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    如图所示为研究电子枪中电子在电场中运动的简化模型示意图.在Oxy平面的ABCD区域内.存在两个场强大小均为E的匀强电场I和II.两电场的边界均是边长为L的正方形. (1)在该区域AB边的中点处由静止释放电子.求电子离开ABCD区域的位置. (2)在电场I区域内适当位置由静止释放电子.电子恰能从ABCD区域左下角D处离开.求所有释放点的位置. (3)若将左侧电场II整体水平向右移动L/n(n≥1).仍使电子从ABCD区域左下角D处离开(D不随电场移动).求在电场I区域内由静止释放电子的所有位置. 徐一中高三物理第四次月考答案卡 姓名: 班别: 学号: 分数: 【查看更多】

     

    题目列表(包括答案和解析)

    如图所示为研究电子枪中电子在电场中运动的简化模型示意图．在Oxy平面的ABCD区域内，存在两个场强大小均为E的匀强电场Ⅰ和Ⅱ，已知A、D两点的坐标分别为（L，0）和（-2L，0），两电场的边界均是边长为L的正方形（不计电子所受重力），现在该区域AB边的中点处由静止释放一电子，已知电子质量为m，带电量为e，试求：
    （1）电子离开ABCD区域的位置坐标；
    （2）电子从电场Ⅱ出来后经过多少时间到达X轴；
    （3）电子到达X轴时的位置坐标．

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    如图所示为研究电子枪中电子在电场中运动的简化模型示意图．在Oxy平面的第一象限，存在以x轴y轴及双曲线y=
    L2
    4x
    的一段（0≤x≤L，0≤y≤L）为边界的匀强电场I；在第二象限存在以x=-L； x=-2L；y=0；y=L的匀强电场II．两个电场大小均为E，不计电子所受重力．求
    （1）从电场I的边界B点处由静止释放电子，电子离开MNPQ时的位置；
    （2）由电场I的AB曲线边界处由静止释放电子离开MNPQ时的最小动能；
    （3）若将左侧电场II整体水平向左移动
    L
    n
    （n≥1），要使电子从x=-2L，y=0处离开电场区域II，在电场I区域内由静止释放电子的所有位置．

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    精英家教网如图所示为研究电子枪中电子在电场中运动的简化模型示意图．在Oxy平面的ABCD区域内，存在两个大小均为E的匀强电场I和II，两电场的边界均是边长为L的正方形（不计粒子所受重力）．
    （1）在该区域AB边的中点处由静止释放电子，求电子离开ABCD区域的位置；
    （2）在电场I区域内适当位置由静止释放电子，电子恰能从ABCD区域左下角D处离开，求所有释放点的位置；
    （3）若将左侧电场II整体水平向右移动L/4，仍使电子从ABCD区域左下角D处离开（D不随电场移动），在电场I区域内由静止释放电子的所有位置．

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    如图所示为研究电子枪中电子在电场中运动的简化模型示意图.在Oxy平面的ABCD区域内,存在两个场强大小均为E的匀强电场Ⅰ和Ⅱ,两电场的边界均是边长为L的正方形(不计电子所受重力).

    (1)在该区域AB边的中点处由静止释放电子,求电子离开ABCD区域的位置.

    (2)在电场Ⅰ区域内适当位置由静止释放电子,电子恰能从ABCD区域左下角D处离开,求所有释放点的位置.

    (3)若将左侧电场Ⅱ整体水平向右移动L/n(n≥1)仍使电子从ABCD区域左下角D.处离开(D不随电场移动),求在电场Ⅰ区域内由静止释放电子的所有位置.

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    如图所示为研究电子枪中电子在电场中运动的简化模型示意图．在Oxy平面的ABCD区域内，存在两个场强大小均为E的匀强电场Ⅰ和Ⅱ，两电场的边界均是边长为L的正方形（不计电子所受重力）．

    ①在该区域AB边的中点处由静止释放电子，求电子离开ABCD区域的位置坐标．

    ②在电场Ⅰ区域内适当位置由静止释放电子，电子恰能从ABCD区域左下角D处离开，求所有释放点的位置坐标应满足的条件．

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