁炬儳缍婇弻锝夊箣閿濆憛鎾绘煕閵堝懎顏柡灞剧洴椤㈡洟鏁愰崱娆樻К缂備胶鍋撻崕鎶解€﹂悜钘夎摕闁哄洨鍠撶粻楣冩煟閹伴潧澧柣婵囨⒒缁辨帡鎮欓鈧崝銈夋煟韫囨梻绠為柛鈺冨仱楠炲鏁傞挊澶夋睏闁诲氦顫夊ú鏍归崒鐐叉辈闁跨喓濮甸埛鎴︽煙閼测晛浠滈柍褜鍓氬ú鐔煎箖瑜戠粻娑樷槈濡偐鏋€闂備礁缍婂Λ鍧楁倿閿曞倸纾婚悗锝庡枟閻撴洘銇勯幇鍓佹偧缂佺姵锕㈤弻锝夋偄閺夋垵顫囧┑顔硷龚濞咃絿妲愰幒鎳崇喖鎼归崷顓熷櫙闂傚倷娴囬褏鎹㈤幋婵堟殕闁告稑锕ｇ换鍡涙煟閵忊懚鍦矆鐎ｎ偁浜滈柡宥冨妽閻ㄦ垶銇勯弬鍖¤含婵﹨娅ｉ幉鎾礋椤掆偓閸撳綊姊洪幖鐐插濞存粏娉涢锝夘敃閿濆啫浜濋梺鍛婂姀閺呮繈宕㈡禒瀣厵闁稿繗鍋愰弳姗€鏌涢妸銉吋鐎规洦鍨跺濠氬Ψ閿旀儳骞嶉梻浣告啞閸垶宕愰弽顐熷亾濮樼偓瀚�【查看更多】

     

    题目列表(包括答案和解析)

    2007年诺贝尔物理学奖授予了两位发现“巨磁电阻”效应的物理学家．材料的电阻随磁场的增加而增大的现象称为磁阻效应，利用这种效应可以测量磁感应强度．

    若图1为某磁敏电阻在室温下的电阻－磁感应强度特性曲线，其中RB、RO分别表示有、无磁敏电阻的阻值．为了测量磁感应强度B，需先测量磁敏电阻处于磁场中的电阻值RB．请按要求完成下列实验．

    (1)设计一个可以测量磁场中该磁敏电阻阻值的电路，在图2的虚线框内画出实验电路原理图(磁敏电阻及所处磁场已给出，待测磁场磁感应强度大小约为0.6～1.0 T，不考虑磁场对电路其它部分的影响)．要求误差较小．

    提供的器材如下：

    A．磁敏电阻，无磁场时阻值R0＝150 Ω

    B．滑动变阻器R，全电阻约20 Ω

    C．电流表，量程2.5 mA，内阻约30 Ω

    D．电压表，量程3 V，内阻约3 kΩ

    E．直流电源E，电动势3V，内阻不计

    F．开关S，导线若干

    (2)正确接线后，将磁敏电阻置入待测磁场中，测量数据如下表：

    根据上表可求出磁敏电阻的测量值RB＝________Ω，结合图1可知待测磁场的磁感应强度B＝________T．

    (3)试结合图1简要回答，磁感应强度B在0～0.2T和0.4～1.0T范围内磁敏电阻阻值的变化规律有何不同？

    (4)某同学查阅相关资料时看到了图3所示的磁敏电阻在一定温度下的电阻－磁感应强度特性曲线(关于纵轴对称)，由图线可以得到什么结论？

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    2007年诺贝尔物理学奖授予了两位发现“巨磁电阻”效应的物理学家。材料的电阻随磁场的增加而增大的现象称为磁阻效应，利用这种效应可以测量磁感应强度。

      若图1为某磁敏电阻在室温下的电阻-磁感应强度特性曲线，其中RB、RO分别表示有、无磁敏电阻的阻值。为了测量磁感应强度B，需先测量磁敏电阻处于磁场中的电阻值RB。请按要求完成下列实验。

    （1）设计一个可以测量磁场中该磁敏电阻阻值的电路，在图2的虚线框内画出实验电路原理图（磁敏电阻及所处磁场已给出，待测磁场磁感应强度大小约为0.6～1.0T，不考虑磁场对电路其它部分的影响）。要求误差较小。

         提供的器材如下：

         A.磁敏电阻，无磁场时阻值

         B.滑动变阻器R，全电阻约

         C.电流表，量程2.5mA,内阻约

         D.电压表，量程3V，内阻约3k

         E.直流电源E，电动势3V，内阻不计

         F.开关S，导线若干

    （2）正确接线后，将磁敏电阻置入待测磁场中，测量数据如下表：

    1

    2

    3

    4

    5

    6

    U（V）

    0.00

    0.45

    0.91

    1.50

    1.79

    2.71

    I（mA）

    0.00

    0.30

    0.60

    1.00

    1.20

    1.80

    根据上表可求出磁敏电阻的测量值RB=          ，结合图1可知待测磁场的磁感

    应强度B＝           T。

    （3）试结合图1简要回答，磁感应强度B在0～0.2T和0.4～1.0T范围内磁敏电阻阻值的变化规律有何不同？

    （4）某同学查阅相关资料时看到了图3所示的磁敏电阻在一定温度下的电阻-磁感应强度特性曲线（关于纵轴对称），由图线可以得到什么结论？

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    2007年诺贝尔物理学奖授予了两位发现“巨磁电阻”效应的物理学家。材料的电阻随磁场的增加而增大的现象称为磁阻效应，利用这种效应可以测量磁感应强度。
    若图1为某磁敏电阻在室温下的电阻-磁感应强度特性曲线，其中RB、RO分别表示有、无磁敏电阻的阻值。为了测量磁感应强度B，需先测量磁敏电阻处于磁场中的电阻值RB。请按要求完成下列实验。

