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    图甲中bacd为导体作成的框架.其平面与水平面成θ角.质量为m的导体棒PQ与ab.cd接触良好.回路的电阻为R.整个装置放于垂直于框架平面的变化的磁场中.磁感应强度的变化如图乙.PQ始终静止.在0―ts内.PQ受到的摩擦力的变化情况可能是A.f一直增大 B.f一直减小C.f先减小后增大 D.f先增大后减小 【查看更多】

     

    题目列表(包括答案和解析)

    图甲中bacd为导体作成的框架，其平面与水平面成θ角。质量为m的导体棒PQ与ab、cd接触良好，回路的总电阻为R，整个装置放于垂直于框架平面的变化的磁场中，磁感应强度的变化如图乙所示。已知PQ始终静止，则在0~t0s内，PQ受到的摩擦力f的变化情况可能是

    A．f一直增大

    B．f一直减小

    C．f先减小后增大

    D．f先增大后减小

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    图甲中bacd为导体作成的框架，其平面与水平面成θ角，质量为m的导体棒PQ与ab、cd接触良好，回路的电阻为R，整个装置放于垂直于框架平面的变化的磁场中，磁感应强度的变化如图乙，PQ始终静止，在0－ts内，PQ受到的摩擦力的变化情况可能是：

    A．f一直增大

    B．f一直减小

    C．f先减小后增大

    D．f先增大后减小

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