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    11．一导体材料样品的体积为a×b×c.A/.C.A.C /为其四个侧面.如图所示．已知导体样品中载流子是自由电子.且单位体积中的自由电子数为n.电子的电荷量为e．将该导体样品放在匀强磁场中.磁场方向沿z轴正方向.导体中通有沿x方向电流I． (1)导体中自由电子定向移动的速率是 ▲ , (2)导体板侧面C的电势 ▲ 侧面C /的电势 (3)若测得CC /两面的电势差为U.计算匀强磁场的磁感应强度．(本小题要写出计算过程和结果.只写出最后答案的不能得分．) 【查看更多】

     

    题目列表(包括答案和解析)

    半导体材料硅中掺砷后成为N型半导体，它的自由电子的浓度大大增加，导电能力也大大增加。一块N型半导体的样品的体积为a×b×c，A′、C、A、C′为其四个侧面，如图所示。已知半导体样品单位体积中的电子数为n，电阻率为ρ，电子的电荷量为e。将半导体样品放在匀强磁场中，磁场方向沿Z轴正方向，并沿x方向通有电流I。求：?

    （1）在半导体A′A两个侧面的电压是多少？?

    （2）半导体中的自由电子定向移动的平均速率是多少？?

    （3）C、C′两个侧面哪个面电势较高？?

    （4）若测得C、C′两面的电势差为U，匀强磁场的磁感应强度是多少？???

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    半导体材料硅中掺砷后成为N型半导体，它的自由电子的浓度大大增加，导电能力也大大增加。一块N型半导体的样品的体积为a×b×c，A′、C、A、C′为其四个侧面，如图所示。已知半导体样品单位体积中的电子数为n，电阻率为ρ，电子的电荷量为e。将半导体样品放在匀强磁场中，磁场方向沿Z轴正方向，并沿x方向通有电流I。求：?

    （1）在半导体A′A两个侧面的电压是多少？?

    （2）半导体中的自由电子定向移动的平均速率是多少？?

    （3）C、C′两个侧面哪个面电势较高？?

    （4）若测得C、C′两面的电势差为U，匀强磁场的磁感应强度是多少？???

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    半导体材料硅中掺砷后成为N型半导体，它的自由电子的浓度大大增加，导电能力也大大增加。一块N型半导体的样品的体积为a×b×c，A′、C、A、C′为其四个侧面，如图所示。已知半导体样品单位体积中的电子数为n，电阻率为，电子的电荷量为e。将半导体样品放在匀强磁场中，磁场方向沿Z轴正方向，并沿x方向通有电流I。求：

       （1）在半导体A′A两个侧面的电压是多少？

       （2）半导体中的自由电子定向移动的平均速率是多少？

    （3）C、C′两个侧面哪个面电势较高？

       （4）若测得C、C′两面的电势差为U，匀强磁场的磁感应强

    度是多少？

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    半导体材料硅中掺砷后成为N型半导体，它的自由电子的浓度大大增加，导电能力也大大增加．一块N型半导体的样品的体积为a×b×c，A’、C、A、C’为其四个侧面，如图所示．已知半导体样品单位体积中的电子数为n，电阻率为ρ，电子的电荷量为e．将半导体样品放在匀强磁场中，磁场方向沿Z轴正方向，并沿x方向通有电流I．求：
    （1）加在半导体A’A两个侧面的电压是多少？
    （2）半导体中的自由电子定向移动的平均速率是多少？
    （3）C、C’两个侧面哪个面电势较高？
    （4）若测得C、C’两面的电势差为U，匀强磁场的磁感应强度是多少？

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    （2006?东城区一模）半导体材料硅中掺砷后成为N型半导体，它的自由电子的浓度大大增加，导电能力也大大增加．一块N型半导体的样品的体积为a×b×c，A’、C、A、C’为其四个侧面，如图所示．已知半导体样品单位体积中的电子数为n，电阻率为ρ，电子的电荷量为e．将半导体样品放在匀强磁场中，磁场方向沿Z轴正方向，并沿x方向通有电流I．求：
    （1）加在半导体A’A两个侧面的电压是多少？
    （2）半导体中的自由电子定向移动的平均速率是多少？
    （3）C、C’两个侧面哪个面电势较高？
    （4）若测得C、C’两面的电势差为U，匀强磁场的磁感应强度是多少？

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