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    n t(10-3s) v＝d/t(m/s) v2(m2/s2) 1 2.778 1.80 3.24 2 2.826 - 3.13 3 2.877 - 3.02 4 2.931 - 2.91 5 2.988 - 6 3.049 - 2.69 7 3.113 - 2.58 8 3.181 - 2.47 9 3.255 - 2.36 10 3.333 - 2.25 - - - - 10．如图所示的实验装置中的横杆能够绕竖直轴旋转.横杆在转动过程中.由于摩擦阻力的作用.横杆会越转越慢．在横杆的一端装有宽度为d＝0.005m的竖直“挡光圆柱 .当“挡光圆柱 通过光电门时.光电门就记录挡光的时间间隔.“挡光圆柱 宽度与挡光时间之比.可以近似认为是“挡光圆柱 在该时刻的速度．横杆每转一圈.光电门就记录一次“挡光圆柱 挡光时间． 在一次实验中记录下横杆转动圈数n和每次挡光的时间t.并计算出“挡光圆柱 在该时刻的速度以及速度的平方．请计算表中当n＝5时.v2＝ m2/s2,如果继续测量“挡光圆柱 的速度.那么当n＝15时.“挡光圆柱 的速度为 m/s,根据表格中的数据可推理出“挡光圆柱 速度大小v与横杆转动圈数n的关系为 ． 【查看更多】

     

    题目列表(包括答案和解析)

    （2008?南通三模）（1）①如图游标卡尺的读数为
    10.60
    10.60
    _mm．②图中给出的是用螺旋测微器测量一金属薄板厚度时的示数，此读数应为
    6.124（6.123--6.125）
    6.124（6.123--6.125）
    mm．

    （2）如图所示的实验装置中的横杆能够绕竖直轴旋转，横杆在转动过程中，由于摩擦阻力的作用，横杆会越转越慢．在横杆的一端装有宽度为d=0.005m的竖直“挡光圆柱”，当“挡光圆柱”通过光电门时，光电门就记录挡光的时间间隔，“挡光圆柱”宽度与挡光时间之比，可以近似认为是“挡光圆柱”在该时刻的速度．横杆每转一圈，“挡光圆柱”通过
    n t（10-3s） v=d/t（m/s） v2（m2/s2）
    1 2.778 1.80 3.24
    2 2.826 … 3.13
    3 2.877 … 3.02
    4 2.931 … 2.91
    5 2.988 …
    6 3.049 … 2.69
    7 3.113 … 2.58
    8 3.181 … 2.47
    9 3.255 … 2.36
    10 3.333 … 2.25
    … … … …
    光电门记录一次挡光时间．
    在一次实验中记录下横杆转动圈数n和每次挡光的时间t，并计算出“挡光圆柱”在该时刻的速度以及速度的平方（部分数据如表中所示）．请计算表中当n=5时，v2=
    2.80
    2.80
    m2/s2；如果继续测量“挡光圆柱”的速度，那么当n=15时，“挡光圆柱”的速度为
    1.31
    1.31
    m/s．则“挡光圆柱”速度大小与横杆转动圈数n的关系为
    v=
    		3.24-0.11(n-1)
    ．（n=1，2，3…30）
    v=
    		3.24-0.11(n-1)
    ．（n=1，2，3…30）
    ．

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    精英家教网如图所示，在xOy坐标系中，x轴上N点到O点的距离是12cm，虚线NP与x轴负向的夹角是30°．第Ⅰ象限内NP的上方有匀强磁场，磁感应强度B=1T，第IV象限有匀强电场，方向沿y轴正向．一质量m=8×10-10kg．电荷量q=1×10-4C带正电粒子，从电场中M（12，-8）点由静止释放，经电场加速后从N点进入磁场，又从y轴上P点穿出磁场．不计粒子重力，取π=3，求：
    （1）粒子在磁场中运动的速度v；
    （2）粒子在磁场中运动的时间t；
    （3）匀强电场的电场强度E．

