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    13．如下图甲所示.ABCD-abcd为一放于水平面上的长方体槽.上端开口.ABba.CDdc面为两铜板.其他面为绝缘板.槽中盛满导电液体(设该液体导电时不发生电解)．现在质量不计的细铜丝的下端固定一铁球构成一单摆.铜丝的上端可绕O点摆动.O点在槽中心的正上方.摆球摆动平面与AB垂直.在两铜板上接上图示的电源.电源内阻可忽略.电动势E＝8 V.将电源负极和细铜丝的上端点分别连接到记忆示波器的“地 和“Y 输入端(记忆示波器的输入电阻可视为无穷大)．假设摆球在导电液中做简谐运动.示波器的电压波形如下图乙所示． (1)求单摆的摆长(已知π2＝10.g＝10 m/s2), (2)设AD边长为4 cm.则摆动过程中摆球偏离CD板的最大距离和最小距离(忽略铜丝对导电液中电场的影响)． [解析] (1)由图乙可知单摆的周期为T＝1 s. 由T＝2π 得.l＝＝ m＝0.25 m. (2)摆动过程中电压最大为6 V.该电压与摆球偏离CD板的距离Δl成正比.有＝.其中lAD＝4 cm.U＝6 V.E＝8 V.解得Δl＝3 cm.此值即为摆球偏离CD板的最大距离．同理可得.摆球偏离CD板的最小距离为1 cm. [答案] 3 cm 1 cm 【查看更多】

     

    题目列表(包括答案和解析)

    如图甲所示，abcd为导体做成的框架，其平面与水平面成θ角，质量为m的导体棒PQ与ab、cd接触良好，回路的总电阻为R，整个装置放在垂直于框架平面的变化磁场中，磁场的磁感应强度B的变化情况如图乙所示（取图中B的方向为正方向）．而PQ始终保持静止．则下列关于PQ与框架间的摩擦力在时间0～t1内的变化情况的说法中，有可能正确的是（　　）
    A．一直不变B．一直减小
    C．先减小，后增大D．先增大，后减小
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    如图甲所示，abcd为导体做成的框架，其平面与水平面成θ角，质量为m的导体棒PQ与ab、cd接触良好，回路的总电阻为R，整个装置放在垂直于框架平面的变化磁场中，磁场的磁感应强度B的变化情况如图乙所示（取图中B的方向为正方向）．而PQ始终保持静止．则下列关于PQ与框架间的摩擦力在时间0～t1内的变化情况的说法中，有可能正确的是（ ）

    A．一直不变
    B．一直减小
    C．先减小，后增大
    D．先增大，后减小

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    如图甲所示，abcd为导体做成的框架，其平面与水平面成θ角，质量为m的导体棒PQ与ab、cd接触良好，回路的总电阻为R，整个装置放在垂直于框架平面的变化磁场中，磁场的磁感应强度B的变化情况如图乙所示（取图中B的方向为正方向）．而PQ始终保持静止．则下列关于PQ与框架间的摩擦力在时间0～t1内的变化情况的说法中，有可能正确的是（ ）

    A．一直不变
    B．一直减小
    C．先减小，后增大
    D．先增大，后减小

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    如图甲所示，abcd为导体做成的框架，其平面与水平面成θ角，质量为m的导体棒PQ与ab、cd接触良好，回路的总电阻为R，整个装置放在垂直于框架平面的变化磁场中，磁场的磁感应强度B的变化情况如图乙所示（取图中B的方向为正方向）．而PQ始终保持静止．则下列关于PQ与框架间的摩擦力在时间0～t1内的变化情况的说法中，有可能正确的是（ ）

    A．一直不变
    B．一直减小
    C．先减小，后增大
    D．先增大，后减小

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    如图甲所示，abcd为导体做成的框架，其平面与水平面成θ角，质量为m的导体棒PQ与ab、cd接触良好，回路的总电阻为R，整个装置放在垂直于框架平面的变化磁场中，磁场的磁感应强度B的变化情况如图乙所示（取图中B的方向为正方向）。而PQ始终保持静止。则下列关于PQ与框架间的摩擦力在时间0～t1内变化情况的说法中，可能正确的是  

    A．一直不变               B．一直减小            C．先减小，后增大     D．一直增大

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