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  • 试题
    6~1.0T,不考虑磁场对电路其它部分的影响).要求误差较小. 提供的器材如下: A．磁敏电阻.无磁场时阻值Ro=150Ω B．滑动变阻器R.全电阻约20Ω C．电流表④.量程2.5mA.内阻约30Ω D．电压表⑦.量程3v.内阻约3kΩ E．直流电源E.电动势3v.内阻不计 F．开关S.导线若千 (2)正确接线后.将磁敏电阻置人待测磁场中．测量数据如下表: l 2 3 4 5 6 U(V) 0.00 0.45 0.91 1.50 1.79 2.71 I(mA) 0.00 0.30 0.60 1.00 1.20 1.80 根据上表可求出磁敏电阻的测量值RB=＿＿＿＿＿＿Ω. 结合图l 可知待测磁场的磁感应强度B =＿＿＿＿＿＿T . ( 3 )试结合图l 简要回答.磁感应强度B 在0 ~0.2T 和0.4 ~1.0T 范围内磁敏电阻阻值的变化规律有何不同? ( 4 )某同学查阅相关资料时看到了图3 所示的磁敏电阻在一定温度下的电阻~磁感应强度特性曲线.由图线可以得到什么结论? 答案:( l )如右图所示 ( 2 ) 1500 0.90 ( 3 )在0 ~0.2T 范围内.磁敏电阻的阻值随磁感应强度非线性变化,在0 . 4 ~1 .0T 范围内.磁敏电阻的阻值随磁感应强度线性变化磁场反向．磁敏电阻的阻值不变. 某同学利用图(a)所示的电路研究灯泡L1.L2的发光情况.图(b)为实物图. (1)他分别将L1.L2接入图(a)中的虚线框位置.移动滑动变阻器的滑片P.当电压表示数为6V时.发现灯泡均能正常发光.在图(b)中用笔线代替导线将电路连线补充完整. (2)接着他将L1和L2串联后接入图(a)中的虚线框位置.移动滑动变阻器的滑片P.当电压表示数为6V时.发现其中一个灯泡亮而另一个灯泡不亮.出现这种现象的原因是＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿. 现有如下器材:电源E.灯泡L1.L2.L2.单刀双掷开关S.在图(c)中设计一个机动车转向灯的控制电路:当单刀双掷开关S与1相接时.信号灯L1亮.右转向灯L2亮而左转向灯L3不亮,当单刀双掷开关S与2相接时.信号灯L1亮.左转向灯L3亮而右转向灯L2不亮. 答案:(1)如图b (2)由于RL2比RL1小得多.灯泡L2分得的电压很小.虽然有电流渡过.但功率很小.不能发光. (3)如图c 解析:由于灯泡L2和L1额定电压相同.灯泡L2功率大得多.故RL2比RL1小得多.灯泡L2分得的电压很小.虽然有电流渡过.但功率很小.不能发光. 【查看更多】

     

    题目列表(包括答案和解析)

    2007年诺贝尔物理学奖授予了两位发现“巨磁电阻”效应的物理学家．材料的电阻随磁场的增加而增大的现象称为磁阻效应，利用这种效应可以测量磁感应强度．

    若图1为某磁敏电阻在室温下的电阻－磁感应强度特性曲线，其中RB、RO分别表示有、无磁敏电阻的阻值．为了测量磁感应强度B，需先测量磁敏电阻处于磁场中的电阻值RB．请按要求完成下列实验．

    (1)设计一个可以测量磁场中该磁敏电阻阻值的电路，在图2的虚线框内画出实验电路原理图(磁敏电阻及所处磁场已给出，待测磁场磁感应强度大小约为0.6～1.0 T，不考虑磁场对电路其它部分的影响)．要求误差较小．

