题目列表(包括答案和解析)
| A、IVA族元素氢化物沸点顺序是：GeH4＞SiH4＞CH4；则VA族元素氢化物沸点顺序也是：AsH3＞PH3＞NH3 | B、碳和硅都是IVA族元素，Si和SiO2都是原子晶体； 则C和CO2也是原子晶体 | C、卤族元素最高价氧化物的水化物酸性：HClO4＞HBrO4＞HIO4；则也有酸性：盐酸＞氢溴酸＞氢碘酸 | D、第二周期元素氢化物的稳定性顺序是：HF＞H2O＞NH3；则第三周期元素氢化物的稳定性顺序也是：HCl＞H2S＞PH3 |
“类推”是一种常用的学习方法，但有时会产生错误的结论，下列类推结论中正确的是( )
A.ⅣA族元素氢化物沸点顺序是：GeH4>SiH4>CH4；则ⅤA族元素氢化物沸点顺序也是：AsH3>PH3>NH3
B.第二周期元素氢化物的稳定性顺序是：HF>H2O>NH3；则第三周期元素氢化物的稳定性顺序也是：HCl>H2S>PH3
C.晶体中有阴离子，必有阳离子；则晶体中有阳离子，必有阴离子
D.干冰(CO2)是分子晶体，则SiO2也是分子晶体
“类推”是一种常用的学习方法，但有时会产生错误的结论，下列类推结论中正确的是
| A．IVA族元素氢化物沸点顺序是：GeH4>SiH4>CH4；则VA族元素氢化物沸点顺序也是： AsH3>PH3>NH3 |
| B．第二周期元素氢化物的稳定性序是：HF>H2O>NH3, 则第三周期元素氢化物的稳定性顺序也是：HCl>H2S>PH3 |
| C．晶体中有阴离子，必有阳离子；则晶体中有阳离子，必有阴离子 |
| D．干冰（CO2）是分子晶体，则SiO2也是分子晶体 |
“类推”是一种常用的学习方法，但有时会产生错误的结论，下列类推结论中正确的是
A．IVA族元素氢化物沸点顺序是：GeH4>SiH4>CH4；则VA族元素氢化物沸点顺序也是： AsH3>PH3>NH3
B．第二周期元素氢化物的稳定性序是：HF>H2O>NH3, 则第三周期元素氢化物的稳定性顺序也是：HCl>H2S>PH3
C．晶体中有阴离子，必有阳离子；则晶体中有阳离子，必有阴离子
D．干冰（CO2）是分子晶体，则SiO2也是分子晶体
“类推”是一种常用的学习方法，但有时会产生错误的结论，下列类推结论中正确的是
A．IVA族元素氢化物熔点顺序是：GeH4>SiH4>CH4；则VA族元素氢化物熔点顺序也是：AsH3>PH3>NH3
B．第二周期元素氢化物的稳定性顺序是：HF>H2O>NH3； 则第三周期元素氢化物的稳定性顺序也是：HCl>H2S>PH3
C．工业上用电解氯化镁制备镁单质，工业上也可用电解氯化铝制备铝单质
D．Fe3O4可改写成氧化物的形式为：FeO·Fe2O3 ；因此Pb3O4也可改写为：PbO·Pb2O3
生物部分
BDDCBC
30．Ⅰ．（1）光强 低
（2）气孔开度影响二氧化碳进入叶片的量。气孔开度越大，进入叶片的二氧化碳越多，光合速率越高
（3）日出后光合速率逐渐提高，达到高峰后逐渐降低 （4）三碳化合物
Ⅱ．适宜的可见光 同等强度的可见光和一定强度的紫外光
高度（生长状况和高度） 两组植株中3-亚甲基氧代吲哚含量
甲组植株生长高于乙组，甲组中3-亚甲基氧代吲哚含量少于乙组。
31．Ⅰ．（1） 基因突变 （变异来源） X 显 礼服 白金
（2）请你用遗传图解解释此现象。（要求写出配子）
遗传图解（略）
（3） 雄,二。
Ⅱ。（1）生殖隔离 （2） 基因重组（3）aabb（写出两对隐性基因即可）
化学部分
BBACCAC
26．（1）①（NH4）2CO3[或NH4HCO3] ②吸收水和二氧化碳
（2） ①4NH3+5O2
4NO+6H2O
2NO+O2====2NO2
②2NO2（气）
N2O4（气）+热量，降低温度使平衡正向移动，部分红棕色NO2转化为无色N2O4。
（3）①先通入O2，后通入NH3。若先通氨气，氨在空气中不能点燃，逸出造成污染。
②4NH3+3O2
2N2+6H2O
27．（1）2SO2（g）＋O2（g）
2SO3（g） △H＝－196.6 kJ?mol-1
（2） Al2（SO4）3 H2SO4或H2SO3或H2CO3（其它合理答案也可） 1014―
（3）① 4H+ + AlO2－ = Al3+ + 2H2O（1分）Al3+ + 3 AlO2－ +6H2O = 4Al（OH）3↓（2分）
②c（Na+）>c（SO42－）>c（HCO3－）>c（OH－）>c（H+）>（CO32－）（3分）
28．（1）2Mg+CO2=2MgO+C
（2）将D溶液在HCl气流中蒸干
（3）②4NH3+5O2 
4NO+6H2O
（4）C+4HNO3（浓）
CO2+4NO2↑+2H2O
（5）2NH4++2e- = 2NH3↑+H2↑
29．（10分）I （1） 1 3 （2）A、D （3）保护D分子中其他羟基不被氧化
（4）
II
物理部分
二、选择题（每小题6分，共48分）
14
15
16
17
18
19
20
21
A
B
A
C
CD
AD
B
AC
第II卷
22．（1）①如图（4分） ②23-26（4分）
（2）①ABDF……………………（3分）
②如图右所示.……………………（3分）
③大于23W小于24W；……………（3分）
④
23．（15分）
（1）t=0.5s 2分
VX=
V0=
m/s 3分
（2）由平抛运动得vt=1m/s 2分
a=12m/s2 3分
f=1.2mg 2分
24．（17分）（1）由机械能守恒定律得：Mgh－mgh=
（M+m）v
①（3分）
解得v1=
②（3分）
（2）设线框ab边进入磁场Ⅱ时速度为v2，则线框中产生的感应电动势：
E=2BLv2 ③（2分）
线框中的电流I=
④（1分）
线框受到的安培力F=2IBL=
⑤（3分）
设绳对A1、A2的拉力大小为T，则：
对A1：T+F=Mg ⑥（1分）
对A2：T=mg ⑦（1分）
联立⑤⑥⑦解得：v2=
⑧（3分）
25．（22分）
解析：（1）由
，即重力与电场力平衡
|
，即小球飞离磁场时速度方向垂直于磁