    （1）设计一个可以测量磁场中该磁敏电阻阻值的电路，在图2的虚线框内画出实验电路原理图（磁敏电阻及所处磁场已给出，待测磁场磁感应强度大小约为0.6～1.0T，不考虑磁场对电路其它部分的影响）。要求误差较小。
    提供的器材如下：

    A.磁敏电阻，无磁场时阻值
    B.滑动变阻器R，全电阻约
    C.电流表，量程2.5mA,内阻约
    D.电压表，量程3V，内阻约3k
    E.直流电源E，电动势3V，内阻不计
    F.开关S，导线若干
    （2）正确接线后，将磁敏电阻置入待测磁场中，测量数据如下表：

     
    		1
    		2
    		3
    		4
    		5
    		6
    U（V）
    		0.00
    		0.45
    		0.91
    		1.50
    		1.79
    		2.71
    I（mA）
    		0.00
    		0.30
    		0.60
    		1.00
    		1.20
    		1.80
    根据上表可求出磁敏电阻的测量值RB=         ，结合图1可知待测磁场的磁感
    应强度B＝          T。
    （3）试结合图1简要回答，磁感应强度B在0～0.2T和0.4～1.0T范围内磁敏电阻阻值的变化规律有何不同？
    （4）某同学查阅相关资料时看到了图3所示的磁敏电阻在一定温度下的电阻-磁感应强度特性曲线（关于纵轴对称），由图线可以得到什么结论？

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    2007年诺贝尔物理学奖授予了两位发现“巨磁电阻”效应的物理学家。材料的电阻随磁场的增加而增大的现象称为磁阻效应，利用这种效应可以测量磁感应强度。
    若图1为某磁敏电阻在室温下的电阻-磁感应强度特性曲线，其中RB、RO分别表示有、无磁敏电阻的阻值。为了测量磁感应强度B，需先测量磁敏电阻处于磁场中的电阻值RB。请按要求完成下列实验。

    （1）设计一个可以测量磁场中该磁敏电阻阻值的电路，在图2的虚线框内画出实验电路原理图（磁敏电阻及所处磁场已给出，待测磁场磁感应强度大小约为0.6～1.0T，不考虑磁场对电路其它部分的影响）。要求误差较小。
    提供的器材如下：

    A.磁敏电阻，无磁场时阻值
    B.滑动变阻器R，全电阻约
    C.电流表，量程2.5mA,内阻约
    D.电压表，量程3V，内阻约3k
    E.直流电源E，电动势3V，内阻不计
    F.开关S，导线若干
    （2）正确接线后，将磁敏电阻置入待测磁场中，测量数据如下表：
     
    		1
    		2
    		3
    		4
    		5
    		6
    U（V）
    		0.00
    		0.45
    		0.91
    		1.50
    		1.79
    		2.71
    I（mA）
    		0.00
    		0.30
    		0.60
    		1.00
    		1.20
    		1.80
    根据上表可求出磁敏电阻的测量值RB=         ，结合图1可知待测磁场的磁感
    应强度B＝          T。
    （3）试结合图1简要回答，磁感应强度B在0～0.2T和0.4～1.0T范围内磁敏电阻阻值的变化规律有何不同？
    （4）某同学查阅相关资料时看到了图3所示的磁敏电阻在一定温度下的电阻-磁感应强度特性曲线（关于纵轴对称），由图线可以得到什么结论？

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    2007年诺贝尔物理学奖授予了两位发现“巨磁电阻”效应的物理学家。材料的电阻随磁场的增加而增大的现象称为磁阻效应，利用这种效应可以测量磁感应强度。

      若图1为某磁敏电阻在室温下的电阻-磁感应强度特性曲线，其中RB、RO分别表示有、无磁敏电阻的阻值。为了测量磁感应强度B，需先测量磁敏电阻处于磁场中的电阻值RB。请按要求完成下列实验。

    （1）设计一个可以测量磁场中该磁敏电阻阻值的电路，在图2的虚线框内画出实验电路原理图（磁敏电阻及所处磁场已给出，待测磁场磁感应强度大小约为0.6～1.0T，不考虑磁场对电路其它部分的影响）。要求误差较小。

         提供的器材如下：

         A.磁敏电阻，无磁场时阻值

         B.滑动变阻器R，全电阻约

         C.电流表，量程2.5mA,内阻约

         D.电压表，量程3V，内阻约3k

         E.直流电源E，电动势3V，内阻不计

         F.开关S，导线若干

    （2）正确接线后，将磁敏电阻置入待测磁场中，测量数据如下表：

    1

    2

    3

    4

    5

    6

    U（V）

    0.00

    0.45

    0.91

    1.50

    1.79

    2.71

    I（mA）

    0.00

    0.30

    0.60

    1.00

    1.20

    1.80

    根据上表可求出磁敏电阻的测量值RB=          ，结合图1可知待测磁场的磁感应强度B＝           T。

    （3）试结合图1简要回答，磁感应强度B在0～0.2T和0.4～1.0T范围内磁敏电阻阻值的变化规律有何不同？

    （4）某同学查阅相关资料时看到了图3所示的磁敏电阻在一定温度下的电阻-磁感应强度特性曲线（关于纵轴对称），由图线可以得到什么结论？

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