21.位于竖直平面内的矩形导线框abcd.ab长为L1=1.0 m.bc长为L2=0.5 m.线框的质量m=0.2kg.电阻R=2Ω.其下方有一匀强磁场区域.该区域的上下边界和均与ab平行.两边界间距离为H(H>L2).磁场的磁感应强度B=1.0T.方向与线框平面垂直.如图18所示.令线框的cd边从距离为h=0.7m处自由下落.已知线框的cd边进入磁场以后.ab边到达边界前的某一时刻.线框的速度已达到这一阶段的最大值.求:(1)该最大速度是多少? 查看更多

 

题目列表(包括答案和解析)

位于竖直平面内的矩形导线框abcd,ab长为L1,是水平的,bc长为L2,导线框的质量为m,电阻为R,其下方有一匀强磁场区域,该区域的上、下边界均与ab平行,两边界间的距离为HHL2,磁场的磁感应强度为B,方向与线框平面垂直,如图所示.现让线框从dc边离磁场区域上边界的距离为h处自由下落,已知在线框的dc边进入磁场以后,ab边到达边界之前的某一时刻线框的速度已达到这一阶段的最大值.问:

(1)速度的最大值vm是多少?

(2)从线框开始下落到dc边刚刚到达磁场区域下边界的过程中,克服安培力做的总功为多少?

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(20分)位于竖直平面内的矩形平面导线框abcd。ab长为l1,是水平的,bc长为l2,线框的质量为m,电阻为R.。其下方有一匀强磁场区域,该区域的上、下边界PP′和QQ′均与ab平行,两边界间的距离为H,H>l2,磁场的磁感应强度为B,方向与线框平面垂直,如图所示。令线框的dc边从离磁场区域上边界PP′的距离为h处自由下落,已知在线框的dc边进入磁场后,ab边到达边界PP′之前的某一时刻线框的速度已达到这一阶段的最大值。问从线框开始下落到dc边刚刚到达磁场区域下边界QQ′的过程中,磁场作用于线框的安培力作的总功为多少?

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位于竖直平面内的矩形平面导线框abcd,ab长L1=1.0m,是水平的,bd长L2=0.5m,线框的质量m=0.2kg,电阻R=2Ω,其下方有一匀强磁场区域,该区域的上、下边界PP′和QQ′均与ab平行,两边界间距为H,H>L,磁场的磁感应强度B=1.0T,方向与线框平面垂直,令线框的dc边从离磁场上边界的距离为h=0.7 m处自由下落,已知线框的dc边进入磁场后,ab边到达PP′之前的某一时刻线框的速度已达到这一阶段的最大值,问从线框开始下落到dc边刚刚到达磁场区域下边界QQ′的过程中,磁场作用于线框的安培力做的总功是多少?

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精英家教网如图所示,位于竖直平面内的矩形单匝导线框abcd,其下方有一匀强磁场区域,该区域的上边界PP?水平且与ab边平行,方向与线框平面垂直.已知磁场的磁感应强度为B,线框边长ab=L1,ad=L2,线框质量为m.令线框的dc边从距磁场区域边界PP?的高度h处由静止开始下落,线框刚好匀速进入磁场区域.
(1)求线框的电阻R.
(2)求线框在进入磁场的过程中,通过线框导线横截面积的电荷量q.
(3)若将线框从dc边距磁场区域边界PP?的高度H处由静止开始下落,当线框的一半进入磁场时,线框刚好开始匀速下落,求线框进入磁场的过程中产生的焦耳热Q.

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如图所示,位于竖直平面内的矩形平面单匝导线框abcd,其下方有一匀强磁场区域,该区域的上边界PP′水平,并与线框的ab边平行,磁场方向与线框平面垂直.已知磁场的磁感应强度为B,线框ab边长为L1,ad边长为L2,线框质量为m.令线框的dc边从离磁场区域边界PP′的高度为h处由静止开始下落,线框刚好匀速进入磁场区域.
(1)求线框的电阻R.
(2)求线框在进入磁场的过程中,通过线框导线横截面的电荷量q.
(3)若将线框从dc边离磁场区域边界PP′的高度为H处由静止开始下落,当线框的一半进入磁场时,线框刚好开始匀速下落,求线框进入磁场过程中,安培力做的总功W.
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