第IIIA.VA族元素组成的化合物GaN.GaP.GaAs等是人工合成的新型半导体材料.其晶体结构与单晶体硅相似.在GaN晶体中.每个Ga原子与 个N原子相连.与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为 .在四大晶体类型中.GaN属于 晶体. 查看更多

 

题目列表(包括答案和解析)

Ga和As在一定条件下可以合成GaAs,GaAs是一种新型化合物半导体材料,其性能比硅更优越.多元化合物薄膜太阳能电池材料为无机盐,其主要包括砷化镓、硫化镉、硫化锌及铜锢硒薄膜电池等.
(1)Ga在元素周期表的位置是
第四周期第IIIA族
第四周期第IIIA族
,As的原子结构示意图

(2)Ga的原子核外电子排布式为:
1s22s22p63s23p63d104s24p1
1s22s22p63s23p63d104s24p1

(3)GaCl3和AsF3的空间构型分别是:GaCl3
平面三角形
平面三角形
,AsF3
三角锥形
三角锥形

(4)第IV A族的C和Si也可以形成类似的化合物半导体材料SiC,其结构跟金刚石相似,则SiC属于
原子
原子
晶体,并写出其主要的物理性质
硬度大、熔点高
硬度大、熔点高
  (任2种).
(5)第一电离能:As
Se(填“>”、“<”或“=”).
(6)硫化锌的晶胞中(结构如图所示),硫离子的配位数是
4
4

(7)二氧化硒分子的空间构型为
V形
V形
,写出它的1个等电子体的分子式
O3(或SO2
O3(或SO2

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(2009?湖北模拟)现有A、B、C、D四种元素,其原子序数依次递增.已知,A、C为短周期非金属元素,其单质在常温下均为气体,两单质混合见光爆炸生成AC,AC溶液显强酸性.B、D为金属元素,B的原子序数为D的一半,D与C2和AC溶液反应分别得DC3和DC2,烧碱溶液不能与D单质反应,而能与B单质反应.请回答下列问题:
(1)C的原子结构示意图为
Cl
Cl
;B在周期表中的位置是
第三周期第IIIA族
第三周期第IIIA族

(2)用电子式表示AC的形成过程

(3)写出B单质与NaOH溶液反应的离子方程式
2Al+2OH-+2H2O=2AlO2-+3H2
2Al+2OH-+2H2O=2AlO2-+3H2

(4)电浮选凝聚法是工业上采用的一种污水处理方法,右图是该方法处理污水的实验装置示意图(B、D金属单质作电极).实验过程中,污水的pH始终保持在5.0~6.0之间.接通电源后,阴极产生的气体将污物带到水面形成浮渣而刮去,起到浮选净化作用;阳极产生的沉淀具有吸附性,吸附污物而沉积,起到凝聚净化作用.阳极的电极反应有两个,分别是2H2O-4e-=4H++O2↑和
Fe-2e-=Fe2+
Fe-2e-=Fe2+
.阳极区生成沉淀的离子方程式是
4Fe2++10H2O+O2=4Fe(OH)3↓+8H+
4Fe2++10H2O+O2=4Fe(OH)3↓+8H+

(5)一定条件下,2mol B与3mol D的氧化物W恰好反应,则W的化学式
FeO
FeO

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