20.如图所示.相距为d的两水平虚线p1.p2表示方向垂直纸面向里的匀强磁场的上下边界.磁场的磁感应强度为B.正方形线框abcd的边长为L(L<d).质量为m.电阻为R.线框处在磁场正上方.ab边与虚线p1相距h.线框由静止释放.下落过程中线框平面始终在竖直平面内. 线框的ab边刚进人磁场时的速度和ab边刚离开磁场时的速度相同.在线框从进入到全部穿过磁场的过程中.下列说法正确的是 A.线框克服安培力所做的功为mgd B.线框克服安培力所做的功为mgL C.线框的最小速度为 D.线框的最小速度为 查看更多

 

题目列表(包括答案和解析)

如图所示,相距为d的两水平虚线p1、p2表示方向垂直纸面向里的匀强磁场中的上下边界,磁场的磁感应强度为B,正方形abcd的边长为L(L<d)、质量为m、电阻为R,线框处在磁场正上方,ab边与虚线p1相距h.线框由静止释放,下落过程中线框平面始终在竖直平面内,线框的ab边刚进入磁场时的速度和ab边刚离开磁场时的速度相同.在线框从进入到全部穿过磁场的过程中,下列说法正确的是(  )

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如图所示,相距为d的两水平虚线p1p2表示方向垂直纸面向里的匀强磁场的上下边界,磁场的磁感应强度为B。正方形线框abcd的边长为L(L<d)、质量为m、电阻为R,线框处在磁场正上方,ab边与虚线p1相距h。线框由静止释放,下落过程中线框平面始终在竖直平面内,线框的ab边刚进入磁场时的速度和ab边刚离开磁场时的速度相同。在线框从进入到全部穿过磁场的过程中,下列说法正确的是(    )

A.线框克服安培力所做的功为mgd  B.线框克服安培力所做的功为mgL

C.线框的最小速度为        D.线框的最小速度为

 

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如图所示,相距为d的两水平虚线p1p2表示方向垂直纸面向里的匀强磁场的上下边界,磁场的磁感应强度为B。正方形线框abcd的边长为L(L<d)、质量为m、电阻为R,线框处在磁场正上方,ab边与虚线p1相距h。线框由静止释放,下落过程中线框平面始终在竖直平面内,线框的ab边刚进入磁场时的速度和ab边刚离开磁场时的速度相同。在线框从进入到全部穿过磁场的过程中,下列说法正确的是(    )

A.线框克服安培力所做的功为mgd  B.线框克服安培力所做的功为mgL

C.线框的最小速度为        D.线框的最小速度为

 

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如图所示,相距为d的两水平虚线p1、p2表示方向垂直纸面向里的匀强磁场中的上下边界,磁场的磁感应强度为B.正方形abcd的边长为L(L<d)、质量为m、电阻为R,线框处在磁场正上方,ab边与虚线p1相距h.线框由静止释放,下落过程中线框平面始终在竖直平面内,线框的ab边刚进入磁场时的速度和ab边刚离开磁场时的速度相同.在线框从进入到全部穿过磁场的过程中,下落说法正确的是

A.线框克服安培力所做的功为2mgd

B.线框克服安培力所做的功为mgd                  

C.线框的最小速度为错误!未找到引用源。

D.线框的最小速度为错误!未找到引用源。

 

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如图所示,相距为d的两水平虚线p1、p2表示方向垂直纸面向里的匀强磁场中的上下边界,磁场的磁感应强度为B,正方形abcd的边长为L(L<d)、质量为m、电阻为R,线框处在磁场正上方,ab边与虚线p1相距h.线框由静止释放,下落过程中线框平面始终在竖直平面内,线框的ab边刚进入磁场时的速度和ab边刚离开磁场时的速度相同.在线框从进入到全部穿过磁场的过程中,下列说法正确的是(      )
A.线框克服安培力所做的功为2mgd
B.线框克服安培力所做的功为mgd
C.线框的最小速度一定为
D.线框的最小速度一定为

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