太阳能电池的发展已经进入了第三代。第一代为单晶硅太阳能电池，第二代为多晶硅、非晶硅等太阳能电池，第三代就是铜铟镓硒CIGS（CIS中掺人Ga）等化合物薄膜太阳能电池以及薄膜Si系太阳能电池。

（1）镓的基态原子的电子排布式是___       。

（2）硒为第4周期元素，相邻的元素有砷和溴，则3种元素的第一电离能从大到小顺序为    （用元素符号表示）。

（3）H₂Se的酸性比H₂S____（填“强”或“弱”）。气态SeO₃分子的立体构型为____     。

（4）硅烷（Si_nH_2n+2）的沸点与其相对分子质量的变化关系如图所示，呈现这种变化关系的原因是      。

（5）与镓元素处于同一主族的硼元素具有缺电子性，其化合物往往具有加合性，因而硼酸（H₃BO₃）在水溶液中能与水反应生成[B（OH）₄]^—而体现一元弱酸的性质，则[B（OH）₄]^—中B的原子杂化类型为                   。

（6）金属Cu单独与氨水或单独与过氧化氢都不能反应，但可与氨水和过氧化氢的混合溶液反应，其原因是____，反应的离子方程式为             。

（7）一种铜金合金晶体具有面心立方最密堆积的结构。在晶脆中，Au原子位于顶点，Cu原子位于面心，则该合金中Au原子与Cu原子个数之比为      ，若该晶胞的边长为a pm，则合金的密度为     g·cm^-3（已知lpm=10^-12m，只要求列算式，不必计算出数值，阿伏加塞罗常数为N_A）。

砷化镓属于第三代半导体，它能直接将电能转变为光能，砷化镓灯泡寿命是普通灯泡的100倍，而耗能只有其10%，推广砷化镓等发光二极管（LED）照明，是节能减排的有效举措，已知砷化镓的晶胞结构如右图。试回答下列问题

（1）下列说法正确的是              （选填序号）。

              A．砷化镓晶胞结构与NaCl相同  

B．第一电离能：As＞Ga

              C．电负性:As＞Ga                                                                                   

D．砷和镓都属于p区元素

E．半导体GaP、SiC与砷化镓为等电子体

（2）砷化镓是将（CH₃）₃Ga和AsH₃用MOCVD方法制备得到， 该反应在700℃进行，反应的方程式为：                       。

AsH₃空间形状为：             （CH₃）₃Ga中镓原子杂化方式为：             。

（3）Ga的核外电子排布式为：                 。

（4）AsH₃沸点比NH₃低，其原因是：                 。

砷化镓属于第三代半导体，它能直接将电能转变为光能，砷化镓灯泡寿命是普通灯泡的100倍，而耗能只有其10%，推广砷化镓等发光二极管（LED）照明，是节能减排的有效举措，已知砷化镓的晶胞结构如右图。试回答下列问题

（1）下列说法正确的是              （选填序号）。

              A．砷化镓晶胞结构与NaCl相同  

B．第一电离能：As＞Ga

              C．电负性:As＞Ga                                                                                   

D．砷和镓都属于p区元素

E．半导体GaP、SiC与砷化镓为等电子体

（2）砷化镓是将（CH₃）₃Ga和AsH₃用MOCVD方法制备得到， 该反应在700℃进行，反应的方程式为：                        。

AsH₃空间形状为：             （CH₃）₃Ga中镓原子杂化方式为：             。

（3）Ga的核外电子排布式为：                 。

（4）AsH₃沸点比NH₃低，其原因是：                  。

（12分）砷化镓属于第三代半导体，它能直接将电能转变为光能，砷化镓灯泡寿命是普通灯泡的100倍，而耗能只有其10%，推广砷化镓等发光二极管（LED）照明，是节能减排的有效举措，已知砷化镓的晶胞结构如图。试回答下列问题

（1）下列说法正确的是              （选填序号）。

A．砷化镓晶胞结构与NaCl相同         B．第一电离能：As＞Ga

C．电负性:As＞Ga                          D．砷和镓都属于p区元素

E．半导体GaP、SiC与砷化镓为等电子体

（2）砷化镓是将(CH₃)₃Ga和AsH₃用MOCVD方法制备得到， 该反应在700℃进行，反应的方程式为：                       。

AsH₃空间形状为：             (CH₃)₃Ga中镓原子杂化方式为：            。

（3）Ga的核外价电子排布式为：               。

（4）AsH₃沸点比NH₃低，其原因是：                 。