10.如图10甲所示.用裸导体做成U形框架abcd.ad与bc相距L=0.2 m.其平面与水平面成θ=30°角.质量为m=1 kg的导体棒PQ与ad.bc接触良好.回路的总电阻为R=1 Ω.整个装置放在垂直于框架平面的变化磁场中.磁场的磁感应强度B随时间t的变化情况如图乙所示(设图甲中B的方向为正方向).t=0时.B0=10 T.导体棒PQ与cd的距离x0=0.5 m.若PQ始终静止.关于PQ与框架间的摩擦力大小在0-t1=0.2 s时间内的变化情况.下面判断正确的是( ) 图10 A.一直增大 B.一直减小 C.先减小后增大 D.先增大后减小 解析:由图乙.==50 T/s.t=0时.回路所围面积S=Lx0=0.1 m2.产生的感应电动势E==5 V.I==5 A.安培力F=B0IL=10 N.方向沿斜面向上.而下滑力mgsin30°=5 N.小于安培力.故刚开始摩擦力沿斜面向下.随着安培力减小.沿斜面向下的摩擦力也减小.当安培力等于mgsin30°时.摩擦力为零.安培力再减小.摩擦力变为沿斜面向上且增大.故选项C对. 答案:C 第Ⅱ卷 非选择题 查看更多

 

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如图甲所示,用裸导体做成U形框架abcd,ad与bc相距L=0.2 m,其平面与水平面成=30°角.质量为m=1 kg的导体棒PQ与ad、bc接触良好,回路的总电阻为R=1 Ω.整个装置放在垂直于框架平面的变化磁场中,磁场的磁感应强度B随时间t的变化情况如图乙所示(设图甲中B的方向为正方向).t=0时,B0=10 T、导体棒PQ与cd的距离x0=0.5 m.若PQ始终静止,关于PQ与框架间的摩擦力大小在0~t1=0.2 s时间内的变化情况,下面判断正确的是

A.一直增大

B.一直减小

C.先减小后增大

D.先增大后减小

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