7．如图甲所示.abcd为导体做成的框架.其平面与水平面成θ角.质量为m的导体棒PQ与ad.bc接触良好.回路的总电阻为R.整个装置放在垂直于框架平面的变化磁场中.磁场的磁感应强度B随时间t变化情况如——青夏教育精英家教网—

7．如图甲所示.abcd为导体做成的框架.其平面与水平面成θ角.质量为m的导体棒PQ与ad.bc接触良好.回路的总电阻为R.整个装置放在垂直于框架平面的变化磁场中.磁场的磁感应强度B随时间t变化情况如图乙所示(设图甲中B的方向为正方向).若PQ始终静止.关于PQ与框架间的摩擦力在 0-t1时间内的变化情况.有如下判断( ) (A)一直增大 (B)一直减小 (C)先减小后增大 (D)先增大后减小【查看更多】

如图甲所示，abcd为导体做成的框架，其平面与水平面成θ角．质量为m的导体棒PQ与ad、bc接触良好，回路的总电阻为R．整个装置放在垂直于框架平面的变化磁场中，磁场的磁感应强度B随时间t变化情况如图乙所示（设图甲中B的方向为正方向）．若PQ始终静止，关于PQ与框架间的摩擦力在 0～t₁时间内的变化情况，有如下判断
①一直增大
②一直减小
③先减小后增大
④先增大后减小
以上对摩擦力变化情况的判断可能的是（　　）

A．①④

B．①③

C．②③

D．②④

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如图甲所示，abcd为导体做成的框架，其平面与水平面成θ角，质量为m的导体棒PQ与ab、cd接触良好，回路总电阻为R，整个装置放在垂直于框架平面的变化的磁场中，磁场的磁感应强度变化如图乙所示，PQ始终静止.关于PQ与ab、cd间的摩擦力F_f在0到t₁（s）内的变化情况的说法中，可能正确的是（）

A.F_f一直增大 B.F_f一直减小

C.F_f先减小后增大 D.F_f先增大后减小

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如图甲所示，abcd为导体做成的框架，其平面与水平面成θ角，质量为m的导体棒PQ与ab、cd接触良好，回路的总电阻为R，整个装置放在垂直于框架平面的变化磁场中，磁场的磁感应强度B的变化情况如图乙所示（取图中B的方向为正方向）．而PQ始终保持静止．则下列关于PQ与框架间的摩擦力在时间0～t₁内的变化情况的说法中，有可能正确的是（　　）

A．一直不变	B．一直减小
C．先减小，后增大	D．先增大，后减小

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如图甲所示，abcd为导体做成的框架，其平面与水平面成θ角，质量为m的导体棒PQ与ab、cd接触良好，回路的总电阻为R，整个装置放在垂直于框架平面的变化磁场中，磁场的磁感应强度B的变化情况如图乙所示（取图中B的方向为正方向）．而PQ始终保持静止．则下列关于PQ与框架间的摩擦力在时间0～t₁内的变化情况的说法中，有可能正确的是（）

A．一直不变
B．一直减小
C．先减小，后增大
D．先增大，后减小

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如图甲所示，abcd为导体做成的框架，其平面与水平面成θ角，质量为m的导体棒PQ与ab、cd接触良好，回路的总电阻为R，整个装置放在垂直于框架平面的变化磁场中，磁场的磁感应强度B的变化情况如图乙所示（取图中B的方向为正方向）．而PQ始终保持静止．则下列关于PQ与框架间的摩擦力在时间0～t₁内的变化情况的说法中，有可能正确的是（）

A．一直不变
B．一直减小
C．先减小，后增大
D．先增大，后减小

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