(10分)已知A、B、C、D、E、F都是周期表中前四周期的元素，它们的核电荷数A<B<C<D<E<F。其中B、D、F原子最外电子层的P能级(轨道)上的电子处于半满状态。通常情况下，A的一种氧化物分子为非极性分子，其晶胞结构如右下图所示。E的电负性在该周期中最大。镓(Ga)与元素B形成的一种化合物是继以C单质为代表的第一代半导体材料和GaF为代表的第二代半导体材料之后，在近10年迅速发展起来的第三代新型半导体材料。

试回答下列问题：(答题时，A、B、C、D、E、F用所对应的元素符号表示)

(1)基态Ga原子的核外电子排布式为                        。

(2)A、B、C的第一电离能由大到小的顺序为                  。

(3)B元素的单质分子中有            个π键。

(4)上述A的氧化物分子中心原子采取______杂化，其晶胞中微粒间的作用力为     。

(5)FH₃沸点与比BH₃     (填“高”或“低”)，原因是                        。

(6)固体CrE₃?6H₂O溶于水可能有几种不同组成的配离子，实验将含0.2665gCrE₃?6H₂O的溶液通过H-离子交换树脂(只交换配阳离子)，交换出的酸用0.125mol/L的氢氧化钠溶液8.00mL中和。已知配离子配位数为6，则该配离子是                       

（14分）用如右装置来测定样品中砷的含量。其中烧杯A中盛适量的1mol/L Na₂SO₄溶液，烧杯B中加搅拌器，以利于测定。E：直流稳压电源；K：开关；R：可变电阻；G毫安计；D：盐桥。

1．称取5.000g含砷样品，溶解后加入还原剂将砷还原为三价砷As（Ⅲ）（HAsO₃^2－），除去过量的还原剂后转移到250mL容量瓶中配成250mL溶液。取40mL适当浓度的KI和NaHCO₃混合溶液加入B中，再用移液管取上述含砷溶液10mL加入B中，边搅拌边电解，电解产生的I₂将As（Ⅲ）快速、定量的氧化为 As（V），以2mA的电流电解4分1秒后反应完全，假定电能没有损失。计算样品中Aa₂O₃的百分含量。（1个电子的电量为1.602×10^－19库仑，As₂O₃的式量为197.84）

2．装置A、B中的电解反应只需2V以下的电压就可实现，为什么E要选择40V以上？

3．反应终点可用什么指示剂来确定？

4．HAsO₃^2－的还原性与I^－相比哪个强？电解时阳极上生成I₂而不生成As（V）的原因是什么？

5．HAsO₃^2－可以和溶液中的O₂反应，溶解氧将使测定结果偏高还是偏低？实验中怎样用消除溶解氧的影响？

6．用指示剂判断反应终点有2秒的时间误差不可避免，若要求测定结果的相对误差不大于1%，则电解时间要设计控制为多少秒以上？