18.防止HCl挥发污染环境或控制SiCl4的水解速率.防止反应过于剧烈.SiCl4(s)+2H2 ΔH=236kJ/mol (2)BaCO3+2H+=Ba2++CO2+H2O↑ 2.Ca(OH)2. 确保钙离子完全除去2溶解度越小). (5)BaCl2溶液 高温 19. (1)①3Fe2O3+CO 2Fe3O4+CO2 高温 CO太多导致Fe3O4还原为铁.CO太少Fe2O3没有全部转化成Fe3O4 ②CaCl2+SiO2+H2O CaSiO3+2HCl (2)将步骤4中的坩埚再加热一定时间.放入干燥器中冷却至室温后称越.重复本操作.直至两次称量结果不变, (3)CuSO4·3H2O.D 查看更多

 

题目列表(包括答案和解析)

(2010?扬州模拟)多晶硅(硅单质的一种)被称为“微电子大厦的基石”,制备中副产物以SiCl4为主,它对环境污染很大,能遇水强烈水解,放出大量的热.研究人员利用SiCl4水解生成的盐酸和钡矿粉(主要成份为BaCO3,且含有钙、铁、镁等离子)制备BaCl2?2H2O,工艺流程如下.已知常温下Fe3+、Mg2+完全沉淀的pH分别是:3.4、12.4. 
  
(1)SiCl4水解控制在40℃以下的原因是
防止HCl挥发污染环境或控制SiCl4的水解速率,防止反应过于剧烈
防止HCl挥发污染环境或控制SiCl4的水解速率,防止反应过于剧烈

已知:SiCl4(s)+H2(g)=SiHCl3(s)+HCl(g)△H1=+47kJ/mol;SiHCl3(s)+H2(g)=Si(s)+3HCl(g)△H2=+189kJ/mol
则由SiCl4制备硅的热化学方程式为
SiCl4(s)+2H2(g)=Si(s)+4HCl(g)△H=+236kJ/mol
SiCl4(s)+2H2(g)=Si(s)+4HCl(g)△H=+236kJ/mol

(2)加钡矿粉时生成BaCl2的离子反应方程式是
BaCO3+2H+=Ba2++CO2+H2O↑
BaCO3+2H+=Ba2++CO2+H2O↑

(3)加20% NaOH调节pH=12.5,得到滤渣A的主要成分是
Mg(OH)2、Ca(OH)2
Mg(OH)2、Ca(OH)2
,控制温度70℃的目的是
确保钙离子完全除去(或温度越高,Ca(OH)2溶解度越小)
确保钙离子完全除去(或温度越高,Ca(OH)2溶解度越小)

(4)BaCl2滤液经蒸发浓缩、降温结晶、过滤,再经真空干燥后得到?2H2O.实验室中蒸发浓缩用到的含硅酸盐的仪器有
3
3
种.
(5)为体现该工艺的绿色化学思想,该工艺中能循环利用的物质是
BaCl2溶液
BaCl2溶液

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多晶硅(硅单质的一种)被称为“微电子大厦的基石”,制备中副产物以SiCl4为主,它对环境污染很大,能遇水强烈水解,放出大量的热.研究人员利用SiCl4水解生成的盐酸和钡矿粉(主要成份为BaCO3,且含有铁、镁等离子)制备BaCl2?2H2O,工艺流程如下.已知:①常温下Fe3+、Mg2+完全沉淀的pH分别是:3.4、12.4.
②M (BaCO3)=197g/mol,M(BaCl2?2H2O)=244g/mol

(1)SiCl4水解反应的方程式为
SiCl4+4H2O=H4SiO4↓+4HCl.
SiCl4+4H2O=H4SiO4↓+4HCl.
,SiCl4水解控制在40℃的原因是
防止HCl挥发污染环境或控制SiCl4的水解速率,防止反应过于剧烈
防止HCl挥发污染环境或控制SiCl4的水解速率,防止反应过于剧烈

(2)已知:SiCl4(s)+H2(g)=SiHCl3(s)+HCl(g)△H1=+47kJ/mol
SiHCl3(s)+H2(g)=Si(s)+3HCl(g)△H2=+189kJ/mol则由SiCl4制备硅的热化学方程式为
SiCl4(s)+2H2(g)=Si(s)+4HCl(g)△H=+236kJ/mol
SiCl4(s)+2H2(g)=Si(s)+4HCl(g)△H=+236kJ/mol

(3)加钡矿粉并调节pH=7的作用是使BaCO3转化为BaCl2
使Fe3+完全沉淀
使Fe3+完全沉淀

(4)加20% NaOH调节pH=12.5,得到滤渣A的主要成分是
Mg(OH)2
Mg(OH)2

(5)BaCl2滤液经
蒸发浓缩
蒸发浓缩
、冷却结晶、
过滤
过滤
、洗涤,再经真空干燥后得到BaCl2?2H2O.

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