砷化镓属于第三代半导体，它能直接将电能转变为光能，砷化镓灯泡寿命是普通灯泡的100倍，而耗能只有其10%，推广砷化镓等发光二极管（LED）照明，是节能减排的有效举措，已知砷化镓的晶胞结构如右图。试回答下列问题

（1）下列说法正确的是      ▲        （选填序号）。

A．砷化镓晶胞结构与NaCl相同   B．第一电离能：As＞Ga

C．电负性:As＞Ga                D．砷和镓都属于p区元素

E．半导体GaP、SiC与砷化镓为等电子体

（2）砷化镓是将(CH₃)₃Ga和AsH₃用MOCVD方法制备得到， 该反应在700℃进行，反应的方程式为：           ▲            。

AsH₃空间形状为：      ▲       (CH₃)₃Ga中镓原子杂化方式为：      ▲      。

（3）Ga的核外电子排布式为：       ▲        。

（4）AsH₃沸点比NH₃低，其原因是：         ▲        。

砷化镓属于第三代半导体，它能直接将电能转变为光能，砷化镓灯泡寿命是普通灯泡的100倍，而耗能只有其10%，推广砷化镓等发光二极管（LED）照明，是节能减排的有效举措，已知砷化镓的晶胞结构如右图。试回答下列问题

（1）下列说法正确的是              （选填序号）。

       A．砷化镓晶胞结构与NaCl相同  

B．第一电离能：As＞Ga

       C．电负性:As＞Ga                    

D．砷和镓都属于p区元素

E．半导体GaP、SiC与砷化镓为等电子体

（2）砷化镓是将（CH₃）₃Ga和AsH₃用MOCVD方法制备得到， 该反应在700℃进行，反应的方程式为：                        。

AsH₃空间形状为：             （CH₃）₃Ga中镓原子杂化方式为：             。

（3）Ga的核外电子排布式为：                 。

（4）AsH₃沸点比NH₃低，其原因是：                  。

（12分）砷化镓属于第三代半导体，它能直接将电能转变为光能，砷化镓灯泡寿命是普通灯泡的100倍，而耗能只有其10%，推广砷化镓等发光二极管（LED）照明，是节能减排的有效举措，已知砷化镓的晶胞结构如图。试回答下列问题

（1）下列说法正确的是             （选填序号）。

A．砷化镓晶胞结构与NaCl相同        B．第一电离能：As＞Ga

C．电负性:As＞Ga                          D．砷和镓都属于p区元素

E．半导体GaP、SiC与砷化镓为等电子体

（2）砷化镓是将(CH₃)₃Ga和AsH₃用MOCVD方法制备得到， 该反应在700℃进行，反应的方程式为：                      。

AsH₃空间形状为：            (CH₃)₃Ga中镓原子杂化方式为：            。

（3）Ga的核外价电子排布式为：              。

（4）AsH₃沸点比NH₃低，其原因是：                。

砷化镓属于第三代半导体，它能直接将电能转变为光能，砷化镓灯泡寿命是普通灯泡的100倍，而耗能只有其10%，推广砷化镓等发光二极管（LED）照明，是节能减排的有效举措，已知砷化镓的晶胞结构如右图。试回答下列问题

（1）下列说法正确的是              （选填序号）。

              A．砷化镓晶胞结构与NaCl相同  

B．第一电离能：As＞Ga

              C．电负性:As＞Ga                                                                                   

D．砷和镓都属于p区元素

E．半导体GaP、SiC与砷化镓为等电子体

（2）砷化镓是将（CH₃）₃Ga和AsH₃用MOCVD方法制备得到， 该反应在700℃进行，反应的方程式为：                       。

AsH₃空间形状为：             （CH₃）₃Ga中镓原子杂化方式为：             。

（3）Ga的核外电子排布式为：                 。

（4）AsH₃沸点比NH₃低，其原因是：                 。

砷化镓属于第三代半导体，它能直接将电能转变为光能，砷化镓灯泡寿命是普通灯泡的100倍，而耗能只有其10%，推广砷化镓等发光二极管（LED）照明，是节能减排的有效举措，已知砷化镓的晶胞结构如右图。试回答下列问题

（1）下列说法正确的是             （选填序号）。
A．砷化镓晶胞结构与NaCl相同  
B．第一电离能：As＞Ga
C．电负性:As＞Ga                                                                                   
D．砷和镓都属于p区元素
E．半导体GaP、SiC与砷化镓为等电子体
（2）砷化镓是将（CH₃）₃Ga和AsH₃用MOCVD方法制备得到，该反应在700℃进行，反应的方程式为：                       。
AsH₃空间形状为：            （CH₃）₃Ga中镓原子杂化方式为：            。
（3）Ga的核外电子排布式为：                。
（4）AsH₃沸点比NH₃低，其原因是：                 。