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    （2010?岳阳模拟）如图所示的实验装置中的横杆能够绕竖直轴旋转，横杆在转动过程中，由于摩擦阻力的作用，横杆会越转越慢．在横杆的一端装有宽度为d=0.005m的竖直“挡光圆柱”，当“挡光圆柱”通过光电门时，光电门就记录挡光的时间间隔，“挡光圆柱”宽度与挡光时间之比，可以近似认为是“挡光圆柱”在该时刻的速度．横杆每转一圈，“挡光圆柱”通过光电门记录一次挡光时间．
    n t（10-3s） v=
    d
    t
    （m/s）    		 v2（m2/s2）
    1 2.778 1.80 3.24
    2 2.826 … 3.13
    3 2.877 … 3.02
    4 2.931 … 2.91
    5 2.988 …
    6 3.049 … 2.69
    7 3.113 … 2.58
    8 3.181 … 2.47
    9 3.255 … 2.36
    10 3.333 … 2.25
    … … … …
    在一次实验中记录下横杆转动圈数n和每次挡光的时间t，并计算出“挡光圆柱”在该时刻的速度以及速度的平方（部分数据如表中所示）．请计算表中当n=5时，v2=
    2.80
    2.80
    m2/s2；如果继续测量“挡光圆柱”的速度，那么当n=15时，“挡光圆柱”的速度为
    1.30
    1.30
    m/s．则“挡光圆柱”速度大小与横杆转动圈数n的关系为
    v=
    		3.35-0.11n
    v=
    		3.35-0.11n
    ．

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    如图所示，均可视为质点的三个物体A、B、C在倾角为30°的光滑斜面上，A与B紧靠在一起，C紧靠在固定挡板上，质量分别为mA=0.43kg、mB=0.20kg、mC=0.50kg，其中A不带电，B、C的电量分别为qB=+2.0×10-5 C、qC=+7.0×10-5 C且保持不变，开始时三个物体皆能保持静止．现给A施加一平行斜面向上的力F，使A作加速度a=2.0m/s2的匀加速直线运动，经过时间t，力F变为恒力．已知静电常数k=9.0×109 N?m2/C2，g=10m/s2．
    （1）求F的最大值；
    （2）求时间t；
    （3）在时间t内，力F做功WF=2.31J，求系统电势能的变化量△Ep．

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    霍尔效应是电磁基本现象之一，在现代汽车上广泛应用霍尔器件：ABS系统 中的速度传感器、汽车速度表等．如图1，在一矩形半导体薄片的P、Q间通入电流I，同时外加与薄片垂直的磁场B，在M、N间出现电压UH，这个现象称为霍尔效应，UH称为霍尔电压，且满足UH=k
    IB
    d
    ，式中k为霍尔系数，由半导体材料的性质决定，d为薄片的厚度．利用霍尔效应可以测出磁场中某处的磁感应强度B．
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    （1）为了便于改变电流方向作研究，设计如图2的测量电路，S1、S2均为单刀双掷开关，虚线框内为半导体薄片（未画出）．为使电流从P端流入，Q端流出，应将S1掷向
     
    （填“a”或“b”），S2掷向
     
    （填“c”或“d”）．
    （2）已知某半导体薄片厚度d=0.40mm，霍尔系数为1.5×10-3V?m?A-1?T-1，保持待测磁场磁感应强度B不变，改变电流I的大小，测量相应的UH值，记录数据如表．
    I（×10-3A） 3.0 6.0 9.0 12.0 15.0 18.0
    UH（×10-3V） 1.1 1.9 3.4 4.5 6.2 6.8
    根据表中数据在给定区域内图3中画出UH-I图线，利用图线求出待测磁场B为
     
    T．
    （3）利用上述方法，可以粗略测出磁场的分布．为了更精细测出磁场的分布，可采取的措施有
     

    （A）选用厚度较薄的半导体薄片
    （B）选用厚度较厚的半导体薄
    （C）选用霍尔系数k大的半导体薄片
    （D）增大电流强度I．

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