如图所示，有理想边界的两个匀强磁场，磁感应强度B=0.5T，两边界间距s=0.1m．一边长 L=0.2m的正方形线框abcd由粗细均匀的电阻丝围成，总电阻R=0.4Ω。现使线框以v=2m/s的速度从位置I匀速运动到位置Ⅱ。

1.求cd边未进入右方磁场时线框所受安培力的大小．

2.求整个过程中线框所产生的焦耳热．

3.在坐标图中画出整个过程中线框a、b两点的电势差U_ab随时间t变化的图线．

如图所示，有理想边界的两个匀强磁场，磁感应强度B=0.5T，两边界间距s=0.1m．一边长 L=0.2m的正方形线框abcd由粗细均匀的电阻丝围成，总电阻R=0.4Ω。现使线框以v=2m/s的速度从位置I匀速运动到位置Ⅱ。

【小题1】求cd边未进入右方磁场时线框所受安培力的大小．
【小题2】求整个过程中线框所产生的焦耳热．
【小题3】在坐标图中画出整个过程中线框a、b两点的电势差U_ab随时间t变化的图线．

如图所示，有理想边界的两个匀强磁场，磁感应强度B=0.5T，两边界间距s=0.1m．一边长 L=0.2m的正方形线框abcd由粗细均匀的电阻丝围成，总电阻R=0.4Ω。现使线框以v=2m/s的速度从位置I匀速运动到位置Ⅱ。

1.求cd边未进入右方磁场时线框所受安培力的大小．

2.求整个过程中线框所产生的焦耳热．

3.在坐标图中画出整个过程中线框a、b两点的电势差U_ab随时间t变化的图线．

(1)求cd边未进入右方磁场时线框所受安培力的大小；

(2)求整个过程中线框所产生的焦耳热；

(3)在坐标图中画出整个过程中线框a、b两点的电势差U_ab随时间t变化的图线．