(一)霍尔模型 [例题1]如图所示.厚度为h.宽为d的导体板放在垂直于它的磁感应强度为B的均匀磁场中.当电流通过导体板时.在导体板的上侧面A和下侧面A′之间会产生电势差.这种现象称为霍尔效应.实验表明.当磁场不太强时电势差U.电流I和B的关系为U=kIB/d. 式中的比例系数k称为霍尔系数. 霍尔效应可解释如下:外部磁场的洛伦兹力使运动的电子聚集在导体板的一侧.在导体板的另一侧出现多余的正电荷.从而形成横向电场.横向电场对电子施加与洛伦兹力方向相反的静电力.当静电力与洛伦兹力达到平衡时.导体板上下两侧之间就会形成稳定的电势差. 设电流I是由电子定向流动形成的.电子的平均定向速度为v.电量为e.回答下列问题: (1)达到稳定状态时.导体板上侧面A的电势 下侧面A的电势. (2)电子所受的洛伦兹力的大小为 . (3)当导体板上下两侧之间的电势差为U时.电子所受的静电力的大小为 . (4)由静电力和洛伦兹力平衡的条件.证明霍尔系数K=1/ne.其中n代表导体板单位体积中电子的个数. [例题2](半导体是导电性介于导体和绝缘体之间的材料.参与半导体导电的粒子--载流子有两种:自由电子和空穴.自由电子导电是大家所熟悉的.不过半导体中的自由电子浓度比金属中小得多.“空穴 可以看成是带正电粒子.空穴的定向移动也形成电流.那就是空穴导电.这样我们就可以以参与导电的载流子不同而将半导体分为两类:P型半导体和N型半导体.以空穴导电为主的半导体叫P型半导体.以自由电子导电为主的半导体叫N型半导体.如图所示.是为了检验半导体材料的类型和对材料性能进行测试的装置示意图.图中一块半导体样品板放在垂直于板平面水平向里的匀强磁场中.当有大小为I的恒定电流垂直于磁场方向通过样品板时.在板的上.下两个侧面之间会产生个恒定的电势差. (1)如果测得.则这块样品板的载流子是正电荷还是负电荷?说明理由. (2)设磁场的磁感应强度为B.样品板的厚度为d.宽度为b.每个载流子所带电量的绝对值为e.证明.样品板在单位体积内参与导电的载流子数目为 [例题3]一种半导体材料称为“霍尔材料 .用它制成的元件称为“霍尔元件 .这种材料有可定向移动的电荷.称为“载流子 .每个载流子的电荷量大小为1元电荷.即.霍尔元件在自动检测.控制领域得到广泛应用.如录像机中用来测量录像磁鼓的转速.电梯中用来检测电梯门是否关闭以自动控制升降电动机的电源的通断等. 在一次实验中.一块霍尔材料制成的薄片宽.长.厚.水平放置在竖直向上的磁感强度B=2.0T的匀强磁场中.bc方向通有的电流.如图所示.由于磁场的作用.稳定后.在沿宽度方向上产生的横向电压. (1)假定载流子是电子.a.b两端中哪端电势较高? (2)薄板中形成电流I的载流子定向运动的速率多大? (3)这块霍尔材料中单位体积内的载流子个数为多少? [例题4]1879年美国物理学家霍尔在研究载流导体在磁场中受力性质时.发现了一种前所未知的电磁效应:若将通电导体置于磁场中.磁感应强度B垂直于电流I方向.如图所示.则在导体中垂直于电流和磁场的方向会产生一个横向电势差UH.称其为霍尔电势差.根据这一效应.在测出霍尔电势差UH.导体宽度d.厚度b.电流I及该导体的霍尔系数H(H=1/nq.其中n为单位体积内载流子即定向移动的电荷的数目.q为载流子的电量).可精确地计算出所加磁场的磁感应强度表达式是什么? [例题5]据报道.我国最近实施的“双星 计划所发射的卫星中放置一种磁强计.用于测定地磁场的磁感应强度等研究项目.磁强计的原理如图所示.电路中有一段金属导体.它的横截面是宽为a.高为b的长方形.放在沿y轴正方向的匀强磁场中.导体中通有沿x轴正方向.电流强度为I的电流.已知金属导体单位体积中的自由电子数为n.电子电量为e.金属导电过程中.自由电子所做的定向移动可视为匀速运动.测出金属导体前后两个侧面间的电势差为U. (1)金属导体前后两个侧面哪个电势较高? (2)求磁场磁感应强度B的大小. 查看更多

 

