11.影响物质材料的电阻率的因素很多.一般金属材料的电阻率随温度的升高而增大.半导体材料的电阻率则与之相反.随温度的升高而减少.某学校研究小组需要研究某种导体材料的导电规律.他们用这种材料制作成电阻较小的元件Z.测量元件Z中的电流随两端电压从零逐渐增大过程中的变化规律.(1)请为他们设计符合要求的电路图进行实验.并画在方框内.(2)按照正确的电路图连接下面的实物图.(3)实验测得元件Z的电压与电流的关系如下表所示.根据表中数据.在下图中画出元件Z的I―U图象.并判断元件Z是金属材料还是半导体材料?答: ▲ U/V0 查看更多

 

题目列表(包括答案和解析)

影响物质材料的电阻率的因素很多,一般金属材料的电阻率随温度的升高而是增大,而半导体材料的电阻率则与之相反.某课题研究组需要研究某种材料的导电规律,他们取一根粗细均匀该种材料制作成电阻较小的元件Z做实验,测量元件Z中的电流随两端电压从零逐渐增大过程中的变化规律
(1)测元件Z的直径时,螺旋测微器的示数如图所示,可知元件Z的直径d=
0.280
0.280
×10-3m.
(2)实验测得元件Z的电压与电流的关系如下表所示.根据表中数据,判断元件Z是金属材料还是半导体材料?答:
半导体
半导体

U/(V) 0 0.40 0.60 0.80 1.00 1.20 1.50 1.60
I/(A) 0 0.20 0.45 0.80 1.25 1.80 281 3.20

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影响物质材料的电阻率的因素很多,一般金属材料的电阻率随温度的升高而增大,半导体材料的电阻率则与之相反,随温度的升高而减少.某学校研究小组需要研究某种导体材料的导电规律,他们用这种材料制作成电阻较小的元件Z,测量元件Z中的电流随两端电压从零逐渐增大过程中的变化规律.
(1)请为他们设计符合要求的电路图进行实验,并画在方框内.
(2)按照正确的电路图连接下面的实物图.
(3)实验测得元件Z的电压与电流的关系如下表所示.根据表中数据,在下图中画出元件Z的I-U图象.并判断元件Z是金属材料还是半导体材料?答:
半导体材料
半导体材料

U/V 0 0.40 0.60 0.80 1.00 1.20 1.50
I/A 0 0.20 0.45 0.80 1.25 1.80 2.81

(4)把元件Z接入如图所示的电路中,当电阻箱R的阻值为Rl=2Ω时,电压表的读数为1.00V;当电阻箱R的阻值为R2=3.6Ω时,电压表的读数为0.80V.结合上表数据,求出电池的电动势为
4.0
4.0
V,内阻为
0.40
0.40
Ω(不计电压表内阻的影响).

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影响物质材料的电阻率的因素很多,一般金属材料的电阻率随温度的升高而增大,半导体材料的电阻率则与之相反,随温度的升高而减小.某课题研究组需要研究某种导体材料的导电规律,他们用该种导电材料制作成电阻较小的线性元件Z做实验,测量元件Z中的电流随两端电压从零逐渐增大过程中的变化规律.
(1)他们应选用下图所示的哪个电路进行实验?答:
 

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(2)按照正确的电路图连接实物图;
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影响物质材料的电阻率的因素很多,一般金属材料的电阻率随温度的升高而增大,半导体材料的电阻率则与之相反,随温度的升高而减少,某学校研究小组需要研究某种导体材料的导电规律,他们用这种材料制作成电阻较小的元件Z,测量元件Z中的电流随两端电压从零逐渐增大过程中的变化规律。

(1)请为他们设计符合要求的电路图进行实验,并画在方框内。

(2)按照正确的电路图连接下面的实物图。

(3)实验测得元件Z的电压与电流的关系如下表所示,根据表中数据,判断元件Z是金属材料

U/V

0

0.40

0.60

0.80

1.00

1.20

1.50

I/A

0

0.20

0.45

0.80

1.25

1.80

2.81

还是半导体材料?

