二氧化硅比二氧化碳熔点高的主要原因是 ( ) A.晶体结构不同 B.二氧化硅分子最大 C.Si-O键的键能大 D.硅原子半径大 答案:A 查看更多

 

题目列表(包括答案和解析)

二氧化硅比二氧化碳熔点高的主要原因是


  1. A.
    晶体结构不同
  2. B.
    二氧化硅分子最大
  3. C.
    Si-O键的键能大
  4. D.
    硅原子半径大

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二氧化硅比二氧化碳熔点高的主要原因是  

[  ]

A.晶体结构不同         B.二氧化硅相对分子质量大

C.Si—O键比C—O键的键能大  D. 硅原子半径大

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二氧化硅比二氧化碳熔点高的主要原因是   

[  ]

A.晶体结构不同     B.二氧化硅分子最大

CSi-O键的键能大   D.硅原子半径大

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硅是构成无机非金属材料的一种主要元素,下列有关硅的化合物的叙述错误的是(  )
A、氮化硅陶瓷是一种新型无机非金属材料,其化学式为Si3N4B、碳化硅(SiC)的硬度大,熔点高,可用于制作高温结构陶瓷和轴承C、光导纤维是一种新型无机非金属材料,其主要成分为SiO2D、二氧化硅为立体网状结构,其晶体中硅原子和硅氧单键个数之比为1:2

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硅是构成无机非金属材料的一种主要元素,下列有关硅的化合物的叙述错误的是


  1. A.
    氮化硅陶瓷是一种新型无机非金属材料,其化学式为Si3N4
  2. B.
    碳化硅(SiC)的硬度大,熔点高,可用于制作高温结构陶瓷和轴承
  3. C.
    光导纤维是一种新型无机非金属材料,其主要成分为SiO2
  4. D.
    二氧化硅为立体网状结构,其晶体中硅原子和硅氧单键个数之比为1:2

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