21.正方形abcd内有方向如图的场强为E的匀强电场和磁感应强度为B的匀强磁场.质子流从ad边的中点O以初速度v0.沿着与ab平行的方向射入正方形区域.若撤去匀强磁场.质子将达到b点,若撤去匀强电场.质子将打到c点.求: (1)电场强度与磁感应强度之比E∶B (2)当匀强电场和匀强磁场同时存在时.为使质子沿原方向射入后能做直线运动而打到bc边的中点O/.其初速度应调整为v0的多少倍? 查看更多

 

题目列表(包括答案和解析)

 正方形abcd内有方向如图的场强为E的匀强电场和磁感应强度为B的匀强磁场。质子流从ad边的中点O以初速度v0,沿着与ab平行的方向射入正方形区域。若撤去匀强磁场,质子将达到b点;若撤去匀强电场,质子将打到c点。求:⑴EB ⑵当匀强电场和匀强磁场同时存在时,为使质子沿原方向射入后能做直线运动而打到bc边的中点O/,其初速度应调整为v0的多少倍?

 

 

 

 

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 正方形abcd内有方向如图的场强为E的匀强电场和磁感应强度为B的匀强磁场。质子流从ad边的中点O以初速度v0,沿着与ab平行的方向射入正方形区域。若撤去匀强磁场,质子将达到b点;若撤去匀强电场,质子将打到c点。求:⑴EB  ⑵当匀强电场和匀强磁场同时存在时,为使质子沿原方向射入后能做直线运动而打到bc边的中点O/,其初速度应调整为v0的多少倍?

 

 

 

 

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正方形abcd内有方向如图的场强为E的匀强电场和磁感应强度为B的匀强磁场.质子流从ad边的中点O以初速度v0,沿着与ab平行的方向射入正方形区域.若撤去匀强磁场,质子将达到b点;若撤去匀强电场,质子将打到c点.求:

(1)EB

(2)当匀强电场和匀强磁场同时存在时,为使质子沿原方向射入后能做直线运动而打到bc边的中点,其初速度应调整为v0的多少倍?

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如图所示,abcd是一个正方形盒子.cd边的中点有一个小孔e.盒子中有沿ad方向的匀强电场.一个质量为m带电量为q的粒子从a处的小孔沿ab方向以初速度v0射入盒内,并恰好从e处的小孔射出.(忽略粒子重力)求:
(1)该带电粒子从e孔射出的速度大小.
(2)该过程中电场力对该带电粒子做的功.
(3)若正方形的边长为l,试求该电场的场强.

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如图所示,正方形区域abcd边长L=8cm,内有平行于ab方向指向BC边的匀强电场,场强E=3750V/m,一带正电的粒子电量q=10-10C,质量m=10-20kg,沿电场中心线RO飞入电场,初速度v0=2×106m/s,粒子飞出电场后经过界面cd、PS间的无电场区域后,进入固定在O点的点电荷Q形成的电场区域,一进入该区域即开始做匀速圆周运动(设点电荷左侧的电场分布以界面PS为界限,且不受PS影响).已知cd、PS相距12cm,粒子穿过PS最后垂直打在放置于中心线上的荧光屏MN上.(静电力常数k=9×109Nm2/C2)试求:

(1)粒子穿过界面PS时偏离中心线OR的距离y;
(2)粒子穿过界面PS时的速度大小与方向;
(3)O点与PS面的距离x;
(4)点电荷Q的电性及电量大小.

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同步练习册答案