第ⅢA.VA元素组成的化合物GaN.GaP.GaAs等是人工合成的新型第三代半导体材料.其晶体结构与单晶硅相似. 用砷化镓制造的灯泡寿命是普通灯泡的100倍.而耗能只有其10%.推广砷化镓等发光二极管——青夏教育精英家教网—

第ⅢA.VA元素组成的化合物GaN.GaP.GaAs等是人工合成的新型第三代半导体材料.其晶体结构与单晶硅相似. 用砷化镓制造的灯泡寿命是普通灯泡的100倍.而耗能只有其10%.推广砷化镓等发光二极管照明.是节能减排的有效举措.试回答: (1)Ga的基态原子的核外电子排布式为 . (2)下列说法正确的是 . A．砷和镓都属于p区元素 B．第一电离能:Ga＞As C．电负性:As＞Ga D．半导体GaP.SiC与砷化镓互为等电子体 (3)砷化镓是由(CH3)3Ga和AsH3在一定条件下制备得到.同时得到另一物质.该分子是 (填“极性分子或“非极性分子 ).AsH3的空间形状为 .(CH3)3Ga中镓原子的杂化方式为 (4)AsH3的沸点比NH3的低.其原因是 . 【查看更多】

第ⅢA、VA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型第三代半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似．试回答：
（1）Ga的基态原子的价电子的轨道排布式为

1s²2s²2p⁶3d¹⁰4s²4p¹

．
（2）下列说法正确的是

AC

（选填序号）．
A．砷和镓都属于p区元素 B．GaN、GaP、GaAs均为分子晶体
C．电负性：As＞Ga D．第一电离能Ga＞As
（3）GaAs是由（CH₃）₃Ga和AsH₃在一定条件下制得，同时得到另一物质，该物质分子是

非极性分子

（填“极性分子”或“非极性分子”）．（CH₃）₃Ga中镓原子的杂化方式为

sp²

．
（4）如图立方体中心的“●”表示硅晶体中的一个原子，请在立方体的顶点用“●”表示出与之紧邻的硅原子．

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Ⅰ．第ⅢA、VA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型第三代半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似。试回答：

（1）Ga的基态原子的价电子的轨道排布式为。

（2）下列说法正确的是（选填序号）。

A．砷和镓都属于p区元素 B．GaN、GaP、GaAs均为分子晶体

C．电负性：As＞Ga D．第一电离能Ga＞As

（3）GaAs是由(CH₃)₃Ga和AsH₃在一定条件下制得，同时得到另一物质，该物质分子是（填“极性分子”或“非极性分子”）。(CH₃)₃Ga中镓原子的杂化方式为。

Ⅱ．氧化钙晶体的晶胞如图所示，试回答：

（1）晶体中Ca²⁺的配位数为。

（2）已知Ca²⁺的半径为a cm，O^2-的半径为b cm，N_A代表阿伏加德罗常数，

该晶体的密度为 g/cm³。（用含a、b、N_A的代数式表示）

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Ⅰ．第ⅢA、VA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型第三代半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似。试回答：
（1）Ga的基态原子的价电子的轨道排布式为                          。
（2）下列说法正确的是            （选填序号）。
A．砷和镓都属于p区元素   B．GaN、GaP、GaAs均为分子晶体
C．电负性：As＞Ga                  D．第一电离能Ga＞As
（3）GaAs是由(CH₃)₃Ga和AsH₃在一定条件下制得，同时得到另一物质，该物质分子是  （填“极性分子”或“非极性分子”）。(CH₃)₃Ga中镓原子的杂化方式为        。
Ⅱ．氧化钙晶体的晶胞如图所示，试回答：

（1）晶体中Ca²⁺的配位数为             。
（2）已知Ca²⁺的半径为a cm，O^2-的半径为b cm，N_A代表阿伏加德罗常数，
该晶体的密度为         g/cm³。（用含a、b、N_A的代数式表示）