在物理学中,磁场的强弱用磁感应强度(用字母B表示,国际单位是特斯拉,符号是T)来表示,磁感线越密的地方,磁场越强,磁感应强度B越大.
(1)在图20中,甲为某磁极附近磁感线的方向和分布的示意图,由图可知,该磁极为 ▲ 极,若在l处放置一个小磁针,当小磁针静止时,其指向应是图乙中的 ▲ .
(2)磁敏电阻阻值的大小随磁场的强弱变化而变,图丁是某磁敏电阻R的阻值随磁感应强度B变化的图象,据图线可知,磁敏电阻的阻值随磁感应强度B的增大而▲ .图线没有过坐标原点,说明 ▲ .
(3)王强设计了一个可以测量该磁敏电阻R的电路如图丙所示,(其中磁敏电阻所处的磁场未画出).将该磁敏电阻R放置在磁场中的位置某处,测出电阻后,利用R—B特性曲线可以读出相应的磁感应强度.
①在图甲磁场中1处,测得的数据如图20表中所示,则该磁敏电阻的测量值为 ▲ Ω.
②根据该磁敏电阻的R-B特性曲线可知,1处的磁感应强度为 ▲ T.
③在实验过程中,仅将磁敏电阻从1处移至2处,其它条件不变,那么电流表的示数
▲ (填“增大”、“减小”或“不变”).
④依据上述方法获得的磁感应强度B的测量值与该点实际值存在不小的误差,为尽可能准确反映空间某点磁场的强弱,你认为在选择磁敏电阻时应注意什么问题?