9.如图相距为L的两光滑平行导轨.平行放置在倾角为θ的斜面上.导轨的右端接有电阻R.斜面处在一匀强磁场B中.磁场方向垂直于斜面向上.质量为m.电阻为2R的金属棒ab放在导轨上.与导轨接触良好.由静止释放.下滑距离S后速度最大.则 A.下滑过程电阻R消耗的最大功率为 B.下滑过程电阻R消耗的最大功率为 C.下滑过程安培力做功 D.下滑过程安培力做功 查看更多

 

题目列表(包括答案和解析)

如图相距为L的两光滑平行导轨,平行放置在倾角为θ的斜面上,导轨的右端接有电阻R(轨道电阻不计),斜面处在一匀强磁场B中,磁场方向垂直于斜面向上,质量为m,电阻为2R的金属棒ab放在导轨上,与导轨接触良好,由静止释放,下滑距离S后速度最大,则(  )

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如图相距为L的两光滑平行导轨,平行放置在倾角为θ的斜面上,导轨的右端接有电阻R(轨道电阻不计),斜面处在一匀强磁场B中,磁场方向垂直于斜面向上,质量为m,电阻为2R的金属棒ab放在导轨上,与导轨接触良好,由静止释放,下滑距离S后速度最大,则(  )
A.下滑过程电阻R消耗的最大功率为
m2g2Sin2θ
B2L2
R
B.下滑过程电阻R消耗的最大功率为
3m2g2Sin2θ
B2L2
R
C.下滑过程安培力做功
9m3g2Sin2θ
2B4L4
R2
D.下滑过程安培力做功mgS?sinθ-
9m3g2Sin2θ
2B4L4
R2

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如图相距为L的两光滑平行导轨,平行放置在倾角为的斜面上,导轨的右端接有电阻R(轨道电阻不计),斜面处在一匀强磁场B中,磁场方向垂直于斜面向上,质量为m,电阻为2R的金属棒ab放在导轨上,与导轨接触良好,由静止释放,下滑距离S后速度最大,则

A.

下滑过程电阻R消耗的最大功率为

B.

下滑过程电阻R消耗的最大功率为

C.

下滑过程安培力做功

D.

下滑过程安培力做功mgS·Sin

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相距为L的两光滑平行导轨与水平面成θ角放置。上端连接一阻值为R的电阻,其余电阻不计.整个装置处在方向竖直向上的匀强磁场中,磁感强度为B,质量为m、电阻为r的导体MN垂直导轨放在导轨上,如图所示。现由静止释放导体MN,求:

(1)MN可达的最大速度vm

(2)当MN速度v=vm/3时的加速度a

(3)回路产生的最大电功率Pm

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相距为L的两光滑平行导轨与水平面成θ角放置.上端连接一阻值为R的电阻,其他电阻不计.整个装置处在方向垂直于导轨平面向上的匀强磁场中,磁感应强度为B.质量为m,电阻为r的导体棒ab,垂直导轨放在导轨上,如图所示.由静止释放导体棒ab,求:

(1)导体棒ab可达的最大速度vm

(2)导体棒ab的速度为v=vm/3时的加速度a;

(3)回路产生的最大电功率Pm

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