如图所示.宽为d的有界匀强磁场的磁感应强度为B.MM.和NN'是它的两平行边界.现有质量为M.电量为Q的带负电粒子.沿图示方向射人磁场.要使粒子不从边界NN'射出.粒子入射速率V应满足的条件 · 查看更多

 

题目列表(包括答案和解析)

如图所示,宽为d的有界匀强磁场的边界为PP′、QQ′,一个质量为m、电荷量为q的微观粒子沿图示方向以速度V0垂直射入磁场,磁感应强度为B,要使粒子不能从边界QQ′射出,粒子的入射速度V0的最大值可能是下面给出的(  ) 
①Bqd/m  ②2qBd/m  ③2qBd/3m  ④qBd/3m.

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如图所示,宽为d的有界匀强磁场竖直向下穿过光滑的水平桌面,一质量为m的矩形导体框平放在桌面上,矩形导体框的长边(长为L)平行磁场边界,短边长度小于d  。 现给导体框一个初速度v0 (v0垂直磁场边界),导体框全部位于磁场中时的速度为v,导体框全部出磁场后的速度为 v1(v1≠0);导体框进入磁场过程中产生的焦耳热为Q1 ,导体框离开磁场过程中产生的焦耳热为 Q2 。下列说法正确的是   (   )

A.导体框离开磁场过程中,感应电流的方向为逆时针方向

B.v = ( v0+ v1 )

C. Q2  = 2 Q1

D. Q1 + Q2= m v02

 

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如图所示,宽为d的有界匀强磁场竖直向下穿过光滑的水平桌面,一质量为m的矩形导体框平放在桌面上,矩形导体框的长边(长为L)平行磁场边界,短边长度小于d  。 现给导体框一个初速度v0 (v0垂直磁场边界),导体框全部位于磁场中时的速度为v,导体框全部出磁场后的速度为 v1(v1≠0);导体框进入磁场过程中产生的焦耳热为Q1 ,导体框离开磁场过程中产生的焦耳热为 Q2 。下列说法正确的是   (   )

A.导体框离开磁场过程中,感应电流的方向为逆时针方向

B.v = ( v0+ v1 )

C. Q2  = 2 Q1

D. Q1 + Q2= m v02

 

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如图所示,宽为d的有界匀强磁场的边界为PP′、QQ′,一个质量为m、电荷量为q的微观粒子沿图示方向以速度v0垂直射入磁场,磁感应强度为B.要使粒子不能从边界QQ′射出,粒子的入射速度v0的最大值可能是下面给出的[ ]

Bqd/m  ②2qBd/m  ③2qBd/3m  ④qBd/3m

A.①②                    B.②③

C.③④                    D.②④

 

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如图所示,宽为d的有界匀强磁场的边界为PP′、QQ′,一个质量为m、电荷量为q的微观粒子沿图示方向以速度v0垂直射入磁场,磁感应强度为B.要使粒子不能从边界QQ′射出,粒子的入射速度v0的最大值可能是下面给出的[ ]

Bqd/m  ②2qBd/m  ③2qBd/3m  ④qBd/3m

A.①②                    B.②③

C.③④                    D.②④

 

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