    提供的器材如下：

    A．磁敏电阻，无磁场时阻值R0＝150 Ω

    B．滑动变阻器R，全电阻约20 Ω

    C．电流表，量程2.5 mA，内阻约30 Ω

    D．电压表，量程3 V，内阻约3 kΩ

    E．直流电源E，电动势3V，内阻不计

    F．开关S，导线若干

    (2)正确接线后，将磁敏电阻置入待测磁场中，测量数据如下表：

    根据上表可求出磁敏电阻的测量值RB＝________Ω，结合图1可知待测磁场的磁感应强度B＝________T．

    (3)试结合图1简要回答，磁感应强度B在0～0.2T和0.4～1.0T范围内磁敏电阻阻值的变化规律有何不同？

    (4)某同学查阅相关资料时看到了图3所示的磁敏电阻在一定温度下的电阻－磁感应强度特性曲线(关于纵轴对称)，由图线可以得到什么结论？

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    2007年诺贝尔物理学奖授予了两位发现“巨磁电阻”效应的物理学家。材料的电阻随磁场的增加而增大的现象称为磁阻效应，利用这种效应可以测量磁感应强度。

      若图1为某磁敏电阻在室温下的电阻-磁感应强度特性曲线，其中RB、RO分别表示有、无磁敏电阻的阻值。为了测量磁感应强度B，需先测量磁敏电阻处于磁场中的电阻值RB。请按要求完成下列实验。

    （1）设计一个可以测量磁场中该磁敏电阻阻值的电路，在图2的虚线框内画出实验电路原理图（磁敏电阻及所处磁场已给出，待测磁场磁感应强度大小约为0.6～1.0T，不考虑磁场对电路其它部分的影响）。要求误差较小。

         提供的器材如下：

         A.磁敏电阻，无磁场时阻值

         B.滑动变阻器R，全电阻约

         C.电流表，量程2.5mA,内阻约

         D.电压表，量程3V，内阻约3k

         E.直流电源E，电动势3V，内阻不计

         F.开关S，导线若干

    （2）正确接线后，将磁敏电阻置入待测磁场中，测量数据如下表：

    1

    2

    3

    4

    5

    6

    U（V）

    0.00

    0.45

    0.91

    1.50

    1.79

    2.71

    I（mA）

    0.00

    0.30

    0.60

    1.00

    1.20

    1.80

    根据上表可求出磁敏电阻的测量值RB=          ，结合图1可知待测磁场的磁感

    应强度B＝           T。

    （3）试结合图1简要回答，磁感应强度B在0～0.2T和0.4～1.0T范围内磁敏电阻阻值的变化规律有何不同？

    （4）某同学查阅相关资料时看到了图3所示的磁敏电阻在一定温度下的电阻-磁感应强度特性曲线（关于纵轴对称），由图线可以得到什么结论？

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    2007年诺贝尔物理学奖授予了两位发现“巨磁电阻”效应的物理学家。材料的电阻随磁场的增加而增大的现象称为磁阻效应，利用这种效应可以测量磁感应强度。
    若图1为某磁敏电阻在室温下的电阻-磁感应强度特性曲线，其中RB、RO分别表示有、无磁敏电阻的阻值。为了测量磁感应强度B，需先测量磁敏电阻处于磁场中的电阻值RB。请按要求完成下列实验。

    （1）设计一个可以测量磁场中该磁敏电阻阻值的电路，在图2的虚线框内画出实验电路原理图（磁敏电阻及所处磁场已给出，待测磁场磁感应强度大小约为0.6～1.0T，不考虑磁场对电路其它部分的影响）。要求误差较小。
    提供的器材如下：

    A.磁敏电阻，无磁场时阻值
    B.滑动变阻器R，全电阻约
    C.电流表，量程2.5mA,内阻约
    D.电压表，量程3V，内阻约3k
    E.直流电源E，电动势3V，内阻不计
    F.开关S，导线若干
    （2）正确接线后，将磁敏电阻置入待测磁场中，测量数据如下表：

     
    		1
    		2
    		3
    		4
    		5
    		6
    U（V）
    		0.00
    		0.45
    		0.91
    		1.50
    		1.79
    		2.71
    I（mA）
    		0.00
    		0.30
    		0.60
    		1.00
    		1.20
    		1.80
    根据上表可求出磁敏电阻的测量值RB=         ，结合图1可知待测磁场的磁感
    应强度B＝          T。
    （3）试结合图1简要回答，磁感应强度B在0～0.2T和0.4～1.0T范围内磁敏电阻阻值的变化规律有何不同？
    （4）某同学查阅相关资料时看到了图3所示的磁敏电阻在一定温度下的电阻-磁感应强度特性曲线（关于纵轴对称），由图线可以得到什么结论？

