已知A、B、C、D和E都是元素周期表中前20号的元素，它们的原子序数依次增大．A原子的价电子层的p轨道中只有1个电子；B、C、D元素的基态原子具有相同的能层数，B、D元素的原子的p能级上都有1个未成对电子，D原子得一个电子填入3p轨道后，3p轨道已充满，C原子的p轨道中有3个未成对电子；E是同周期第一电离能最小的元素．回答下列问题：
（1）写出下列元素的符号：A、B、C；
（2）上述五种元素中最高价氧化物对应水化物酸性最强的是，（填写化学式）碱性最强的是；（填写电子式）
（3）用元素符号表示D所在周期（除稀有气体元素外）第一电离能最大的元素是，电负性最大的元素是；
（4）在AD₃分子中A元素原子的原子轨道发生的是杂化，分子空间构型为；
（5）将B 的单质投入E的最高价氧化物对应水化物中，发生反应生成物中有此离子[B（OH）₄]^-离子方程式是．
（6）石墨具有平面层状结构，同一层中的原子构成许许多多的正六边形，它与熔融的E单质相互作用，形成某种青铜色的物质（其中的元素E用“●”表示），原子分布如图所示，该物质的化学式为．

（2012?梧州模拟）已知A、B、C、D、E都是周期表中前四周期的元素，它们的核电荷数依次增大．其中A原子核外有三个未成对电子；A与B可形成离子化合物B₃A₂；C元素是地壳中含量最高的金属元素；D原予核外的M层中有两对成对电子；E原子核外最外层只有1个电子，其余各层电子均充满．请根据以上信息，回答下列问题：（答题时，A、B、C、D、E用所对应的元素符号表示）
（1）E的核外电子排布式是，A、B、C、D的第一电离能由小到大的顺序为．
（2）B的氯化物的熔点远高于C的氯化物的熔点，理由是；
（3）A的最高价含氧酸根离子中，其中心原子采取杂化，D的低价氧化物分子的空间构型是．
（4）A、E形成某种化合物的晶胞结构如下图所示，则其化学式为；（每个球均表示1个原子）

（2011?开封一模）[化学--选修物质结构与性质]
已知A、B、C、D和E都是元素周期表中前36号的元素，它们的原子序数依次增大．A与其他4种元素既不在同一周期又不在同一主族．B原子的L层p轨道中有5个电子；C是周期表中1-18列中的第14列元素；D和E属同一周期，又知E原子的L层电子数与最外层电子数之比为4：1，其d轨道中的电子数与最外层电子数之比为5：1，D跟B可形成离子化合物，其晶胞结构如图．请回答：
（1）A与c形成的共价化合物的分子式是，杂化轨道是，分子的立体结构是．
（2）B与C比较，电负性较小的是（填元素符号）；B与c形成的化合物晶体类型是．    
（3）E属元素周期表中第周期，第族的元素，其元素名称是，它的+2价离子的电子排布式为．
（4）从图中可以看出，D踉B形成的离子化合物的化学式为；若设该晶胞的边长为a cm，则该离子化合物晶体的密度是（只要求列出算式）．

（2009?宿迁模拟）已知A、B、C、D、E都是周期表中前四周期的元素，它们的核电荷数A＜B＜C＜D＜E．其中B、D、E原子最外电子层的p能级（轨道）上的电子处于半满状态．通常情况下，A的一种氧化物分子为非极性分子，其晶胞结构如右下图所示．原子序数为31的元素镓（Ga）与元素B形成的一种化合物是继以C单质为代表的第一代半导体材料和GaE为代表的第二代半导体材料之后，在近10年迅速发展起来的第三代新型半导体材料．
试回答下列问题：（答题时，A、B、C、D、E用所对应的元素符号表示）
（1）基态Ga原子的核外电子排布式为．
（2）A、B、C的第一电离能由大到小的顺序为．
（3）B元素的单质分子中有个π键，与其互为等电子体的物质的化学式可能为（任写一种）．
（4）上述A的氧化物分子的中心原子采取杂化，其晶胞中微粒间的作用力为．
（5）EH₃分子的空间构型为，其沸点与BH₃相比（填“高”或“低”），原因是．
（6）向CuSO₄溶液中逐滴加入BH₃的水溶液，得到深蓝色的透明溶液．请写出该反应的离子方程式．

（2011?郑州二模）[化学--选修物质结构与性质]
已知A、B、C、D、E都是元素周期表中的前20号元素，它们的原子序数依次增大．B、C、D同周期，A、D同主族，B，C、D的最高价氧化物的水化物两两混合均能发生反应生成盐和水．E元素的原子核外共有20种不同运动状态的电子，且E的原子序数比D大4．
（1）B、C的第一电离能较大的是（填元素符号）．
（2）A的氢化物的分子空间构型为，其中心原子采取杂化．
（3）A和D的氢化物中，沸点较高的是（填化学式），其原因是．
（4）仅由A与B元素组成，且含有非极性键的化合物是（填化学式）．
（5）E的核外电子排布式是．
（6）B的最高价氧化物对应的水化物，其溶液与C单质反应的化学方程式是．
（7）E单质在A单质中燃烧时得到一种白色晶体，其晶体的晶胞结构如右图所示，则该晶体的化学式为．