19.属于第三代半导体.用它制造的灯泡寿命是普通灯泡的100倍.而耗能只有其10%.推广砷化镓等发光二极管(LED)照明.是节能减排的有效举措.砷化镓的晶胞结构如右图.试回答: (1)As的核外电子排布式为 . (2)砷化镓晶胞中所包含的Ga原子个数为 . (3)下列说法正确的是 . A.砷化镓晶胞结构与NaCl相同 B.第一电离能:As>Ga C.电负性:As>Ga D.砷化镓晶体中含有配位键 (4)砷化镓是将(CH3)3Ga和AsH3用MOCVD方法在700℃时制备得到.AsH3的空间形状为 .(CH3)3Ga中镓原子的杂化方式为 . (5)AsH3沸点比NH3低.其主要原因是 . 查看更多

 

题目列表(包括答案和解析)

砷化镓(GaAs)属于第三代半导体,用它制造的灯泡寿命是普通灯泡的100倍,而耗能只有其10%。推广砷化镓等发光二极管(LED)照明,是节能减排的有效举措。砷化镓的晶胞结构如下图。
试回答:
(1)As的核外电子排布式为_____________。
(2)砷化镓晶胞中所包含的Ga原子个数为_____________。
(3)下列说法正确的是__________(填字母)。
A.砷化镓晶胞结构与NaCl相同
B.第一电离能:As> Ca
C.电负性:As> Ga
D.砷化镓晶体中含有配位键
E.半导体GaP与CaAs互为等电子体
(4)砷化镓是将(CH3)3Ga和AsH3用MOCVD方法在700℃ 时制备得到。AsH3的空间形状为____,(CH3)3Ga中镓原子的杂化方式为_____________。
(5) AsH3沸点比NH3低,其主要原因是__________________

查看答案和解析>>

       砷化镓(GaAs)属于第三代半导体,用它制造的灯泡寿命是普通灯泡的100倍,而耗能只有其10%。推广砷化镓等发光二极管(LED)照明,是节能减排的有效举措。砷化镓的晶胞结构如右图。

       试回答:

(1)As的核外电子排布式为                    

(2)砷化镓晶胞中所包含的Ga原子个数为         

(3)下列说法正确的是      (填字母)。

       A.砷化镓晶胞结构与NaCl相同           B.第一电离能:As>Ga

       C.电负性:As>Ga                     D.砷化镓晶体中含有配位键

       E.半导体GaP与GaAs互为等电子体

(4)砷化镓是将(CH33Ga和AsH3用MOCVD方法在700℃时制备得到。

AsH3的空间形状为               ,(CH33Ga中镓原子的杂化方式为             

(5)AsH3沸点比NH3低,其主要原因是     

查看答案和解析>>

       砷化镓(GaAs)属于第三代半导体,用它制造的灯泡寿命是普通灯泡的100倍,而耗能只有其10%。推广砷化镓等发光二极管(LED)照明,是节能减排的有效举措。砷化镓的晶胞结构如右图。

       试回答:

(1)As的核外电子排布式为                    

(2)砷化镓晶胞中所包含的Ga原子个数为         

(3)下列说法正确的是      (填字母)。

       A.砷化镓晶胞结构与NaCl相同           B.第一电离能:As>Ga

       C.电负性:As>Ga                     D.砷化镓晶体中含有配位键

       E.半导体GaP与GaAs互为等电子体

(4)砷化镓是将(CH33Ga和AsH3用MOCVD方法在700℃时制备得到。

AsH3的空间形状为               ,(CH33Ga中镓原子的杂化方式为             

(5)AsH3沸点比NH3低,其主要原因是     

查看答案和解析>>

砷化镓(GaAs)属于第三代半导体,用它制造的灯泡寿命是普通灯泡的100倍,而耗能只有其10%。推广砷化镓等发光二极管(LED)照明,是节能减排的有效举措。砷化镓的晶胞结构如右图。试回答:

(1)As的核外电子排布式为      

(2)砷化镓晶胞中所包含的Ga原子个数为      

(3)下列说法正确的是       (填字母)。

       A.砷化镓晶胞结构与NaCl相同

       B.第一电离能:As>Ga

       C.电负性:As>Ga

       D.砷化镓晶体中含有配位键

E.半导体GaP与GaAs互为等电子体

(4)砷化镓是将(CH33Ga和AsH3用MOCVD方法在700℃时制备得到。AsH3的空间形状为       ,(CH33Ga中镓原子的杂化方式为      

(5)AsH3沸点比NH3低,其主要原因是      

查看答案和解析>>

砷化镓(GaAs)属于第三代半导体,用它制造的灯泡寿命是普通灯泡的100倍,而耗能只有其10%。推广砷化镓等发光二极管(LED)照明,是节能减排的有效举措。砷化镓的晶胞结构如右图。试回答:

(1)As的核外电子排布式为      

(2)砷化镓晶胞中所包含的Ga原子个数为       

(3)下列说法正确的是       (填字母)。

A.砷化镓晶胞结构与NaCl相同

B.第一电离能:As>Ga

C.电负性:As>Ga

D.砷化镓晶体中含有配位键

E.半导体GaP与GaAs互为等电子体

(4)砷化镓是将(CH3)3Ga和AsH3用MOCVD方法在700℃时制备得到。AsH3的空间形状为       ,(CH3)3Ga中镓原子的杂化方式为      

(5)AsH3沸点比NH3低,其主要原因是      

查看答案和解析>>


同步练习册答案