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    对于垂直入射.若k=0.呈现极大加强的波长为 用以上的d值.得 对于任何厚度的膜层.可从用同样的方式算出.在本题中 它稍带黄色的绿光相对应. 例8.在半导体元件的生产中.为了测定Si片上的薄膜厚度.将薄膜磨成劈尖形状.如图2-1-31所示.用波长λ=5461的绿光照射.已知的折射率为1.46.Si的折射率了3.42.若观察到劈尖上出现了7个条纹间距.问薄膜的厚度是多少? 解:设图中从上到下依次为空气.和Si.由于的折射率小于Si的折射率.所以光从空气射入劈尖的上.下表面反射时都有半波损失.因此在棱边(劈膜厚度d=0处)为明条纹.当劈膜厚度d等于光在膜层中半波长的奇数倍时(或者膜层厚度d的2倍等于光在膜层中波长的整数倍时)都将出现明条纹.所以明条纹的位置应满足: 因此相邻明条纹对应的劈膜厚度差为 所以在劈膜开口处对应的膜层厚度为 例9.利用劈尖状空气隙的薄膜干涉可以检测精密加工工件的表面质量.并能测量表面纹路的深度.测量的方法是:把待测工件放在测微显微镜的工作台上.使待测表面向上.在工件表面放一块具有标准光学平面的玻璃.使其光学平面向下.将一条细薄片垫在工件和玻璃板之间.形成劈尖状空气隙.如图2-1-32所示.用单色平行光垂直照射到玻璃板上.通过显微镜可以看到干涉条文.如果由于工件表面不平.观测中看到如图上部所示弯曲的干涉条纹. ①请根据条纹的弯曲方向.说明工件表面的纹路是凸起还不下凹? ②证明维路凸起的高度可以表示为 . 式中λ为入射单色光的波长.a.b的意义如图. 分析:在劈尖膜中讲过.空气隙厚度h与k存在相应关系.若工作表面十分平整.则一定观察到平行的干涉条纹.由于观察到的条纹向左弯曲.说明图中P点与Q点为同一k级明纹或暗纹.且某一k值与厚度h有线性正比关系.故P点与Q点对应的k相等.工件必下凹. 解①单色光在空气隙薄膜的上下表面反射.在厚度x满足: 时出现明条纹.相邻明条纹所对应的空气隙的厚度差 . 可见.对应于空气隙相等厚度的地方同是明条纹.或同是暗条纹.从图中可以看出.越向右方的条纹.所对应的空气隙厚度越大.故条纹左弯.工件必下凹. ②由图中看出.干涉条纹间距为b.对应的空气隙厚度差为.又因为条纹最大弯曲程度为a.因此完所对应的纹路最大深度h应满足h: 所以 . 【查看更多】

     

    题目列表(包括答案和解析)

    半径为R的回旋加速器，磁感应强度为B，加速电压如图甲所示．在加速器的中点有一粒子发射源P，可产生初速度大小不计，重力不计，荷质比（电荷与质量之比）为k的负电粒子，粒子经回旋加速器加速后从A点水平向右射出，然后进入粒子速度散射器C，散射器C不改变粒子速度大小，可使粒子速度方向变成任意方向，粒子从散射器C的小孔D出射后立即进入右侧垂直纸面向里的匀强磁场中，该磁场有两条竖直边界M、N，宽度为R（与回旋加速器半径相等），磁感强度为0.5B，对于进入该磁场中的粒子，只考虑在纸面内的各种入射方向．已知A、C间距离为l=
    π3
    R    ，如图乙所示．不计粒子在回旋加速器中电场中的运动时间，不计粒子在散射器中的运动时间．求：
    （1）粒子从产生到从边界N射出所经历的时间的最小值和最大值
    （2）若以D点为坐标原点，水平向右为x轴，沿边界M向上为y轴建立直角坐标系，确定粒子分别以上述最短时间、最长时间从边界N出射的坐标．

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    半径为R的回旋加速器，磁感应强度为B，加速电压如图甲所示．在加速器的中点有一粒子发射源P，可产生初速度大小不计，重力不计，荷质比（电荷与质量之比）为k的负电粒子，粒子经回旋加速器加速后从A点水平向右射出，然后进入粒子速度散射器C，散射器C不改变粒子速度大小，可使粒子速度方向变成任意方向，粒子从散射器C的小孔D出射后立即进入右侧垂直纸面向里的匀强磁场中，该磁场有两条竖直边界M、N，宽度为R（与回旋加速器半径相等），磁感强度为0.5B，对于进入该磁场中的粒子，只考虑在纸面内的各种入射方向．已知A、C间距离为，如图乙所示．不计粒子在回旋加速器中电场中的运动时间，不计粒子在散射器中的运动时间．求：
    （1）粒子从产生到从边界N射出所经历的时间的最小值和最大值
    （2）若以D点为坐标原点，水平向右为x轴，沿边界M向上为y轴建立直角坐标系，确定粒子分别以上述最短时间、最长时间从边界N出射的坐标．

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