7.2004年9月3日英国杂志报道.碳化硅是已知最硬的物质之一.其单晶体可制作半导体材料.但正是由于它硬度高.熔化及锻制的过程相当费劲.而且制成的晶片容易产生瑕疵.如杂质.气泡等.这些物质会严重影响或削弱电流.因此.碳化硅一直无法被用来制造芯片.日本研究人员称.他们找到了锻制碳化硅晶体的新方法.使碳化硅晶片成本低.用途广.性能更可靠.下列有关碳化硅(SiC)的有关说法错误的是 A. 晶体硅和晶体碳化硅都是原子晶体 B. 碳化硅是一种新型的无机非金属材料 C. 碳化硅的熔点比晶体硅高 D. 制取碳化硅的反应:SiO2+3CSiC+2CO↑中.SiO2是氧化剂.C是还原剂 查看更多

 

题目列表(包括答案和解析)

2004年9月3日英国《自然》杂志报道,碳化硅是已知最硬的物质之一,其单晶体可制作半导体材料。但正是由于它硬度高,熔化及锻制的过程相当费劲,而且制成的晶片容易产生瑕疵,如杂质、气泡等,这些物质会严重影响或削弱电流。因此,碳化硅一直无法被用来制造芯片。日本研究人员称,他们找到了锻制碳化硅晶体的新方法,使碳化硅晶片成本低、用途广、性能更可靠。下列有关碳化硅(SiC)的有关说法错误的是

A. 晶体硅和晶体碳化硅都是原子晶体

B. 碳化硅是一种新型的无机非金属材料

C. 碳化硅的熔点比晶体硅高

D. 制取碳化硅的反应:SiO2+3CSiC+2CO↑中,SiO2是氧化剂,C是还原剂

查看答案和解析>>


同步练习册答案