氮化铝(AlN)具有耐高温.抗冲击.导热性好等优良性质.被广泛应用于电子工业.陶瓷工业等领域.在一定条件下.氮化铝可通过如下反应合成:Al2O3+N2+3C2AlN+3CO.下列叙述正确的是( ) A.在氮化铝的合成反应中.N2是还原剂.Al2O3是氧化剂 B.上述反应中每生成2 mol AlN.N2得到3 mol电子 C.氮化铝中氮元素的化合价为-3价 D.氮化铝晶体属于分子晶体 查看更多

 

题目列表(包括答案和解析)

碳化硅(SiC) 、氧化铝(Al2O3) 和氮化硅(Si3N4)是优良的高温结构陶瓷,在工业生产和科技领域有重要用途。宇宙火箭和导弹中,大量用钛代替钢铁。
(1)Al的离子结构示意图为                  
Al与NaOH溶液反应的离子方程式为                                         
(2)氮化硅抗腐蚀能力很强,但易被氢氟酸腐蚀,氮化硅与氢氟酸反应生成四氟化硅和一种铵盐,
其反应方程式为                                                
(3)工业上用化学气相沉积法制备氮化硅,其反应如下:
3SiCl4(g) + x N2(g) + 6 H2(g)   Si3N4(s) + 12 HCl(g)   △H<0  
在恒温、恒容时,分别将0.3mol SiCl4(g)、0.2mol N2(g)、0.6mol H2(g)充入2 L密闭容器内,进行上述反应,5 min达到平衡状态,所得HCl(g)为0.3mol/L、 N2为0.05 mol/L
① H2的平均反应速率是                       
② 反应前与达到平衡时容器内的压强之比=           
③ 系数 x =     
(4)已知:TiO2(s)+2Cl2(g)===TiCl4(l)+O2(g)  ΔH1=+140 kJ·mol-1
C(s)+O2(g)=== CO(g)    ΔH2 =-110 kJ·mol-1
写出TiO2和焦炭、氯气反应生成TiCl4和CO气体的热化学方程式:
                                                                              

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碳化硅(SiC) 、氧化铝(Al2O3) 和氮化硅(Si3N4)是优良的高温结构陶瓷,在工业生产和科技领域有重要用途。宇宙火箭和导弹中,大量用钛代替钢铁。

(1)Al的离子结构示意图为                  

Al与NaOH溶液反应的离子方程式为                                         

(2)氮化硅抗腐蚀能力很强,但易被氢氟酸腐蚀,氮化硅与氢氟酸反应生成四氟化硅和一种铵盐,

其反应方程式为                                                

(3)工业上用化学气相沉积法制备氮化硅,其反应如下:

3SiCl4(g) + x N2(g) + 6 H2(g)   Si3N4(s) + 12 HCl(g)   △H<0  

在恒温、恒容时,分别将0.3mol SiCl4(g)、0.2mol N2(g)、0.6mol H2(g)充入2 L密闭容器内,进行上述反应,5 min达到平衡状态,所得HCl(g)为0.3mol/L、 N2为0.05 mol/L

① H2的平均反应速率是                       

② 反应前与达到平衡时容器内的压强之比=           

③ 系数 x =     

(4)已知:TiO2(s)+2Cl2(g)===TiCl4(l)+O2(g)  ΔH1=+140 kJ·mol1

C(s)+O2(g)=== CO(g)    ΔH2 =-110 kJ·mol1

写出TiO2和焦炭、氯气反应生成TiCl4和CO气体的热化学方程式:

                                                                              

 

