电磁流量计广泛应用于测量可导电流体在管中的流量(在单位时间内通过管内横截面的流体的体积).为了简化.假设流量计是如图所示的横截面为长方形的一段管道.其中空部分长.宽.高分别为图中的a.b.c.流量计的两端与输送液体的管道相连接.图中流量计的上下两面是金属材料.前后两面是绝缘材料.现于流量计所在处加磁感应强度为B的匀强磁场.磁场方向垂直于前后两面.当导电液体稳定的流经流量计时.在管外将流量计上下两表面分别与一串接了电阻R的电流表的两端连接.I表示测得的电流值.已知流体的电阻率为ρ.不计电流表的内阻.则可求得流量为 ( ) A. B. C. D. 2.如图所示,匀强磁场中放置有固定的abc金属框架,导体棒ef在框架上匀速向右平移,框架和棒所用材料.横截面积均相同,摩擦阻力忽略不计.那么在ef,棒脱离框架前,保持一定数值的物理量是. (A)ef棒所受的拉力 (B)电路中的磁通量 (C)电路中的感应电流 (D)电路中的感应电动势 3.右图表示一交流电的电流随时间而变化的图像,此交流电流的有效值是( ). (A)A A(D)3.5A 4.电磁流量计如图所示,用非磁性材料做成的圆管道,外加一匀强磁场.当管道中导电液体流过此区域时,测出管壁上a.b两点间的电动势为ε,就可知道管中液体的流量Q,即单位时间内流过管道横截面的液体体积(m3/s).已知管道直径为D,磁场的磁感应强度为B,则Q与ε间的关系为 . 5..如图16所示.水平地面上方的H高区域内有匀强磁场.水平界面PP'是磁场的上边界.磁感应强度为B.方向是水平的.垂直于纸面向里.在磁场的正上方.有一个位于竖直平面内的闭合的矩形平面导线框abcd.ab长为l1.bc长为l2.H>l2.线框的质量为m.电阻为R.使线框abcd从高处自由落下.ab边下落的过程中始终保持水平.已知线框进入磁场的过程中的运动情况是:cd边进入磁场以后.线框先做加速运动.然后做匀速运动.直到ab边到达边界PP'为止.从线框开始下落到cd边刚好到达水平地面的过程中.线框中产生的焦耳热为Q.求: (1)线框abcd在进入磁场的过程中.通过导线的某一横截面的电量是多少? (2)线框是从cd边距边界PP'多高处开始下落的? (3)线框的cd边到达地面时线框的速度大小是多少? 图16 武汉市二十九中2008-2009学年 查看更多

 

题目列表(包括答案和解析)

电磁流量计广泛应用于测量可导电流体(如污水)在管中的流量(在单位时间内通过管内横截面的流体的体积).为了简化,假设流量计是如图1-2-21所示的横截面为长方形的一段管道,其中空部分的长、宽、高分别为图中的a、b、c.流量计的两端与输送流体的管道相连接,如图中虚线.流量计上下两面是金属材料,前后两面是绝缘材料.现于流量计所在处加磁感应强度为B的匀强磁场,磁场方向垂直于前后两面.当导电流体稳定地流经流量计时,在管外将流量计上、下两表面分别与一已串接了电阻R的电流表的两端连接.I表示测得的电流值,已知流体的电阻率为ρ,不计电流表的内阻,则可求得的流量为(    )

1-2-21

A.                      B.

C.                      D.

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电磁流量计广泛应用于测量可导电流体(如污水)在管中的流量(在单位时间内通过管内横截面的流体的体积).为了简化,假设流量计是如图6-1-3所示的横截面为长方形的一段管道,其中空部分的长、宽、高分别为图中的a、b、c.流量计的两端与输送流体的管道相连(图6-1-3中虚线).图中流量计的上下两面是金属材料,前后两面是绝缘材料.现于流量计所在处加磁感应强度为B的匀强磁场,磁场方向垂直于前后两面.当导电流体稳定地流经流量计时,在管外将流量计上、下两表面分别与一串接了电阻R的电流表的两端连接,I表示测得的电流值.已知流体的电阻率为ρ,不计电流表的内阻,则可求得流量为(    )

图6-1-3

A.(bR+ρ)                       B.(aR+ρ)

C.(cR+ρ)                          D.(R+ρ)

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电磁流量计广泛应用于测量可导电流体(如污水)在管中的流量(在单位时间内通过管内横截面的流体的体积).为了简化,假设流量计是如图6-1-3所示的横截面为长方形的一段管道,其中空部分的长、宽、高分别为图中的a、b、c.流量计的两端与输送流体的管道相连(图6-1-3中虚线).图中流量计的上下两面是金属材料,前后两面是绝缘材料.现于流量计所在处加磁感应强度为B的匀强磁场,磁场方向垂直于前后两面.当导电流体稳定地流经流量计时,在管外将流量计上、下两表面分别与一串接了电阻R的电流表的两端连接,I表示测得的电流值.已知流体的电阻率为ρ,不计电流表的内阻,则可求得流量为(  )

图6-1-3

A.(bR+ρ)           B.(aR+ρ)

C.(cR+ρ)             D.(R+ρ)

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霍尔效应是电磁基本现象之一,在现代汽车上广泛应用霍尔器件:ABS系统 中的速度传感器、汽车速度表等.如图1,在一矩形半导体薄片的P、Q间通入电流I,同时外加与薄片垂直的磁场B,在M、N间出现电压UH,这个现象称为霍尔效应,UH称为霍尔电压,且满足UH=k
IB
d
,式中k为霍尔系数,由半导体材料的性质决定,d为薄片的厚度.利用霍尔效应可以测出磁场中某处的磁感应强度B.
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(1)为了便于改变电流方向作研究,设计如图2的测量电路,S1、S2均为单刀双掷开关,虚线框内为半导体薄片(未画出).为使电流从P端流入,Q端流出,应将S1掷向
 
(填“a”或“b”),S2掷向
 
(填“c”或“d”).
(2)已知某半导体薄片厚度d=0.40mm,霍尔系数为1.5×10-3V?m?A-1?T-1,保持待测磁场磁感应强度B不变,改变电流I的大小,测量相应的UH值,记录数据如表.
I(×10-3A) 3.0 6.0 9.0 12.0 15.0 18.0
UH(×10-3V) 1.1 1.9 3.4 4.5 6.2 6.8
根据表中数据在给定区域内图3中画出UH-I图线,利用图线求出待测磁场B为
 
T.
(3)利用上述方法,可以粗略测出磁场的分布.为了更精细测出磁场的分布,可采取的措施有
 

(A)选用厚度较薄的半导体薄片
(B)选用厚度较厚的半导体薄
(C)选用霍尔系数k大的半导体薄片
(D)增大电流强度I.

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同步练习册答案