(2009?宿迁模拟)已知A、B、C、D、E都是周期表中前四周期的元素,它们的核电荷数A<B<C<D<E.其中B、D、E原子最外电子层的p能级(轨道)上的电子处于半满状态.通常情况下,A的一种氧化物分子为非极性分子,其晶胞结构如右下图所示.原子序数为31的元素镓(Ga)与元素B形成的一种化合物是继以C单质为代表的第一代半导体材料和GaE为代表的第二代半导体材料之后,在近10年迅速发展起来的第三代新型半导体材料.
试回答下列问题:(答题时,A、B、C、D、E用所对应的元素符号表示)
(1)基态Ga原子的核外电子排布式为
1s22s22p63s23p63d104s24p1
1s22s22p63s23p63d104s24p1
.
(2)A、B、C的第一电离能由大到小的顺序为
N>C>Si
N>C>Si
.
(3)B元素的单质分子中有
2
2
个π键,与其互为等电子体的物质的化学式可能为
CO(或其他合理答案)
CO(或其他合理答案)
(任写一种).
(4)上述A的氧化物分子的中心原子采取
sp
sp
杂化,其晶胞中微粒间的作用力为
范德华力
范德华力
.
(5)EH
3分子的空间构型为
三角锥形
三角锥形
,其沸点与BH
3相比
低
低
(填“高”或“低”),原因是
NH3分子间能形成氢键,AsH3分子间不能形成氢键
NH3分子间能形成氢键,AsH3分子间不能形成氢键
.
(6)向CuSO
4溶液中逐滴加入BH
3的水溶液,得到深蓝色的透明溶液.请写出该反应的离子方程式
Cu2++2NH3?H2O=Cu(OH)2+2NH4+、Cu(OH)2+4NH3=[Cu(NH3)4]2++2OH-
Cu2++2NH3?H2O=Cu(OH)2+2NH4+、Cu(OH)2+4NH3=[Cu(NH3)4]2++2OH-
.