如图甲，两光滑的平行导轨MON与PO^/Q，其中ON、O^/Q部分是水平的，倾斜部分与水平部分用光滑圆弧连接，QN两点间连电阻R, 导轨间距为L． 水平导轨处有两个匀强磁场区域Ⅰ、Ⅱ（分别是cdef和hgjk虚线包围区），磁场方向垂直于导轨平面竖直向上，Ⅱ区是磁感强度Ｂ_０的恒定的磁场，Ⅰ区磁场的宽度为x₀，磁感应强度随时间变化。一质量为m，电阻为R的导体棒垂直于导轨放置在磁场区中央位置，t=0时刻Ⅰ区磁场的磁感强度从Ｂ₁大小开始均匀减小至零，变化如图乙所示，导体棒在磁场力的作用下运动的v-t图象如图丙所示。

   （1）求出t=0时刻导体棒运动加速度a。

   （2）求导体棒穿过Ⅰ区磁场边界过程安培力所做的功和将要穿出时刻电阻R的电功率。

   （3）根据导体棒运动图象，求棒的最终位置和在0-t₂时间内通过棒的电量。

 如图甲，两光滑的平行导轨MON与PO^/Q，其中ON、O^/Q部分是水平的，倾斜部分与水平部分用光滑圆弧连接，QN两点间连电阻R,导轨间距为L. 水平导轨处有两个匀强磁场区域Ⅰ、Ⅱ（分别是cdef和hgjk虚线包围区），磁场方向垂直于导轨平面竖直向上，Ⅱ区是磁感强度Ｂ_０的恒定的磁场，Ⅰ区磁场的宽度为x₀，磁感应强度随时间变化。一质量为m，电阻为R的导体棒垂直于导轨放置在磁场区中央位置，t=0时刻Ⅰ区磁场的磁感强度从Ｂ₁大小开始均匀减小至零，变化如图乙所示，导体棒在磁场力的作用下运动的v-t图象如图丙所示。

（1）求出t=0时刻导体棒运动加速度a。

（2）求导体棒穿过Ⅰ区磁场边界过程安培力所做的功和将要穿出时刻电阻R的电功率。

（3）根据导体棒运动图象，求棒的最终位置和在0-t₂时间内通过棒的电量。