如图所示,在置于匀强磁场中的U型导轨上,导体棒MN在恒定外力F的作用下以速度v=4m/s向右匀速运动,已知磁感应强度B=0.5T,方向垂直导轨平面向外,导轨间距L=50cm,电路中的电阻R=0.5Ω,MN的有效电阻为r=0.5Ω,其余部分电阻不计.求: (1)导体MN中感应电动势E的大小, (2)导体MN两端的电压, (3)电路中产生的电功率. 查看更多

 

题目列表(包括答案和解析)

如图所示,在置于匀强磁场中的U型导轨上,导体棒MN在恒定外力F的作用下以速度v=4m/s向右匀速运动,已知磁场的磁感应强度B=1T,方向垂直导轨平面(纸面)向外,导轨间距L=1m,电路中的电阻R=0.5Ω,MN的有效电阻为r=0.5Ω,其余部分电阻不计.则导体棒MN中感应电动势E=     V,外力F的功率=       W

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如图所示,在置于匀强磁场中的U型导轨上,导体棒MN在恒定外力F的作用下以速度v=4m/s向右匀速运动,已知磁场的磁感应强度B=1T,方向垂直导轨平面(纸面)向外,导轨间距L=1m,电路中的电阻R=0.5Ω,MN的有效电阻为r=0.5Ω,其余部分电阻不计.则导体棒MN中感应电动势E=
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V,外力F的功率=
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W.

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精英家教网如图所示,M′MNN′为放置在粗糙绝缘水平面上的U型金属框架,MM′和NN′相互平行且足够长,间距l=0.40m,质量M=0.20kg.质量m=0.10kg的导体棒ab垂直于MM′和NN′放在框架上,导体棒与框架的摩擦忽略不计.整个装置处于竖直向下的匀磁场中,磁感应强度B=0.50T.t=0时,垂直于导体棒ab施加一水平向右的恒力F=2.0N,导体棒ab从静止开始运动;当t=t1时,金属框架将要开始运动,此时导体棒的速度v1=6.0m/s;经过一段时间,当t=t2时,导体棒ab的速度v2=12.0m/s;金属框架的速度v3=0.5m/s.在运动过程中,导体棒ab始终与MM′和NN′垂直且接触良好.已知导体棒ab的电阻r=0.30Ω,框架MN部分的阻值R=0.10Ω,其余电阻不计.设框架与水平面间的最大静摩擦力等于滑动摩擦力,g取10m/s2.求:
(1)求动摩擦因数μ;
(2)当t=t2时,求金属框架的加速度;
(3)若在0~t1这段时间内,MN上产生的热量Q=0.10J,求该过程中导体棒ab位移x的大小.

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如图所示,M′MNN′为放置在粗糙绝缘水平面上的U型金属框架,MM′和NN′相互平行且足够长,间距l=0.40m,质量M=0.20kg。质量m=0.10kg的导体棒ab垂直于MM′和NN′放在框架上,导体棒与框架的摩擦忽略不计。整个装置处于竖直向下的匀磁场中,磁感应强度B=0.50T。t=0时,垂直于导体棒ab施加一水平向右的恒力F=2.0N,导体棒ab从静止开始运动;当t=t1时,金属框架将要开始运动,此时导体棒的速度v1=6.0m/s;经过一段时间,当t=t2时,导体棒ab的速度v2=12.0m/s;金属框架的速度v3=0.5m/s。在运动过程中,导体棒ab始终与MM′和NN′垂直且接触良好。已知导体棒ab的电阻r=0.30Ω,框架MN部分的阻值R=0.10Ω,其余电阻不计。设框架与水平面间的最大静摩擦力等于滑动摩擦力,g取10m/s2。求:

(1)求动摩擦因数μ;

(2)当t=t2时,求金属框架的加速度;

(3)若在0~t1这段时间内,MN上产生的热量 Q=0.10J,求该过程中导体棒ab位移x的 大小。

 

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如图所示,M′MNN′为放置在粗糙绝缘水平面上的U型金属框架,MM′和NN′相互平行且足够长,间距l=0.40m,质量M=0.20kg。质量m=0.10kg的导体棒ab垂直于MM′和NN′放在框架上,导体棒与框架的摩擦忽略不计。整个装置处于竖直向下的匀磁场中,磁感应强度B=0.50T。t=0时,垂直于导体棒ab施加一水平向右的恒力F=2.0N,导体棒ab从静止开始运动;当t=t1时,金属框架将要开始运动,此时导体棒的速度v1=6.0m/s;经过一段时间,当t=t2时,导体棒ab的速度v2=12.0m/s;金属框架的速度v3=0.5m/s。在运动过程中,导体棒ab始终与MM′和NN′垂直且接触良好。已知导体棒ab的电阻r=0.30Ω,框架MN部分的阻值R=0.10Ω,其余电阻不计。设框架与水平面间的最大静摩擦力等于滑动摩擦力,g取10m/s2。求:

(1)求动摩擦因数μ;
(2)当t=t2时,求金属框架的加速度;
(3)若在0~t1这段时间内,MN上产生的热量 Q=0.10J,求该过程中导体棒ab位移x的 大小。

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