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(8分)江苏连云港开发硅产业比较发达,粗硅提纯经常用“三氯氢硅法”。将干燥的硅粉加入合成炉中,与通入的干燥氯化氢气体在280~330℃有氯化亚铜催化剂存在下进行氯化反应,反应气体旋风分离除去杂质,再用氯化钙冷冻盐水将气态三氯氢硅冷凝成液体,经粗馏塔蒸馏和冷凝,除去高沸物和低沸物,再经精馏塔蒸馏和冷凝,得到精制三氯氢硅液体。纯度达到七个“9”以上,杂质含量小于1×107,硼要求在0.5×109以下。提纯后的三氯氢硅送入不锈钢制的还原炉内,用超纯氢气作还原剂,在1050~1100℃还原成硅,并以硅芯棒为载体沉积而得多晶硅成品。其反应式如下:
Ⅰ H2+Cl2 =" 2HCl"
Ⅱ Si(粗)+3HClg= SiHCl3(l)+H2(g)
Ⅲ SiHCl3(l) +H2(g) = Si()+3HCl(g)

据以上材料回答问题:
(1)电炉中发生反应后排出气体X的成份      (填化学式)。
(2)目前提倡“低碳类经济”,CO2的吸收转化成有机物可有效实现碳循环,是节能减排的有效措施。某物质y的核磁共振氢谱只有一个峰,与CO2可催化加聚生成自然降解的
塑料聚碳酸酯,其反应方程式 则Y的结构简式为           
(3)在上述流程中可以循环使用的物质是        。(填名称)
(4)SiH4化学性质比较活泼,它在空气中自燃,有强还原性,在碱存在下迅速水解,由SiH4为原料进行氮化来制备Si3N4纳米材料,则你认为该材料中最大可能存在的杂质   
(填化学式)。
(5)已知化学键如表

则下述反应 SiCl4(g)+2H2gSis+4HCl(g) 
该反应的反应热 △H=        kJ·mol1

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江苏连云港开发硅产业比较发达,粗硅提纯经常用“三氯氢硅法”。将干燥的硅粉加入合成炉中,与通入的干燥氯化氢气体在280~330℃有氯化亚铜催化剂存在下进行氯化反应,反应气体旋风分离除去杂质,再用氯化钙冷冻盐水将气态三氯氢硅冷凝成液体,经粗馏塔蒸馏和冷凝,除去高沸物和低沸物,再经精馏塔蒸馏和冷凝,得到精制三氯氢硅液体。纯度达到七个“9”以上,杂质含量小于1×107,硼要求在0.5×109以下。提纯后的三氯氢硅送入不锈钢制的还原炉内,用超纯氢气作还原剂,在1050~1100℃还原成硅,并以硅芯棒为载体沉积而得多晶硅成品。其反应式如下:

Ⅰ H2+Cl2 = 2HCl

Ⅱ Si(粗)+3HClg= SiHCl3(l)+H2(g)

Ⅲ SiHCl3(l) +H2(g) = Si()+3HCl(g)

据以上材料回答问题:

(1)电炉中发生反应后排出气体X的成份      (填化学式)。

(2)目前提倡“低碳类经济”,CO2的吸收转化成有机物可有效实现碳循环,是节能减排的有效措施。某物质y的核磁共振氢谱只有一个峰,与CO2可催化加聚生成自然降解的

塑料聚碳酸酯,其反应方程式 则Y的结构简式为           

(3)在上述流程中可以循环使用的物质是        。(填名称)

(4)SiH4化学性质比较活泼,它在空气中自燃,有强还原性,在碱存在下迅速水解,由SiH4为原料进行氮化来制备Si3N4纳米材料,则你认为该材料中最大可能存在的杂质   

(填化学式)。

(5)已知化学键如表

则下述反应 SiCl4(g)+2H2gSis+4HCl(g) 

该反应的反应热 △H=        kJ·mol1

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(05年江苏卷)氮化铝(AlN)具有耐高温、抗冲击、导热性好等优良性质,被广泛应用于电子工业、陶瓷工业等领域。在一定条件下,氮化铝可通过如下反应合成:()

Al2O3+N2+3C2AlN+3CO,下列叙述正确的是

A  在氮化铝的合成反应中,N2是还原剂,Al2O3是氧化剂

B  上述反应中每生成2mol AlN,N2得到3mol电子

C  氮化铝中氮元素的化合价为-3价

D  氮化铝晶体属于分子晶体

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