28.工业上电解饱和食盐水能制取多种化工原料.其中部分原料可用于制备多晶硅. (1)上图是离子交换膜法电解饱和食盐水示意图.电解槽阳极产生的气体是 ,NaOH溶液的出口为 ,精制饱和食盐水的进口为 ,干燥塔中使用的液体干燥剂是 . (2)原料粗盐中常含有泥沙和Ca2+.Mg2+.Fe3+.SO42-等杂质.必须精制后才能供电解使用.精制时.粗盐溶于水过滤后.还要加入的试剂分别为①Na2CO3.②HCl③BaCl2.这3种试剂添加的合理顺序是 . (3)多晶硅主要采用SiHCl3还原工艺生产.其副产物SiCl4的综合利用收到广泛关注. SiCl4可制气相白炭黑(与光导纤维主要原料相同).方法为高温下SiCl4与H2和 O2反应.产物有两种.化学方程式为 . SiCl4也可转化为SiHCl3而循环使用.一定条件下.在20 L恒容密闭容器中发生反 应:3SiCl4(g)+2H24SiHCl3(g).达平衡后.H2与SiHCl3 物质的量浓度分别为0.140mol/L和0.020mol/L.若H2全部来源于离子交换膜 法的电解产物.理论上需消耗纯NaCl的物质的量为 mol. (4)已知1 g阴极产生的气体在阳极产生的气体中完全燃烧时放出92.3 KJ的热量,则该反应的热化学方程式为: . 查看更多

 

题目列表(包括答案和解析)

(本题满分18分,第1小题6分,第2小题6分,第3小题6分)

    对于定义在D上的函数,若同时满足

   (Ⅰ)存在闭区间,使得任取,都有是常数);

   (Ⅱ)对于D内任意,当时总有,则称为“平底型”函数。

   (1)判断是否是“平底型”函数?简要说明理由;

   (2)设是(1)中的“平底型”函数,若,对一切恒成立,求实数的范围;

   (3)若是“平底型”函数,求满足的条件,并说明理由。

 

 

 

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(本题满分18分,第(1)小题4分,第(2)小题6分,第(2)小题8分)
已知双曲线C:的一个焦点是,且
(1)求双曲线C的方程;
(2)设经过焦点的直线的一个法向量为,当直线与双曲线C的右支相交于不同的两点时,求实数的取值范围;并证明中点在曲线上。
(3)设(2)中直线与双曲线C的右支相交于两点,问是否存在实数,使得为锐角?若存在,请求出的范围;若不存在,请说明理由。

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(本题满分18分)已知抛物线C的顶点在原点,焦点在y轴正半轴上,点到其准线的距离等于5.

(Ⅰ)求抛物线C的方程;

(Ⅱ)如图,过抛物线C的焦点的直线从左到右依次与抛物线C及圆交于A、C、D、B四点,试证明为定值;

(Ⅲ)过AB分别作抛物C的切线交于点M,求面积之和的最小值.

 

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(本题满分18分,其中第1小题5分,第2小题5分,第3小题8分)
在平面直角坐标系中,已知为坐标原点,点的坐标为,点的坐标为,其中.设.
(1)若,求方程在区间内的解集;
(2)若点是过点且法向量为的直线上的动点.当时,设函数的值域为集合,不等式的解集为集合. 若恒成立,求实数的最大值;
(3)根据本题条件我们可以知道,函数的性质取决于变量的值. 当时,试写出一个条件,使得函数满足“图像关于点对称,且在取得最小值”.(说明:请写出你的分析过程.本小题将根据你对问题探究的完整性和在研究过程中所体现的思维层次,给予不同的评分.)

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.(本题满分18分)

本题共有3个小题,第1小题满分4分,第2小题满分6分,第3小题满分8分.

设二次函数,对任意实数,有恒成立;数列满足.

(1)求函数的解析式和值域;

(2)试写出一个区间,使得当时,数列在这个区间上是递增数列,

并说明理由;

(3)已知,是否存在非零整数,使得对任意,都有

 恒成立,若存在,

求之;若不存在,说明理由.

 

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