Ⅰ．第ⅢA、VA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型第三代半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似。试回答：

（1）Ga的基态原子的价电子的轨道排布式为                          。

（2）下列说法正确的是            （选填序号）。

A．砷和镓都属于p区元素    B．GaN、GaP、GaAs均为分子晶体

C．电负性：As＞Ga                  D．第一电离能Ga＞As

（3）GaAs是由(CH₃)₃Ga和AsH₃在一定条件下制得，同时得到另一物质，该物质分子是   （填“极性分子”或“非极性分子”）。(CH₃)₃Ga中镓原子的杂化方式为         。

Ⅱ．氧化钙晶体的晶胞如图所示，试回答：

（1）晶体中Ca²⁺的配位数为             。

（2）已知Ca²⁺的半径为a cm，O^2-的半径为b cm，N_A代表阿伏加德罗常数，

该晶体的密度为         g/cm³。（用含a、b、N_A的代数式表示）

Ⅰ．第ⅢA、VA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型第三代半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似。试回答：
（1）Ga的基态原子的价电子的轨道排布式为                          。
（2）下列说法正确的是            （选填序号）。
A．砷和镓都属于p区元素   B．GaN、GaP、GaAs均为分子晶体
C．电负性：As＞Ga                  D．第一电离能Ga＞As
（3）GaAs是由(CH₃)₃Ga和AsH₃在一定条件下制得，同时得到另一物质，该物质分子是  （填“极性分子”或“非极性分子”）。(CH₃)₃Ga中镓原子的杂化方式为        。
Ⅱ．氧化钙晶体的晶胞如图所示，试回答：

（1）晶体中Ca²⁺的配位数为             。
（2）已知Ca²⁺的半径为a cm，O^2-的半径为b cm，N_A代表阿伏加德罗常数，
该晶体的密度为         g/cm³。（用含a、b、N_A的代数式表示）

VA族的氮、磷、砷(As)等元素的化合物在科研和生产中有许多重要用途，请回答下列问题。

（1）砷的基态原子的电子排布式为????????????? 。

（2）原子的第一电离能是指气态电中性基态原子失去一个电子转化为气态基态正离子所需要的最低能量，N、P、As原子的第一电离能由大到小的顺序为????????????????????? 。

（3）NH3的沸点比PH3高，原因是??????????? ；PO43－离子的立体构型为?????????????? 。

（4）AsH3是无色稍有大蒜气味的气体，在AsH3中As原子的杂化轨道类型为?????????? 。

（5）H3AsO4和H3AsO3是砷的两种含氧酸,请根据结构与性质的关系，解释H3AsO4比H3AsO3 酸性强的原因??????????????????????????? 。

（6）磷的一种单质白磷（P4)属于分子晶体，其晶胞结构如下图。已知最近两个白磷分子间的距离为 a pm，阿伏加德罗常数的值为NA，则该晶体的密度为 　　　??? g/cm3(只要求列算式，不必计算）。

Ⅰ．第ⅢA、VA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型第三代半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似。试回答：

（1）Ga的基态原子的价电子的轨道排布式为                           。

（2）下列说法正确的是             （选填序号）。

A．砷和镓都属于p区元素    B．GaN、GaP、GaAs均为分子晶体

C．电负性：As＞Ga                   D．第一电离能Ga＞As

（3）GaAs是由(CH₃)₃Ga和AsH₃在一定条件下制得，同时得到另一物质，该物质分子是   （填“极性分子”或“非极性分子”）。(CH₃)₃Ga中镓原子的杂化方式为         。

Ⅱ．氧化钙晶体的晶胞如图所示，试回答：

（1）晶体中Ca²⁺的配位数为              。

（2）已知Ca²⁺的半径为a cm，O^2-的半径为b cm，N_A代表阿伏加德罗常数，

该晶体的密度为          g/cm³。（用含a、b、N_A的代数式表示）