两个质量分别为M1和M2的劈A和B.高度相同.放在光滑水平面上.A和B的倾斜面都是光滑曲面.曲面下端与水平面相切.如上图所示.一质量为m的物块位于劈A的倾斜面上.距水平面的高度为h.物块从静止开始滑下.然后又滑上劈B.求物块在B上能够达到的最大高度. [解析] 设物块到达劈A的底端时.物块和A的速度大小分别为v和V.由机械能守恒和动量守恒得 mgh=mv2+M1V2① M1v=mv② 设物块在劈B上达到的最大高度为h′.此时物块和B的共同速度大小为V′.由机械能守恒和动量守恒得 mgh′+(M2+m)V′2=mv2③ mv=(M2+m)V′④ 联立①②③④得h′=h⑤ [答案] 查看更多

 

题目列表(包括答案和解析)

(2009年高考广东卷)硅光电池是利用光电效应原理制成的器件,下列表述正确的是(  )

A.硅光电池是把光能转变为电能的一种装置

B.硅光电池中吸收了光子能量的电子都能逸出

C.逸出的光电子的最大初动能与入射光的频率无关

D.任意频率的光照射到硅光电池上都能产生光电效应

 

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(2009年高考福建理综卷改编)如图9-3-14所示,固定放置在同一水平面内的两根平行长直金属导轨的间距为d,其右端接有阻值为R的电阻,整个装置处在竖直向上磁感应强度大小为B的匀强磁场中.一质量为m(质量分布均匀)的导体杆ab垂直于导轨放置,且与两导轨保持良好接触,杆与导轨之间的动摩擦因数为μ.现杆在水平向左、垂直于杆的恒力F作用下从静止开始沿导轨运动距离l时,速度恰好达到最大(运动过程中杆始终与导轨保持垂直).设杆接入电路的电阻为r,导轨电阻不计,重力加速度大小为g.则此过程(  )

图9-3-14

A.杆的速度最大值为

B.流过电阻R的电量为

C.恒力F做的功与摩擦力做的功之和等于杆动能的变化量

D.恒力F做的功与安培力做的功之和等于杆动能的变化量

 

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(2009年高考辽宁、宁夏理综卷)关于光电效应,下列说法正确的是(  )

A.极限频率越大的金属材料逸出功越大

B.只要光照射的时间足够长,任何金属都能产生光电效应

C.从金属表面出来的光电子的最大初动能越大,这种金属的逸出功越小

D.入射光的光强一定时,频率越高,单位时间内逸出的光电子数就越多

 

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(2009年高考全国卷Ⅱ)图2-7-19甲为测量某电源电动势和内阻时得到的UI图线.用此电源与三个阻值均为3 Ω的电阻连接成电路,测得路端电压为4.8 V.则该电路可能为图乙中的(  )

图2-7-19.

 

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(2009年高考重庆理综卷)密闭有空气的薄塑料瓶因降温而变扁,此过程中瓶内空气(不计分子势能)(  )

A.内能增大,放出热量       B.内能减小,吸收热量

C.内能增大,对外界做功     D.内能减小,外界对其做功

 

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同步练习册答案