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    在通常情况 .已知液态氧的沸点是-183°C.液态氮的沸点是-196°C.液态氦的沸点是-268°C.利用液态空气提取这些气体.随温度升高而先后分离出来的次序是(D) A．氧.氦.氮 B．氧.氮.氦 C．氦.氧.氮 D．氦.氮.氧 【查看更多】

     

    题目列表(包括答案和解析)

    已知A、B、C、D、E、F都是周期表中前四周期的元素，它们的核电荷数A<B<C<D<E<F。其中B、D、F原子最外电子层的p能级(轨道)上的电子处于半满状态。通常情况下，A的一种氧化物分子为非极性分子，其晶胞结构如下图所示。E的电负性在该周期中最大。镓(Ga)与元素B形成的一种化合物是继以C单质为代表的第一代半导体材料和GaF为代表的第二代半导体材料之后，在近10年迅速发展起来的第三代新型半导体材料。    
    试回答下列问题：(答题时，A、B、C、D、E、F用所对应的元素符号表示)
    （1）基态Ga原子的核外电子排布式为________________。
    （2）A、B、C的第一电离能由大到小的顺序为________。
    （3）B元素的单质分子中有______个π键。
    （4）上述A的氧化物分子中心原子采取______杂化，其晶胞中微粒间的作用力为______ 
    （5）FH3沸点与比BH3_____(填“高”或“低”)，原因是________________。
    （6）当0.01摩尔CrE3·6H2O在水溶液中用过量的AgNO3溶液处理时，常产生0.02摩尔的AgE沉淀，已知配离子配位数为6，此样品中配离子最可能是_______________。

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    (10分)已知A、B、C、D、E、F都是周期表中前四周期的元素，它们的核电荷数A<B<C<D<E<F。其中B、D、F原子最外电子层的P能级(轨道)上的电子处于半满状态。通常情况下，A的一种氧化物分子为非极性分子，其晶胞结构如右下图所示。E的电负性在该周期中最大。镓(Ga)与元素B形成的一种化合物是继以C单质为代表的第一代半导体材料和GaF为代表的第二代半导体材料之后，在近10年迅速发展起来的第三代新型半导体材料。

    试回答下列问题：(答题时，A、B、C、D、E、F用所对应的元素符号表示)

    (1)基态Ga原子的核外电子排布式为                        。

    (2)A、B、C的第一电离能由大到小的顺序为                  。

    (3)B元素的单质分子中有            个π键。

    (4)上述A的氧化物分子中心原子采取______杂化，其晶胞中微粒间的作用力为     。

    (5)FH3沸点与比BH3     (填“高”或“低”)，原因是                        。

    (6)固体CrE3?6H2O溶于水可能有几种不同组成的配离子，实验将含0.2665gCrE3?6H2O的溶液通过H-离子交换树脂(只交换配阳离子)，交换出的酸用0.125mol/L的氢氧化钠溶液8.00mL中和。已知配离子配位数为6，则该配离子是                       

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    已知A、B、C、D、E都是周期表中前四周期的元素，它们的核电荷数A＜B＜C＜D＜E．其中B、D、E原子最外电子层的p能级（轨道）上的电子处于半满状态．通常情况下，A的一种氧化物分子为非极性分子，其晶胞结构如右下图所示．原子序数为31的元素镓（Ga）与元素B形成的一种化合物是继以C单质为代表的第一代半导体材料和GaE为代表的第二代半导体材料之后，在近10年迅速发展起来的第三代新型半导体材料．
    试回答下列问题：（答题时，A、B、C、D、E用所对应的元素符号表示）
    （1）基态Ga原子的核外电子排布式为______．
    （2）A、B、C的第一电离能由大到小的顺序为______．
    （3）B元素的单质分子中有______个π键，与其互为等电子体的物质的化学式可能为______（任写一种）．
    （4）上述A的氧化物分子的中心原子采取______杂化，其晶胞中微粒间的作用力为______．
    （5）EH3分子的空间构型为______，其沸点与BH3相比______（填“高”或“低”），原因是______．
    （6）向CuSO4溶液中逐滴加入BH3的水溶液，得到深蓝色的透明溶液．请写出该反应的离子方程式______．

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    精英家教网已知A、B、C、D、E、F都是周期表中前四周期的元素，它们的核电荷数A＜B＜C＜D＜E＜F．其中B、D、F原子最外电子层的P能级（轨道）上的电子处于半满状态．通常情况下，A的一种氧化物分子为非极性分子，其晶胞结构如图所示．E的电负性在该周期中最大．镓（Ga）与元素B形成的一种化合物是继以C单质为代表的第一代半导体材料和GaF为代表的第二代半导体材料之后，在近10年迅速发展起来的第三代新型半导体材料．
    试回答下列问题：（答题时，A、B、C、D、E、F用所对应的元素符号表示）
    （1）基态Ga原子的核外电子排布式为
     
    ．
    （2）A、B、C的第一电离能由大到小的顺序为
     
    ．
    （3）B元素的单质分子中有
     
    个π键．
    （4）上述A的氧化物分子中心原子采取
     
    杂化，其晶胞中微粒间的作用力为
     
    ．
    （5）FH3沸点与比BH3
     
    （填“高”或“低”），原因是
     
    ．
    （6）固体CrE3?6H2O溶于水可能有几种不同组成的配离子，实验将含0.2665gCrE3?6H2O的溶液通过H-离子交换树脂（只交换配阳离子），交换出的酸用0.125mol/L的氢氧化钠溶液8.00mL中和．已知配离子配位数为6，则该配离子是
     
    ．

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    （2009?宿迁模拟）已知A、B、C、D、E都是周期表中前四周期的元素，它们的核电荷数A＜B＜C＜D＜E．其中B、D、E原子最外电子层的p能级（轨道）上的电子处于半满状态．通常情况下，A的一种氧化物分子为非极性分子，其晶胞结构如右下图所示．原子序数为31的元素镓（Ga）与元素B形成的一种化合物是继以C单质为代表的第一代半导体材料和GaE为代表的第二代半导体材料之后，在近10年迅速发展起来的第三代新型半导体材料．
    试回答下列问题：（答题时，A、B、C、D、E用所对应的元素符号表示）
    （1）基态Ga原子的核外电子排布式为
    1s22s22p63s23p63d104s24p1
    1s22s22p63s23p63d104s24p1
    ．
    （2）A、B、C的第一电离能由大到小的顺序为
    N＞C＞Si
    N＞C＞Si
    ．
    （3）B元素的单质分子中有
    2
    2
    个π键，与其互为等电子体的物质的化学式可能为
    CO（或其他合理答案）
    CO（或其他合理答案）
    （任写一种）．
    （4）上述A的氧化物分子的中心原子采取
    sp
    sp
    杂化，其晶胞中微粒间的作用力为
    范德华力
    范德华力
    ．
    （5）EH3分子的空间构型为
    三角锥形
    三角锥形
    ，其沸点与BH3相比
    低
    低
    （填“高”或“低”），原因是
    NH3分子间能形成氢键，AsH3分子间不能形成氢键
    NH3分子间能形成氢键，AsH3分子间不能形成氢键
    ．
    （6）向CuSO4溶液中逐滴加入BH3的水溶液，得到深蓝色的透明溶液．请写出该反应的离子方程式
    Cu2++2NH3?H2O=Cu（OH）2+2NH4+、Cu（OH）2+4NH3=[Cu（NH3）4]2++2OH-
    Cu2++2NH3?H2O=Cu（OH）2+2NH4+、Cu（OH）2+4NH3=[Cu（NH3）4]2++2OH-
    ．

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