题目列表(包括答案和解析)

1879年美国物理学家霍尔在研究载流导体在磁场中受力情况时,发现了一种新的电磁效应:将导体置于磁场中,并沿垂直磁场方向通入电流,则在导体中垂直于电流和磁场的方向会产生一个横向电势差,这种现象后来被称为霍尔效应,这个横向的电势差称为霍尔电势差。

1.如图甲所示,某长方体导体abcda′b′c′d′的高度为h、宽度为l,其中的载流子为自由电子,其电荷量为e,处在与ab b′a′面垂直的匀强磁场中,磁感应强度为B0。在导体中通有垂直于bcc′b′面的电流,若测得通过导体的恒定电流为I,横向霍尔电势差为UH,求此导体中单位体积内自由电子的个数。

2.对于某种确定的导体材料,其单位体积内的载流子数目n和载流子所带电荷量q均为定值,人们将H=定义为该导体材料的霍尔系数。利用霍尔系数H已知的材料可以制成测量磁感应强度的探头,有些探头的体积很小,其正对横截面(相当于图14甲中的ab b′a′面)的面积可以在0.1cm2以下,因此可以用来较精确的测量空间某一位置的磁感应强度。如图14乙所示为一种利用霍尔效应测磁感应强度的仪器,其中的探头装在探杆的前端,且使探头的正对横截面与探杆垂直。这种仪器既可以控制通过探头的恒定电流的大小I,又可以监测出探头所产生的霍尔电势差UH,并自动计算出探头所测位置磁场的磁感应强度的大小,且显示在仪器的显示窗内。

①在利用上述仪器测量磁感应强度的过程中,对探杆的放置方位有何要求;

②要计算出所测位置磁场的磁感应强度,除了要知道H、I、UH外,还需要知道哪个物理量,并用字母表示。推导出用上述这些物理量表示所测位置磁感应强度大小的表达式。

 

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1879年美国物理学家霍尔在研究载流导体在磁场中受力情况时,发现了一种新的电磁效应:将导体置于磁场中,并沿垂直磁场方向通入电流,则在导体中垂直于电流和磁场的方向会产生一个横向电势差,这种现象后来被称为霍尔效应,这个横向的电势差称为霍尔电势差。

1.如图甲所示,某长方体导体abcda′b′c′d′的高度为h、宽度为l,其中的载流子为自由电子,其电荷量为e,处在与ab b′a′面垂直的匀强磁场中,磁感应强度为B0。在导体中通有垂直于bcc′b′面的电流,若测得通过导体的恒定电流为I,横向霍尔电势差为UH,求此导体中单位体积内自由电子的个数。

2.对于某种确定的导体材料,其单位体积内的载流子数目n和载流子所带电荷量q均为定值,人们将H=定义为该导体材料的霍尔系数。利用霍尔系数H已知的材料可以制成测量磁感应强度的探头,有些探头的体积很小,其正对横截面(相当于图14甲中的ab b′a′面)的面积可以在0.1cm2以下,因此可以用来较精确的测量空间某一位置的磁感应强度。如图14乙所示为一种利用霍尔效应测磁感应强度的仪器,其中的探头装在探杆的前端,且使探头的正对横截面与探杆垂直。这种仪器既可以控制通过探头的恒定电流的大小I,又可以监测出探头所产生的霍尔电势差UH,并自动计算出探头所测位置磁场的磁感应强度的大小,且显示在仪器的显示窗内。

①在利用上述仪器测量磁感应强度的过程中,对探杆的放置方位有何要求;

②要计算出所测位置磁场的磁感应强度,除了要知道H、I、UH外,还需要知道哪个物理量,并用字母表示。推导出用上述这些物理量表示所测位置磁感应强度大小的表达式。

 

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1879年美国物理学家霍尔在研究载流导体在磁场中受力情况时,发现了一种新的电磁效应:将导体置于磁场中,并沿垂直磁场方向通入电流,则在导体中垂直于电流和磁场的方向会产生一个横向电势差,这种现象后来被称为霍尔效应,这个横向的电势差称为霍尔电势差。

1.如图甲所示,某长方体导体abcda′b′c′d′的高度为h、宽度为l,其中的载流子为自由电子,其电荷量为e,处在与ab b′a′面垂直的匀强磁场中,磁感应强度为B0。在导体中通有垂直于bcc′b′面的电流,若测得通过导体的恒定电流为I,横向霍尔电势差为UH,求此导体中单位体积内自由电子的个数。

