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题目列表(包括答案和解析)

原子核外第M层电子层是指


  1. A.
    第三层
  2. B.
    第二层
  3. C.
    第一层
  4. D.
    第四层

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原子核外第M层电子层是指

[  ]

A.

第三层

B.

第二层

C.

第一层

D.

第四层

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(一)写出下列元素名称,并指出其在周期表中位置及分区.
(1)1s22s22p63s23p4
硫,第三周期第ⅥA族,p区
硫,第三周期第ⅥA族,p区

(2)[Ar]4s2
钙,第四周期第ⅡA族,s区
钙,第四周期第ⅡA族,s区

(3)[Ar]3d104s1
铜,第四周期第ⅠB族,ds区
铜,第四周期第ⅠB族,ds区

(4)[Ar]3d54s2
锰,第四周期第ⅦB族,d区
锰,第四周期第ⅦB族,d区

(二)根据下列叙述,按要求写出化学用语.
(1)A元素原子核外M层电子数是L层电子数的一半,写出其基态原子简化电子排布式
[Ne]3s23p2
[Ne]3s23p2

(2)24Cr外围电子排布式
3d54s1
3d54s1

(3)35Br价电子排布图

(4)Fe3+的离子结构示意图

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VIA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表现出多种氧化态,含VIA族元素的化合物在研究和生产中有许多重要用途。请回答下列问题:

(1)S单质的常见形式为S8,其环状结构如下图所示,S原子采用的轨道杂化方式是______;

(2)原子的第一电离能是指气态电中性基态原子失去一个电子转化为气态基态正离子所需要的最低能量,O、S、Se原子的第一电离能由大到小的顺序为______;

(3)Se原子序数为______,其核外M层电子的排布式为______;

(4)H2Se的酸性比H2S__________(填“强”或“弱”)。气态SeO3分子的立体构型为______平面三角形,SO32离子的立体构型为______三角锥形;

(5)H2SeO3的K1和K2分别为2.7×103和2.5×108,H2SeO4第一步几乎完全电离,K2为1.2×102,请根据结构与性质的关系解释:

①H2SeO3和H2SeO4第一步电离程度大于第二步电离的原因:                    ;第一步电离后生成的负离子较难再进一步电离出带正电荷的氢离子;

②H2SeO4比H2SeO3酸性强的原因:______;

(6)ZnS在荧光体、光导体材料、涂料、颜料等行业中应用广泛。立方ZnS晶体结构如图所示,其晶胞边长为540.0 pm,密度为____________(列式并计算),a位置S2离子与b位置Zn2离子之间的距离为___________________pm(列式表示)。

 

 

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VIA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表现出多种氧化态,含VIA族元素的化合物在研究和生产中有许多重要用途。请回答下列问题:
(1)S单质的常见形式为S8,其环状结构如下图所示,S原子采用的轨道杂化方式是______;

(2)原子的第一电离能是指气态电中性基态原子失去一个电子转化为气态基态正离子所需要的最低能量,O、S、Se原子的第一电离能由大到小的顺序为______;
(3)Se原子序数为______,其核外M层电子的排布式为______;
(4)H2Se的酸性比H2S__________(填“强”或“弱”)。气态SeO3分子的立体构型为______平面三角形,SO32离子的立体构型为______三角锥形;
(5)H2SeO3的K1和K2分别为2.7×10-3和2.5×10-8,H2SeO4第一步几乎完全电离,K2为1.2×10-2,请根据结构与性质的关系解释:
①H2SeO3和H2SeO4第一步电离程度大于第二步电离的原因:                   ;第一步电离后生成的负离子较难再进一步电离出带正电荷的氢离子;
②H2SeO4比H2SeO3酸性强的原因:______;
(6)ZnS在荧光体、光导体材料、涂料、颜料等行业中应用广泛。立方ZnS晶体结构如图所示,其晶胞边长为540.0 pm,密度为____________(列式并计算),a位置S2离子与b位置Zn2离子之间的距离为___________________pm(列式表示)。

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