答:      

(4)把元件Z接入如图所示的电路中,当电阻箱R的阻值为Rl=2时,电压表的读数为1.00V;当电阻箱R的阻值为R2=3.6时,电压表的读数为0.80V.结合上表数据,求出电池的电动势为    V,内阻为     (不计电压表内阻的影响).(结果保留二位有效数字)

 


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影响物质材料的电阻率的因素很多,一般金属材料的电阻率随温度的升高而增大,半导体材料的电阻率则与之相反,随温度的升高而减小.某课题研究组需要研究某种导体材料的导电规律,他们用该种导电材料制作成电阻较小的线性元件Z做实验,测量元件Z中的电流随两端电压从零逐渐增大过程中的变化规律.
(1)他们应选用下图所示的哪个电路进行实验?答:______;

(2)按照正确的电路图连接实物图;

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一、全题共计15分,每小题3分:                1.D     2.B    3.A    4.C    5.D

二、全题共计16分,每小题4分,漏选的得2分:    6.AD    7.BD    8. ABD     9.BD

三、全题共计42分

10.(8分)⑴20.30    ⑵①S1/2T;② 9.71~9.73  ③阻力作用  (每空2分)

11.(10分)第⑶问4分,其中作图2分;其余每小问2分.⑶半导体材料 ⑷4.0 、  0.40

 

 

        

 

 

 

 

 

12.(12分) ⑴D (3分)   ⑵AC(3分)

⑶这种解法不对.

错在没有考虑重力加速度与高度有关(2分)

正确解答:卫星绕地球做匀速圆周运动,万有引力提供向心力,根据牛顿第二定律有

G=mA ③    G=mB ④     由③④式,得 (4分)

13A.(12分) ⑴不变(2分)  50(2分)  ⑵a→b(2分) 增加(2分) ⑶(4分)

13B.(12分) ⑴C(3分 ) ⑵60°(2分) 偏右(2分)  ⑶(2分) 0.25s(3分)

13C.(12分)    ⑴质子 、α 、氮     ⑵ mv2/4      ⑶a 、  5×1013    (每空2分)

四、全题共计47分.解答时请写出必要的文字说明、方程式和重要的演算步骤.只写出最后答案的不能得分.有数值计算的题.答案中必须明确写出数值和单位

14.(15分) 解:⑴A→C过程,由动能定理得: ………… (3分)

△R= R (1-cos37°)………………  (1分) ∴ vc=14m/s ……………………  (1分)

  ⑵在C点,由牛顿第二定律有: ……(2分)

∴ Fc=3936N …………………………………………………………………………( 2分)

    由牛顿第三定律知,运动员在C点时轨道受到的压力大小为3936N. …………… (1分)

⑶设在空中飞行时间为t,则有:tan37°=  …………………    ( 3分)

 ∴t = 2.5s   (t =-0.4s舍去)……………………………………………………( 2分)

 

 

 

15.(16分) 解:⑴垂直AB边进入磁场,由几何知识得:粒子离开电场时偏转角为30°

………(2分)    

………  (1分)     ∴………(2分)

由几何关系得:    在磁场中运动半径……(2分)

       ……………………………(2分)

……………(1分 ) 方向垂直纸面向里……………………(1分)

⑶当粒子刚好与BC边相切时,磁感应强度最小,由几何知识知粒子的运动半径r2为:

     ………( 2分 )   ………1分   ∴……… 1分

即:磁感应强度的最小值为………(1分)

16.(16分)

解:⑴据能量守恒,得  △E = mv02 -m()2= mv02-----------(3分)

⑵在底端,设棒上电流为I,加速度为a,由牛顿第二定律,则:

(mgsinθ+BIL)=ma1--------------------------(1分)

由欧姆定律,得I=---------------(1分)    E=BLv0---------------------(1分)

由上述三式,得a1 =  gsinθ + ---------------------(1分)

∵棒到达底端前已经做匀速运动∴mgsinθ= ------------------------------(1分)

代入,得a1 = 5gsinθ-----------------------------------------(2分)

(3)选沿斜面向上为正方向,上升过程中的加速度,上升到最高点的路程为S,

a = -(gsinθ + )-----------------------(1分)

取一极短时间△t,速度微小变化为△v,由△v = a△t,得

△     v = -( gsinθ△t+B2L2v△t/mR)-----------(1分)

其中,v△t = △s--------------------------(1分)

在上升的全过程中

∑△v = -(gsinθ∑△t+B2L2∑△s/mR)

即          0-v0= -(t0gsinθ+B2L2S/mR)-------------(1分)

∵H=S?sinθ       且gsinθ= -------------------(1分)

∴  H =(v02-gv0t0sinθ)/4g-----------------(1分)

 

 

 

 


同步练习册答案