2.对于某种确定的导体材料,其单位体积内的载流子数目n和载流子所带电荷量q均为定值,人们将H=定义为该导体材料的霍尔系数。利用霍尔系数H已知的材料可以制成测量磁感应强度的探头,有些探头的体积很小,其正对横截面(相当于图14甲中的ab b′a′面)的面积可以在0.1cm2以下,因此可以用来较精确的测量空间某一位置的磁感应强度。如图14乙所示为一种利用霍尔效应测磁感应强度的仪器,其中的探头装在探杆的前端,且使探头的正对横截面与探杆垂直。这种仪器既可以控制通过探头的恒定电流的大小I,又可以监测出探头所产生的霍尔电势差UH,并自动计算出探头所测位置磁场的磁感应强度的大小,且显示在仪器的显示窗内。

①在利用上述仪器测量磁感应强度的过程中,对探杆的放置方位有何要求;

②要计算出所测位置磁场的磁感应强度,除了要知道H、I、UH外,还需要知道哪个物理量,并用字母表示。推导出用上述这些物理量表示所测位置磁感应强度大小的表达式。

 

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1879年美国物理学家霍尔在研究载流导体在磁场中受力情况时,发现了一种新的电磁效应:将导体置于磁场中,并沿垂直磁场方向通入电流,则在导体中垂直于电流和磁场的方向会产生一个横向电势差,这种现象后来被称为霍尔效应,这个横向的电势差称为霍尔电势差。

1.如图甲所示,某长方体导体abcda′b′c′d′的高度为h、宽度为l,其中的载流子为自由电子,其电荷量为e,处在与ab b′a′面垂直的匀强磁场中,磁感应强度为B0。在导体中通有垂直于bcc′b′面的电流,若测得通过导体的恒定电流为I,横向霍尔电势差为UH,求此导体中单位体积内自由电子的个数。

2.对于某种确定的导体材料,其单位体积内的载流子数目n和载流子所带电荷量q均为定值,人们将H=定义为该导体材料的霍尔系数。利用霍尔系数H已知的材料可以制成测量磁感应强度的探头,有些探头的体积很小,其正对横截面(相当于图14甲中的ab b′a′面)的面积可以在0.1cm2以下,因此可以用来较精确的测量空间某一位置的磁感应强度。如图14乙所示为一种利用霍尔效应测磁感应强度的仪器,其中的探头装在探杆的前端,且使探头的正对横截面与探杆垂直。这种仪器既可以控制通过探头的恒定电流的大小I,又可以监测出探头所产生的霍尔电势差UH,并自动计算出探头所测位置磁场的磁感应强度的大小,且显示在仪器的显示窗内。

①在利用上述仪器测量磁感应强度的过程中,对探杆的放置方位有何要求;

②要计算出所测位置磁场的磁感应强度,除了要知道H、I、UH外,还需要知道哪个物理量,并用字母表示。推导出用上述这些物理量表示所测位置磁感应强度大小的表达式。

 

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霍尔效应是电磁基本现象之一,在现代汽车上广泛应用霍尔器件:ABS系统 中的速度传感器、汽车速度表等.如图1,在一矩形半导体薄片的P、Q间通入电流I,同时外加与薄片垂直的磁场B,在M、N间出现电压UH,这个现象称为霍尔效应,UH称为霍尔电压,且满足UH=k
IB
d
,式中k为霍尔系数,由半导体材料的性质决定,d为薄片的厚度.利用霍尔效应可以测出磁场中某处的磁感应强度B.
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(1)为了便于改变电流方向作研究,设计如图2的测量电路,S1、S2均为单刀双掷开关,虚线框内为半导体薄片(未画出).为使电流从P端流入,Q端流出,应将S1掷向
 
(填“a”或“b”),S2掷向
 
(填“c”或“d”).
(2)已知某半导体薄片厚度d=0.40mm,霍尔系数为1.5×10-3V?m?A-1?T-1,保持待测磁场磁感应强度B不变,改变电流I的大小,测量相应的UH值,记录数据如表.
I(×10-3A) 3.0 6.0 9.0 12.0 15.0 18.0
UH(×10-3V) 1.1 1.9 3.4 4.5 6.2 6.8
根据表中数据在给定区域内图3中画出UH-I图线,利用图线求出待测磁场B为
 
T.
(3)利用上述方法,可以粗略测出磁场的分布.为了更精细测出磁场的分布,可采取的措施有
 

(A)选用厚度较薄的半导体薄片
(B)选用厚度较厚的半导体薄
(C)选用霍尔系数k大的半导体薄片
(D)增大电流强度I.

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