题目列表(包括答案和解析)
1、串联
I1 = I2 R = R1 + R2 U = U1 + U2
导体中的电流是由大量的自由电子的定向移动而形成的,而电流的周国又有磁场,所以电流的磁场应该是由于电荷的运动产生的.那么,磁铁的磁场是否也是由电荷的运动产生的呢?
安培提出在磁铁中分子、原于存在着一种环形电流一一分子电流,分子电流使每个物质微粒都成为微小的磁体.
磁铁的分子电流的取向大致相同时,对外显磁性;磁铁的分子电流取向杂乱无章时,对外不显磁性。
近代的原子结构理论证实了分子电流的存在.
根据物质的微观结构理论,微粒原子由原子核和核外电子组成,原子核带正电,核外电子带负电,电子在库仑力的作用下,绕核高速旋转,形成分子电流.可见,磁铁和电流的磁场本质上都是运动电荷产生的
例题举例
[例1] 半导体靠自由电子(带负电)和空穴(相当于带正电)导电,分为p型和n型两种。p型中空穴为多数载流子;n型中自由电子为多数载流子。用以下实验可以判定一块半导体材料是p型还是n型:将材料放在匀强磁场中,通以图示方向的电流I,用电压表判定上下两个表面的电势高低,若上极板电势高,就是p型半导体;若下极板电势高,就是n型半导体。试分析原因。
解:分别判定空穴和自由电子所受的洛伦兹力的方向,由于四指指电流方向,都向右,所以洛伦兹力方向都向上,它们都将向上偏转。p型半导体中空穴多,上极板的电势高;n型半导体中自由电子多,上极板电势低。[
[例2] 如图直线MN上方有磁感应强度为B的匀强磁场。正、负电子同时从同一点O以与MN成30°角的同样速度v射入磁场(电子质量为m,电荷为e),它们从磁场中射出时相距多远?射出的时间差是多少?]
解:由公式知,它们的半径和周期是相同的。只是偏转方向相反。先确定圆心,画出半径,由对称性知:射入、射出点和圆心恰好组成正三角形。所以两个射出点相距2r,由图还可看出,经历时间相差2T/3。答案为射出点相距,时间差为。关键是找圆心、找半径和用对称。
[例3]长为L的水平极板间,有垂直纸面向内的匀强磁场,如图所示,磁感强度为B,板间距离也为L,板不带电,现有质量为m,电量为q的带正电粒子(不计重力),从左边极板间中点处垂直磁感线以速度v水平射入磁场,欲使粒子不打在极板上,可采用的办法是:
A.使粒子的速度v<BqL/4m;
B.使粒子的速度v>5BqL/4m;
C.使粒子的速度v>BqL/m;
D.使粒子速度BqL/4m<v<5BqL/4m。
解析:由左手定则判得粒子在磁场中间向上偏,而作匀速圆周运动,很明显,圆周运动的半径大于某值r1时粒子可以从极板右边穿出,而半径小于某值r2时粒子可从极板的左边穿出,现在问题归结为求粒子能在右边穿出时r的最小值r1以及粒子在左边穿出时r的最大值r2,由几何知识得:
粒子擦着板从右边穿出时,圆心在O点,有:
r12=L2+(r1-L/2)2得r1=5L/4,
又由于r1=mv1/Bq得v1=5BqL/4m,∴v>5BqL/4m时粒子能从右边穿出。
粒子擦着上板从左边穿出时,圆心在O'点,有r2=L/4,又由r2=mv2/Bq=L/4得v2=BqL/4m[
∴v2<BqL/4m时粒子能从左边穿出。综上可得正确答案是A、B。
(1) 蹄形磁铁和铁芯间的磁场是均匀地福向分布的.
(2)铝框上绕有线囵,铝框转轴上装有两个螺旋弹簧和一个指针.
2.轨道半径和周期
半径
周期
周期与速率无关,对于确定的磁场,周期取决于荷质比。
1、运动状态
|
f ⊥ v,洛伦兹力不做功,速率不变
f = q v B,充当向心力
2、三个完全相同的金属带电球,同一高度,同时下落
(1)落地速度V1 = V3 < V2 (2)下落时间 t1 = t2 < t3
1、判断三种粒子电荷的正负
已知:I ⊥ B匀强、导线截面积s、
电荷电量q、电荷定向移动速率v]
单位体积内电荷数n、导线长度L
|
4、q、v、B三者有一个或三个“反向”,则f变向
若有两个“反向”则f反向不变
(1)电荷静止,f=0(2)v∥B, f=0(3)v⊥B,f 最大
3、 f ⊥B f ⊥ v
湖北省互联网违法和不良信息举报平台 | 网上有害信息举报专区 | 电信诈骗举报专区 | 涉历史虚无主义有害信息举报专区 | 涉企侵权举报专区
违法和不良信息举报电话:027-86699610 举报邮箱:58377363@163.com