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    2007年诺贝尔物理学奖授予了两位发现“巨磁电阻”效应的物理学家。材料的电阻随磁场的增加而增大的现象称为磁阻效应，利用这种效应可以测量磁感应强度。
    若图1为某磁敏电阻在室温下的电阻-磁感应强度特性曲线，其中RB、RO分别表示有、无磁敏电阻的阻值。为了测量磁感应强度B，需先测量磁敏电阻处于磁场中的电阻值RB。请按要求完成下列实验。

    （1）设计一个可以测量磁场中该磁敏电阻阻值的电路，在图2的虚线框内画出实验电路原理图（磁敏电阻及所处磁场已给出，待测磁场磁感应强度大小约为0.6～1.0T，不考虑磁场对电路其它部分的影响）。要求误差较小。
    提供的器材如下：

    A.磁敏电阻，无磁场时阻值
    B.滑动变阻器R，全电阻约
    C.电流表，量程2.5mA,内阻约
    D.电压表，量程3V，内阻约3k
    E.直流电源E，电动势3V，内阻不计
    F.开关S，导线若干
    （2）正确接线后，将磁敏电阻置入待测磁场中，测量数据如下表：
     
    		1
    		2
    		3
    		4
    		5
    		6
    U（V）
    		0.00
    		0.45
    		0.91
    		1.50
    		1.79
    		2.71
    I（mA）
    		0.00
    		0.30
    		0.60
    		1.00
    		1.20
    		1.80
    根据上表可求出磁敏电阻的测量值RB=         ，结合图1可知待测磁场的磁感
    应强度B＝          T。
    （3）试结合图1简要回答，磁感应强度B在0～0.2T和0.4～1.0T范围内磁敏电阻阻值的变化规律有何不同？
    （4）某同学查阅相关资料时看到了图3所示的磁敏电阻在一定温度下的电阻-磁感应强度特性曲线（关于纵轴对称），由图线可以得到什么结论？

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    2007年诺贝尔物理学奖授予了两位发现“巨磁电阻”效应的物理学家。材料的电阻随磁场的增加而增大的现象称为磁阻效应，利用这种效应可以测量磁感应强度。

      若图1为某磁敏电阻在室温下的电阻-磁感应强度特性曲线，其中RB、RO分别表示有、无磁敏电阻的阻值。为了测量磁感应强度B，需先测量磁敏电阻处于磁场中的电阻值RB。请按要求完成下列实验。

    （1）设计一个可以测量磁场中该磁敏电阻阻值的电路，在图2的虚线框内画出实验电路原理图（磁敏电阻及所处磁场已给出，待测磁场磁感应强度大小约为0.6～1.0T，不考虑磁场对电路其它部分的影响）。要求误差较小。

         提供的器材如下：

         A.磁敏电阻，无磁场时阻值

         B.滑动变阻器R，全电阻约

         C.电流表，量程2.5mA,内阻约

         D.电压表，量程3V，内阻约3k

         E.直流电源E，电动势3V，内阻不计

         F.开关S，导线若干

    （2）正确接线后，将磁敏电阻置入待测磁场中，测量数据如下表：

    1

    2

    3

    4

    5

    6

    U（V）

    0.00

    0.45

    0.91

    1.50

    1.79

    2.71

    I（mA）

    0.00

    0.30

    0.60

    1.00

    1.20

    1.80

    根据上表可求出磁敏电阻的测量值RB=          ，结合图1可知待测磁场的磁感应强度B＝           T。

    （3）试结合图1简要回答，磁感应强度B在0～0.2T和0.4～1.0T范围内磁敏电阻阻值的变化规律有何不同？

    （4）某同学查阅相关资料时看到了图3所示的磁敏电阻在一定温度下的电阻-磁感应强度特性曲线（关于纵轴对称），由图线可以得到什么结论？

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