24．在有下界的匀强磁场界面上A处有一质子以速度V0垂直于界面和磁场方向射出.轨迹如图所示.O为圆心.在B处另有一质子同时射出.在C点相碰.OC两点连线与界面成600. 求:B处射出的质子的——青夏教育精英家教网—

24．在有下界的匀强磁场界面上A处有一质子以速度V0垂直于界面和磁场方向射出.轨迹如图所示.O为圆心.在B处另有一质子同时射出.在C点相碰.OC两点连线与界面成600. 求:B处射出的质子的速度大小和方向. 【查看更多】

题目列表(包括答案和解析)

有一个正方体形的匀强磁场和匀强电场区域，它的截面为边长L=0.20m的正方形，其电场强度为

，磁感应强度

，磁场方向水平且垂直纸面向里，当一束质荷比为

的正离子流（其重力和离子间相互作用不计）以一定的速度从电磁场的正方体区域的左侧边界中点射入，如图所示。（计算结果保留两位有效数字）
（1）要使离子流穿过电场和磁场区域而不发生偏转，电场强度的方向如何？离子流的速度多大？
（2）在上一问的情况下，在离电场和磁场区域右边界D=0.40m处有与边界平行的平直荧光屏。若只撤去电场，离子流击中屏上a点；若只撤去磁场，离子流击中屏上b点。求ab间距离。（a，b两点图中未画出）

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有一个正方体形的匀强磁场和匀强电场区域，它的截面为边长L＝0.20 m的正方形，其电场强度为E＝4.0×10⁵ V/m，磁感应强度B＝2.0×10^－2 T，磁场方向水平且垂直纸面向里，当一束质荷比为＝4.0×10^－10 kg/C的正离子流(其重力和离子间相互作用不计)以一定的速度从电磁场的正方体区域的左侧边界中点射入，如图所示．(计算结果保留两位有效数字)

(1)要使离子流穿过电场和磁场区域而不发生偏转，电场强度的方向如何？离子流的速度多大？

(2)在上一问的情况下，在离电场和磁场区域右边界D＝0.40 m处有与边界平行的平直荧光屏．若只撤去电场，离子流击中屏上a点；若只撤去磁场，离子流击中屏上b点．求ab间距离．(a，b两点图中未画出)

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水平方向的有界匀强磁场，上、下边界MN、PQ均水平，且相距为L．一个边长为d（d＜L）的正方形铜线框abcd，从某高处自由下落，下落过程中cd边始终保持水平状态且线框平面总在竖直平面内，在线框进入磁场的过程中，产生的感应电流i随时间t的变化如图乙所示．若从cd边出磁场开始计时，取向下为正方向，则线框所受安培力F_A随时间t变化的图象可能是（　　）

A．