如右图.已知: ①单质E可作为半导体材料,②化合物F是 不能生成盐的氧化物,③化合物I能溶于水 呈酸性.它能够跟氧化物A起反应. 据此.请填空: ⑴化合物F是 . ⑵化合物I 是 . ⑶反应③的化学方程式是 ⑷反应④的化学方程式是 查看更多

 

题目列表(包括答案和解析)

已知A、B、C、D、E都是周期表中前四周期的元素,它们的核电荷数A<B<C<D<E.其中B、D、E原子最外电子层的p能级(轨道)上的电子处于半满状态.通常情况下,A的一种氧化物分子为非极性分子,其晶胞结构如右下图所示.原子序数为31的元素镓(Ga)与元素B形成的一种化合物是继以C单质为代表的第一代半导体材料和GaE为代表的第二代半导体材料之后,在近10年迅速发展起来的第三代新型半导体材料.
试回答下列问题:(答题时,A、B、C、D、E用所对应的元素符号表示)
(1)基态Ga原子的核外电子排布式为______.
(2)A、B、C的第一电离能由大到小的顺序为______.
(3)B元素的单质分子中有______个π键,与其互为等电子体的物质的化学式可能为______(任写一种).
(4)上述A的氧化物分子的中心原子采取______杂化,其晶胞中微粒间的作用力为______.
(5)EH3分子的空间构型为______,其沸点与BH3相比______(填“高”或“低”),原因是______.
(6)向CuSO4溶液中逐滴加入BH3的水溶液,得到深蓝色的透明溶液.请写出该反应的离子方程式______.

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(2009?宿迁模拟)已知A、B、C、D、E都是周期表中前四周期的元素,它们的核电荷数A<B<C<D<E.其中B、D、E原子最外电子层的p能级(轨道)上的电子处于半满状态.通常情况下,A的一种氧化物分子为非极性分子,其晶胞结构如右下图所示.原子序数为31的元素镓(Ga)与元素B形成的一种化合物是继以C单质为代表的第一代半导体材料和GaE为代表的第二代半导体材料之后,在近10年迅速发展起来的第三代新型半导体材料.
试回答下列问题:(答题时,A、B、C、D、E用所对应的元素符号表示)
(1)基态Ga原子的核外电子排布式为
1s22s22p63s23p63d104s24p1
1s22s22p63s23p63d104s24p1

(2)A、B、C的第一电离能由大到小的顺序为
N>C>Si
N>C>Si

(3)B元素的单质分子中有
2
2
个π键,与其互为等电子体的物质的化学式可能为
CO(或其他合理答案)
CO(或其他合理答案)
(任写一种).
(4)上述A的氧化物分子的中心原子采取
sp
sp
杂化,其晶胞中微粒间的作用力为
范德华力
范德华力

(5)EH3分子的空间构型为
三角锥形
三角锥形
,其沸点与BH3相比
(填“高”或“低”),原因是
NH3分子间能形成氢键,AsH3分子间不能形成氢键
NH3分子间能形成氢键,AsH3分子间不能形成氢键

(6)向CuSO4溶液中逐滴加入BH3的水溶液,得到深蓝色的透明溶液.请写出该反应的离子方程式
Cu2++2NH3?H2O=Cu(OH)2+2NH4+、Cu(OH)2+4NH3=[Cu(NH34]2++2OH-
Cu2++2NH3?H2O=Cu(OH)2+2NH4+、Cu(OH)2+4NH3=[Cu(NH34]2++2OH-

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(10分)已知A、B、C、D、E、F都是周期表中前四周期的元素,它们的核电荷数A<B<C<D<E<F。其中B、D、F原子最外电子层的P能级(轨道)上的电子处于半满状态。通常情况下,A的一种氧化物分子为非极性分子,其晶胞结构如右下图所示。E的电负性在该周期中最大。镓(Ga)与元素B形成的一种化合物是继以C单质为代表的第一代半导体材料和GaF为代表的第二代半导体材料之后,在近10年迅速发展起来的第三代新型半导体材料。

试回答下列问题:(答题时,A、B、C、D、E、F用所对应的元素符号表示)

(1)基态Ga原子的核外电子排布式为                       

(2)A、B、C的第一电离能由大到小的顺序为                 

(3)B元素的单质分子中有            个π键。

(4)上述A的氧化物分子中心原子采取______杂化,其晶胞中微粒间的作用力为     

(5)FH3沸点与比BH3     (填“高”或“低”),原因是                        

(6)固体CrE3?6H2O溶于水可能有几种不同组成的配离子,实验将含0.2665gCrE3?6H2O的溶液通过H-离子交换树脂(只交换配阳离子),交换出的酸用0.125mol/L的氢氧化钠溶液8.00mL中和。已知配离子配位数为6,则该配离子是                       

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